公开(公告)号：CN100364064C

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200410078499.4

申请日：2004-09-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 輿石公 ,  田中秀朗 ,  冈山信幸 ,  宫川正章 ,  水上俊介 ,  清水涉 ,  广濑润 ,  若木俊克 ,  三轮智典 ,  大薮淳 ,  林大辅

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/302

Abstract: 提供一种聚焦环和等离子体处理装置，在可以提高处理的面内均匀性的同时，与现有技术比较，还可以减小淀积对半导体晶片的周缘部分背面一侧的发生。在真空室(1)内，设置有载置半导体晶片W的载置台(2)，以把载置到该载置台(2)上的半导体晶片W的周围围住的方式设置聚焦环(8)。聚焦环(8)由介电物质构成的环状的下侧构件(9)、和配置在该下侧构件(9)的上部，由导电性材料构成的环状的上侧构件(10)构成，上侧构件(10)的上表面的外周一侧被作成为比半导体晶片W的被处理面还高的平坦部分(10a)，该平坦部分(10a)内周部分被作成为使得外周一侧变成为比内周一侧还高那样地进行倾斜的倾斜部分(10b)。

公开(公告)号：CN114678251A

公开(公告)日：2022-06-28

申请号：CN202111581735.4

申请日：2021-12-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 清水涉

IPC: H01J37/32 ,  B08B7/00

Abstract: 本发明涉及等离子体处理装置和清洁方法。高效地去除附着于腔室的内壁的沉积物。电极配置于腔室内。多个气体喷出口以朝向电极侧喷出气体的方式配置于电极的周边。气体供给部向多个气体喷出口供给处理气体。高频电源向电极供给能够使处理气体等离子体化的高频电力。控制部控制为，一边自气体供给部供给处理气体并使处理气体自气体喷出口喷出，一边自高频电源向电极供给高频电力。

公开(公告)号：CN101162689B

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN200710194607.8

申请日：2004-09-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 輿石公 ,  田中秀朗 ,  冈山信幸 ,  宫川正章 ,  水上俊介 ,  清水涉 ,  广濑润 ,  若木俊克 ,  三轮智典 ,  大薮淳 ,  林大辅

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/683 ,  H01J37/32 ,  H05H1/00 ,  H05H1/46 ,  C23F4/00

Abstract: 提供一种聚焦环和等离子体处理装置，在可以提高处理的面内均匀性的同时，与现有技术比较，还可以减小淀积对半导体晶片的周缘部分背面一侧的发生。在真空室(1)内，设置有载置半导体晶片W的载置台(2)，以把载置到该载置台(2)上的半导体晶片W的周围围住的方式设置聚焦环(8)。聚焦环(8)由由介电物质构成的环状的下侧构件(9)、和配置在该下侧构件(9)的上部，由导电性材料构成的环状的上侧构件(10)构成，上侧构件(10)的上表面的外周一侧被作成为比半导体晶片W的被处理面还高的平坦部分(10a)，该平坦部分(10a)内周部分被作成为使得外周一侧变成为比内周一侧还高那样地进行倾斜的倾斜部分(10b)。

公开(公告)号：CN101162689A

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200710194607.8

申请日：2004-09-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 輿石公 ,  田中秀朗 ,  冈山信幸 ,  宫川正章 ,  水上俊介 ,  清水涉 ,  广濑润 ,  若木俊克 ,  三轮智典 ,  大薮淳 ,  林大辅

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/683 ,  H01J37/32 ,  H05H1/00 ,  H05H1/46 ,  C23F4/00

Abstract: 提供一种聚焦环和等离子体处理装置，在可以提高处理的面内均匀性的同时，与现有技术比较，还可以减小淀积对半导体晶片的周缘部分背面一侧的发生。在真空室(1)内，设置有载置半导体晶片W的载置台(2)，以把载置到该载置台(2)上的半导体晶片W的周围围住的方式设置聚焦环(8)。聚焦环(8)由由介电物质构成的环状的下侧构件(9)、和配置在该下侧构件(9)的上部，由导电性材料构成的环状的上侧构件(10)构成，上侧构件(10)的上表面的外周一侧被作成为比半导体晶片W的被处理面还高的平坦部分(10a)，该平坦部分(10a)内周部分被作成为使得外周一侧变成为比内周一侧还高那样地进行倾斜的倾斜部分(10b)。

公开(公告)号：CN102723305A

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN201210082484.X

申请日：2012-03-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 清水涉 ,  前田清司 ,  永岩利文

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/3105 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831

Abstract: 本发明提供一种在进行低介电常数膜的损伤恢复处理时，能够维持较低相对介电常数和泄漏电流值，同时能够除去内部水分的处理方法。在对形成于被处理基板的、表面部分有损伤层的低介电常数膜实施恢复处理时，使第一处理气体和第二处理气体作用于低介电常数膜的损伤层，其中，上述第一处理气体，其分子小到能够渗透到低介电常数膜的损伤层的内部的程度，并且能够除去损伤层内的水分，上述第二处理气体，在损伤层的表面形成疏水性的致密的改性层。

公开(公告)号：CN102723305B

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201210082484.X

申请日：2012-03-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 清水涉 ,  前田清司 ,  永岩利文

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/3105 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831

