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公开(公告)号：CN102138204A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200980134206.0
申请日：2009-08-19
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , C23C16/455 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4558 , C23C16/505 , Y10T137/8593 , Y10T156/1062
Abstract: 气体供给部件(11)包括将以环状延伸的气体流路的设置在其内部的环状部(12)。环状部(12)具备：环状的第一部件(13a)，其包括设置有供给气体的多个供给孔(19)的平板部(18)；环状的第二部件(13b)，其在与第一部件(13a)之间形成成为气体流路的空间(14)。
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公开(公告)号：CN102576673B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201080047610.7
申请日：2010-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/68735 , H01L21/6875
Abstract: 本发明提供试样台和微波等离子体处理装置。试样台通过利用研磨加工使接触面具有平滑性并将接触面设成大致凹形状，能够稳定地保持半导体晶圆，微波等离子体处理装置具有该试样台。对要实施等离子体处理的半导体晶圆(W)进行保持的试样台(2)包括：吸附板，其具有被实施研磨加工的、与半导体晶圆面接触的接触面，并对与该接触面面接触的半导体晶圆进行吸附；支承基板，其具有与该吸附板的非接触面相粘接的凹面，上述凹面的大致中央部的深度同上述凹面的从该中央部远离的远离部位的深度之差大于上述吸附板的与该中央部接触的部位的厚度同上述吸附板的与上述远离部位接触的部位的厚度之差。另外，微波等离子体处理装置具有试样台。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101600815B
公开(公告)日：2012-03-28
申请号：CN200880003779.5
申请日：2008-01-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 周藤贤治
CPC classification number: C23C14/22 , B01B1/005 , C23C14/562
Abstract: 蒸镀装置(10)具有：多个蒸镀源(210)，其使收纳的不同成膜材料分别气化；多个喷出机构(110)，其从喷出口(Op)喷出在多个蒸镀源(210)气化的成膜材料；1个或2个以上的隔壁(120)，其将相邻的喷出机构(110)隔开。该1个或2个以上的隔壁分别被配置为如下：从各隔壁(120)到基板(W)的间隙G、从喷出口(Op)到各隔壁(120)的上面的高度(T)、各隔壁的厚度(D)以及从各蒸镀源(210)的中心位置到各隔壁(120)的中心位置的距离(E)满足E＜(G+T)×D×G/2。另外，将蒸镀装置(10)的内部压力控制为0.01Pa以下，使得成膜材料的最长飞行距离短于成膜材料的平均自由行程。通过这样的蒸镀装置(10)，可以一边降低交叉污染，一边在同一处理容器内连续地形成多层膜。
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公开(公告)号：CN102260862B
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201110145317.0
申请日：2011-05-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455
CPC classification number: H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32807
Abstract: 本发明提供一种能够确实地供给气体而进行等离子处理的等离子处理装置。等离子处理装置包括：外部气体供气构件40，具有供给等离子处理用气体的供气口；及套管部27，作为在处理容器内支撑外部气体供气构件40的供气构件支撑装置。套管部27包含：三个支撑构件44～46，以将外部气体供气构件40及侧壁连结的方式，在供气构件的延伸方向上隔开各自之间隔而设置；及安装部47～49，固定于侧壁，且可安装支撑构件。支撑构件包含：固定并安装于第一安装部47的第一支撑构件44；及以自由支撑的方式安装于第二安装部48、49的第二支撑构件45、46。
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公开(公告)号：CN102576673A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080047610.7
申请日：2010-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/68735 , H01L21/6875
Abstract: 本发明提供试样台和微波等离子体处理装置。试样台通过利用研磨加工使接触面具有平滑性并将接触面设成大致凹形状，能够稳定地保持半导体晶圆，微波等离子体处理装置具有该试样台。对要实施等离子体处理的半导体晶圆(W)进行保持的试样台(2)包括：吸附板，其具有被实施研磨加工的、与半导体晶圆面接触的接触面，并对与该接触面面接触的半导体晶圆进行吸附；支承基板，其具有与该吸附板的非接触面相粘接的凹面，上述凹面的大致中央部的深度同上述凹面的从该中央部远离的远离部位的深度之差大于上述吸附板的与该中央部接触的部位的厚度同上述吸附板的与上述远离部位接触的部位的厚度之差。另外，微波等离子体处理装置具有试样台。
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公开(公告)号：CN102260862A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201110145317.0
申请日：2011-05-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455
CPC classification number: H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32807
Abstract: 本发明提供一种能够确实地供给气体而进行等离子处理的等离子处理装置。等离子处理装置包括：外部气体供气构件40，具有供给等离子处理用气体的供气口；及套管部27，作为在处理容器内支撑外部气体供气构件40的供气构件支撑装置。套管部27包含：三个支撑构件44～46，以将外部气体供气构件40及侧壁连结的方式，在供气构件的延伸方向上隔开各自之间隔而设置；及安装部47～49，固定于侧壁，且可安装支撑构件。支撑构件包含：固定并安装于第一安装部47的第一支撑构件44；及以自由支撑的方式安装于第二安装部48、49的第二支撑构件45、46。
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公开(公告)号：CN101600815A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200880003779.5
申请日：2008-01-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 周藤贤治
CPC classification number: C23C14/22 , B01B1/005 , C23C14/562
Abstract: 蒸镀装置(10)具有：多个蒸镀源(210)，其使收纳的不同成膜材料分别气化；多个喷出机构(110)，其从喷出口(Op)喷出在多个蒸镀源(210)气化的成膜材料；1个或2个以上的隔壁(120)，其将相邻的喷出机构(110)隔开。该1个或2个以上的隔壁分别被配置为如下：从各隔壁(120)到基板(W)的间隙G、从喷出口(Op)到各隔壁(120)的上面的高度(T)、各隔壁的厚度(D)以及从各蒸镀源(210)的中心位置到各隔壁(120)的中心位置的距离(E)满足E＜(G+T)×D×G/2。另外，将蒸镀装置(10)的内部压力控制为0.01Pa以下，使得成膜材料的最长飞行距离短于成膜材料的平均自由行程。通过这样的蒸镀装置(10)，可以一边降低交叉污染，一边在同一处理容器内连续地形成多层膜。
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