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公开(公告)号：CN112885694A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202011307178.2
申请日：2020-11-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 提供一种夹具，其用于提高发光强度的分析精确度。该夹具包括：基座；多个光源，设置在所述基座上，并且发射不同波长的光；控制部，设置在所述基座上，并且基于给定的程序点亮或熄灭所述多个光源；以及电力供给部，设置在所述基座上，并且向所述多个光源和所述控制部供给电力，其中，所述夹具为能够由设置在搬送室中的用于对被处理基板进行搬送的搬送装置来搬送的形状。
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公开(公告)号：CN111788465A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201980015944.7
申请日：2019-07-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G01K11/32
Abstract: 例示性实施方式所涉及的温度测定传感器具备：基板；及光纤，其设置于基板的上表面并沿着上表面而延伸。温度测定传感器还具备：作为使上表面的上方的空间和基板的下表面的下方的空间连通的空间的光导入路径；及光耦合部，其设置于上表面并配置于光导入路径上。光耦合部与光纤的端面光学地连接。光纤构成第1图案形状及第2图案形状。第1图案形状比第2图案形状更密集地包含光纤。经由光导入路径从下表面侧入射到光耦合部的光经由光耦合部到达端面。
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公开(公告)号：CN106605292B
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201580048051.4
申请日：2015-09-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , C23C16/42 , C23C16/44 , C23C16/50 , H01L21/205 , H05H1/46
Abstract: 相对于等离子体保护腔室的内部的构件，防止变质和消耗。等离子体处理方法包括成膜工序、等离子体处理工序以及去除工序。在成膜工序中，利用含硅气体和还原性气体这两者的等离子体，在腔室的内部的构件的表面形成含硅膜。在等离子体处理工序中，在含硅膜形成于构件的表面之后，利用处理气体的等离子体对输入到腔室的内部的被处理体进行等离子体处理。在去除工序中，在等离子体处理后的被处理体输出到腔室的外部之后，利用含氟气体的等离子体从构件的表面去除含硅膜。
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公开(公告)号：CN100364064C
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200410078499.4
申请日：2004-09-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/302
Abstract: 提供一种聚焦环和等离子体处理装置，在可以提高处理的面内均匀性的同时，与现有技术比较，还可以减小淀积对半导体晶片的周缘部分背面一侧的发生。在真空室(1)内，设置有载置半导体晶片W的载置台(2)，以把载置到该载置台(2)上的半导体晶片W的周围围住的方式设置聚焦环(8)。聚焦环(8)由介电物质构成的环状的下侧构件(9)、和配置在该下侧构件(9)的上部，由导电性材料构成的环状的上侧构件(10)构成，上侧构件(10)的上表面的外周一侧被作成为比半导体晶片W的被处理面还高的平坦部分(10a)，该平坦部分(10a)内周部分被作成为使得外周一侧变成为比内周一侧还高那样地进行倾斜的倾斜部分(10b)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106605292A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201580048051.4
申请日：2015-09-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , C23C16/42 , C23C16/44 , C23C16/50 , H01L21/205 , H05H1/46
Abstract: 相对于等离子体保护腔室的内部的构件，防止变质和消耗。等离子体处理方法包括成膜工序、等离子体处理工序以及去除工序。在成膜工序中，利用含硅气体和还原性气体这两者的等离子体，在腔室的内部的构件的表面形成含硅膜。在等离子体处理工序中，在含硅膜形成于构件的表面之后，利用处理气体的等离子体对输入到腔室的内部的被处理体进行等离子体处理。在去除工序中，在等离子体处理后的被处理体输出到腔室的外部之后，利用含氟气体的等离子体从构件的表面去除含硅膜。
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公开(公告)号：CN106463389A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580023430.8
申请日：2015-05-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , C23C16/509 , H01L21/205 , H05H1/46
Abstract: 保护腔室的内部的构件免受等离子体的影响，防止变质以及消耗。等离子体处理方法包括成膜工序、等离子体处理工序、以及去除工序。在成膜工序中，利用含氧气体的流量与含硅气体的流量之比是0.2～1.4的含氧气体以及含硅气体这两者的等离子体在腔室的内部的构件的表面形成氧化硅膜。在氧化硅膜形成于构件的表面后，在等离子体处理工序中利用处理气体的等离子体对输入到腔室的内部的被处理体进行等离子体处理。在将被等离子体处理后的被处理体输出到腔室的外部后，在去除工序中利用含氟气体的等离子体将氧化硅膜从构件的表面去除。
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公开(公告)号：CN104701126A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201410757112.1
申请日：2014-12-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/683
CPC classification number: H01J37/32642 , H01J37/32715
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置以及聚焦环。其抑制倾斜伴随着聚焦环的消耗进行变动。等离子体处理装置包括：腔室，其用于对被处理体进行等离子体处理；载置台，其设于腔室的内部，并具有用于载置上述被处理体的载置面；以及聚焦环，其以包围被载置于载置面的被处理体的方式设于载置台，自内周侧朝向外周侧依次形成有比载置面低的第1平坦部、比第1平坦部高并且不高于被处理体的被处理面的第2平坦部、以及比被处理体的被处理面高的第3平坦部。
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公开(公告)号：CN102142350A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201110009778.5
申请日：2008-01-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32642 , H01J37/32623
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置的制造方法以及聚焦环的制造方法，其能够充分改良聚焦环和载置台之间的热传导效率，其中，所述基板处理装置包括：收纳基板的收纳室；配置在该收纳室内的用于载置所述基板的载置台；和以包围所述被载置的基板的周边部的方式载置在所述载置台上的环状聚焦环，所述收纳室内被减压，该基板处理装置的制造方法的特征在于：通过印刷处理在所述聚焦环与所述载置台的接触面上形成热传导膜。
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公开(公告)号：CN1591793A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410078499.4
申请日：2004-09-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/302
Abstract: 提供一种聚焦环和等离子体处理装置，在可以提高处理的面内均匀性的同时，与现有技术比较，还可以减小淀积对半导体晶片的周缘部分背面一侧的发生。在真空室(1)内，设置有载置半导体晶片W的载置台(2)，以把载置到该载置台(2)上的半导体晶片W的周围围住的方式设置聚焦环(8)。聚焦环(8)由由介电物质构成的环状的下侧构件(9)、和配置在该下侧构件(9)的上部，由导电性材料构成的环状的上侧构件(10)构成，上侧构件(10)的上表面的外周一侧被作成为比半导体晶片W的被处理面还高的平坦部分(10a)，该平坦部分(10a)内周部分被作成为使得外周一侧变成为比内周一侧还高那样地进行倾斜的倾斜部分(10b)。
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