Abstract: 本发明提供一种在进行低介电常数膜的损伤恢复处理时，能够维持较低相对介电常数和泄漏电流值，同时能够除去内部水分的处理方法。在对形成于被处理基板的、表面部分有损伤层的低介电常数膜实施恢复处理时，使第一处理气体和第二处理气体作用于低介电常数膜的损伤层，其中，上述第一处理气体，其分子小到能够渗透到低介电常数膜的损伤层的内部的程度，并且能够除去损伤层内的水分，上述第二处理气体，在损伤层的表面形成疏水性的致密的改性层。

公开(公告)号：CN1591793A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN200410078499.4

申请日：2004-09-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 輿石公 ,  田中秀朗 ,  冈山信幸 ,  宫川正章 ,  水上俊介 ,  清水涉 ,  广濑润 ,  若木俊克 ,  三轮智典 ,  大薮淳 ,  林大辅

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/302

Abstract: 提供一种聚焦环和等离子体处理装置，在可以提高处理的面内均匀性的同时，与现有技术比较，还可以减小淀积对半导体晶片的周缘部分背面一侧的发生。在真空室(1)内，设置有载置半导体晶片W的载置台(2)，以把载置到该载置台(2)上的半导体晶片W的周围围住的方式设置聚焦环(8)。聚焦环(8)由由介电物质构成的环状的下侧构件(9)、和配置在该下侧构件(9)的上部，由导电性材料构成的环状的上侧构件(10)构成，上侧构件(10)的上表面的外周一侧被作成为比半导体晶片W的被处理面还高的平坦部分(10a)，该平坦部分(10a)内周部分被作成为使得外周一侧变成为比内周一侧还高那样地进行倾斜的倾斜部分(10b)。

公开(公告)号：CN119013770A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202380031926.4

申请日：2023-08-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 荒卷昂 ,  李黎夫 ,  佐佐木信峰 ,  赤间俊纪 ,  加藤秀征 ,  朴景民 ,  清水涉 ,  小板桥岭太

IPC: H01L21/3065 ,  B65G49/07 ,  H01L21/677 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种基片处理系统，其包括等离子体处理装置、与等离子体处理装置连接的减压输送装置、和控制装置，等离子体处理装置包括：能够被减压的处理容器；设置在处理容器内的基片支承台，其包括基片载置面、能够以边缘环包围基片的方式载置边缘环的环载置面、和将边缘环静电吸附在环载置面上的静电卡盘，基片支承台与供给偏置用的脉冲状的直流电压的电源连接；使边缘环升降的升降机构；和在处理容器内生成等离子体的等离子体生成部，减压输送装置具有输送边缘环的输送机器人，控制装置能够控制：利用升降机构，使由输送机器人输送到处理容器内并交接到升降机构的边缘环下降而将其载置在环载置面上的载置步骤；将已被载置的边缘环静电吸附在环载置面上的步骤；和在对产品基片进行等离子体处理之前，在处理容器内生成等离子体，使边缘环在静电卡盘上的静电吸附稳定化的稳定化步骤，稳定化步骤包括对基片支承台施加偏置用的脉冲状的直流电压的施加步骤，施加步骤包括：施加第一偏置电压的第一步骤；和在第一步骤后，施加比第一偏置电压高的第二偏置电压的第二步骤。

公开(公告)号：CN101901781B

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201010182892.3

申请日：2010-05-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 清水涉 ,  久保田和宏 ,  林大辅

IPC: H01L21/768 ,  G05B19/02

CPC classification number: H01L21/76814 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76826 ,  Y10S438/935

Abstract: 本发明提供一种处理方法，在进行低介电常数膜的损伤恢复处理时，能够一边充分确保有助于恢复处理的处理气体的量，一边减少处理气体的使用量。该处理方法将具有甲基的处理气体来导入到容纳有被处理基板的处理容器内其中，该被处理基板具有表面部分形成损伤层的低介电常数膜，以此对低介电常数膜上所形成的损伤层实施恢复处理，对设为减压状态的处理容器内导入稀释气体，使处理容器内的压力上升到低于恢复处理时的处理压力的第一压力，之后，停止导入稀释气体，将处理气体导入到处理容器内的被处理基板的存在区域，使处理容器内的压力上升到作为恢复处理时的处理压力的第二压力，保持该处理压力，对被处理基板进行恢复处理。

公开(公告)号：CN101901781A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN201010182892.3

申请日：2010-05-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 清水涉 ,  久保田和宏 ,  林大辅

IPC: H01L21/768 ,  G05B19/02

CPC classification number: H01L21/76814 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76826 ,  Y10S438/935

Abstract: 提供一种处理方法，在进行低介电常数膜的损伤恢复处理时，能够一边充分确保有助于恢复处理的处理气体的量，一边减少处理气体的使用量。该处理方法将具有甲基的处理气体来导入到容纳有被处理基板的处理容器内其中，该被处理基板具有表面部分形成损伤层的低介电常数膜，以此对低介电常数膜上所形成的损伤层实施恢复处理，对设为减压状态的处理容器内导入稀释气体，使处理容器内的压力上升到低于恢复处理时的处理压力的第一压力，之后，停止导入稀释气体，将处理气体导入到处理容器内的被处理基板的存在区域，使处理容器内的压力上升到作为恢复处理时的处理压力的第二压力，保持该处理压力，对被处理基板进行恢复处理。