公开(公告)号：CN100591190C

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：CN200610066499.1

申请日：2006-03-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松本直树 ,  田中秀朗 ,  藤原尚 ,  舆水地盐 ,  小岩史明 ,  小林俊之 ,  仲山阳一 ,  中村博

IPC: H05H1/46 ,  H01J37/32 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32174

Abstract: 本发明提供除高频电力之外，以施加直流电压的电容结合型等离子体处理装置为前提，可以得到良好的等离子体的等离子体处理装置和等离子体处理方法。在腔室(10)内相对配置的上部电极(34)和下部电极(16)之间形成处理气体的等离子体，在晶片(W)上进行等离子体蚀刻的等离子体蚀刻装置中，具有将高频电力供给到上部电极(34)，用于形成等离子体的高频电源(48)；将直流电压施加到上部电极(34)的直流电源(50)和控制高频电源(48)与可变直流电源(50)的控制部(95)。控制部(95)进行控制，使得在开始从高频电源(18)供电的时刻或其后，使从可变直流电源(50)施加的电压成设定值。

公开(公告)号：CN100364064C

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200410078499.4

申请日：2004-09-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 輿石公 ,  田中秀朗 ,  冈山信幸 ,  宫川正章 ,  水上俊介 ,  清水涉 ,  广濑润 ,  若木俊克 ,  三轮智典 ,  大薮淳 ,  林大辅

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/302

Abstract: 提供一种聚焦环和等离子体处理装置，在可以提高处理的面内均匀性的同时，与现有技术比较，还可以减小淀积对半导体晶片的周缘部分背面一侧的发生。在真空室(1)内，设置有载置半导体晶片W的载置台(2)，以把载置到该载置台(2)上的半导体晶片W的周围围住的方式设置聚焦环(8)。聚焦环(8)由介电物质构成的环状的下侧构件(9)、和配置在该下侧构件(9)的上部，由导电性材料构成的环状的上侧构件(10)构成，上侧构件(10)的上表面的外周一侧被作成为比半导体晶片W的被处理面还高的平坦部分(10a)，该平坦部分(10a)内周部分被作成为使得外周一侧变成为比内周一侧还高那样地进行倾斜的倾斜部分(10b)。

公开(公告)号：CN1591793A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN200410078499.4

申请日：2004-09-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 輿石公 ,  田中秀朗 ,  冈山信幸 ,  宫川正章 ,  水上俊介 ,  清水涉 ,  广濑润 ,  若木俊克 ,  三轮智典 ,  大薮淳 ,  林大辅

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/302

Abstract: 提供一种聚焦环和等离子体处理装置，在可以提高处理的面内均匀性的同时，与现有技术比较，还可以减小淀积对半导体晶片的周缘部分背面一侧的发生。在真空室(1)内，设置有载置半导体晶片W的载置台(2)，以把载置到该载置台(2)上的半导体晶片W的周围围住的方式设置聚焦环(8)。聚焦环(8)由由介电物质构成的环状的下侧构件(9)、和配置在该下侧构件(9)的上部，由导电性材料构成的环状的上侧构件(10)构成，上侧构件(10)的上表面的外周一侧被作成为比半导体晶片W的被处理面还高的平坦部分(10a)，该平坦部分(10a)内周部分被作成为使得外周一侧变成为比内周一侧还高那样地进行倾斜的倾斜部分(10b)。

公开(公告)号：CN101162689B

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN200710194607.8

申请日：2004-09-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 輿石公 ,  田中秀朗 ,  冈山信幸 ,  宫川正章 ,  水上俊介 ,  清水涉 ,  广濑润 ,  若木俊克 ,  三轮智典 ,  大薮淳 ,  林大辅

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/683 ,  H01J37/32 ,  H05H1/00 ,  H05H1/46 ,  C23F4/00

Abstract: 提供一种聚焦环和等离子体处理装置，在可以提高处理的面内均匀性的同时，与现有技术比较，还可以减小淀积对半导体晶片的周缘部分背面一侧的发生。在真空室(1)内，设置有载置半导体晶片W的载置台(2)，以把载置到该载置台(2)上的半导体晶片W的周围围住的方式设置聚焦环(8)。聚焦环(8)由由介电物质构成的环状的下侧构件(9)、和配置在该下侧构件(9)的上部，由导电性材料构成的环状的上侧构件(10)构成，上侧构件(10)的上表面的外周一侧被作成为比半导体晶片W的被处理面还高的平坦部分(10a)，该平坦部分(10a)内周部分被作成为使得外周一侧变成为比内周一侧还高那样地进行倾斜的倾斜部分(10b)。

公开(公告)号：CN101162689A

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200710194607.8

申请日：2004-09-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 輿石公 ,  田中秀朗 ,  冈山信幸 ,  宫川正章 ,  水上俊介 ,  清水涉 ,  广濑润 ,  若木俊克 ,  三轮智典 ,  大薮淳 ,  林大辅

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/683 ,  H01J37/32 ,  H05H1/00 ,  H05H1/46 ,  C23F4/00

Abstract: 提供一种聚焦环和等离子体处理装置，在可以提高处理的面内均匀性的同时，与现有技术比较，还可以减小淀积对半导体晶片的周缘部分背面一侧的发生。在真空室(1)内，设置有载置半导体晶片W的载置台(2)，以把载置到该载置台(2)上的半导体晶片W的周围围住的方式设置聚焦环(8)。聚焦环(8)由由介电物质构成的环状的下侧构件(9)、和配置在该下侧构件(9)的上部，由导电性材料构成的环状的上侧构件(10)构成，上侧构件(10)的上表面的外周一侧被作成为比半导体晶片W的被处理面还高的平坦部分(10a)，该平坦部分(10a)内周部分被作成为使得外周一侧变成为比内周一侧还高那样地进行倾斜的倾斜部分(10b)。

公开(公告)号：CN1842242A

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN200610066499.1

申请日：2006-03-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松本直树 ,  田中秀朗 ,  藤原尚 ,  舆水地盐 ,  小岩史明 ,  小林俊之 ,  仲山阳一 ,  中村博

IPC: H05H1/46 ,  H01J37/32 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32091 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32174

Abstract: 本发明提供除高频电力之外，以施加直流电压的电容结合型等离子体处理装置为前提，可以得到良好的等离子体的等离子体处理装置和等离子体处理方法。在腔室(10)内相对配置的上部电极(34)和下部电极(16)之间形成处理气体的等离子体，在晶片(W)上进行等离子体蚀刻的等离子体蚀刻装置中，具有将高频电力供给到上部电极(34)，用于形成等离子体的高频电源(48)；将直流电压施加到上部电极(34)的直流电源(50)和控制高频电源(48)与可变直流电源(50)的控制部(95)。控制部(95)进行控制，使得在开始从高频电源(18)供电的时刻或其后，使从可变直流电源(50)施加的电压成设定值。