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公开(公告)号：CN105428195A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510578768.1
申请日：2015-09-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 东华隆株式会社
CPC classification number: C23C4/134 , C23C4/005 , C23C4/01 , C23C4/02 , C23C4/06 , C23C4/105 , C23C4/11 , C23C4/127 , C23C4/131 , C23C28/042
Abstract: 本发明的课题在于抑制从氟化钇制的喷镀被膜产生微粒。本发明的解决方法在于提供一种在等离子体处理装置内被暴露于等离子体中的部件。该部件具有基材和被膜。基材例如为铝制或铝合金制。可以在基材的表面形成耐酸铝膜。被膜通过在包括基材或设置于该基材上的层的基底的表面上喷镀氟化钇而形成。该部件的被膜内的气孔率为4％以下，该被膜的表面的算术平均粗糙度(Ra)为4.5μm以下。
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公开(公告)号：CN1792474B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200510023001.9
申请日：2005-11-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: B08B1/00 , B08B3/08 , B08B3/12 , B08B5/02 , B08B7/00 , C23C4/10 , C23C4/18 , Y10T428/12667 , Y10T428/12771
Abstract: 一种可以可靠地抑制水的解吸附和附着的陶瓷喷涂构件-清洁方法。陶瓷喷涂构件的表面与水彼此化学结合，从而使水稳定。物理吸附在陶瓷喷涂构件表面上的水被脱附。
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公开(公告)号：CN101244945A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200710165026.1
申请日：2005-11-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种可抑制微粒的产生、同时可以防止基板处理装置的运转率下降、并且可以容易制造的基板处理装置用部件的制造方法。该基板处理装置用部件的制造方法包括缺陷存在比降低步骤，使基板处理装置用部件的表面附近存在的空孔状缺陷的存在比降低，缺陷存在比降低步骤对基板处理装置用部件进行热处理，热熔融的构成基板处理装置用部件的分子等流动，从而使基板处理装置用部件的表面附近的空孔状缺陷填满、消失。
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公开(公告)号：CN100388418C
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200510117786.6
申请日：2005-11-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/3065 , C23F4/00
Abstract: 本发明提供一种可抑制微粒的产生、同时可以防止基板处理装置的运转率下降、并且可以容易制造的基板处理装置用部件的制造方法。通过对由烧结法或CVD法形成的碳化硅进行切削加工以成形为聚焦环(步骤S31)，将该成形的聚焦环暴露在作为不纯物质的由四氟化碳气体和氧气中的至少一种气体生成的等离子体中，将不纯物质导入聚焦环的表面附近存在的空孔状缺陷中(步骤S32)，将正电子射入导入了该不纯物质的聚焦环的表面附近，利用正电子湮没法检查聚焦环的表面附近的缺陷存在比(步骤S33)。
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公开(公告)号：CN1792474A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200510023001.9
申请日：2005-11-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: B08B1/00 , B08B3/08 , B08B3/12 , B08B5/02 , B08B7/00 , C23C4/10 , C23C4/18 , Y10T428/12667 , Y10T428/12771
Abstract: 一种可以可靠地抑制水的解吸附和附着的陶瓷喷涂构件－清洁方法。陶瓷喷涂构件的表面与水彼此化学结合，从而使水稳定。物理吸附在陶瓷喷涂构件表面上的水被脱附。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1682342A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN03822259.0
申请日：2003-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32009 , C23C16/4404 , H01J37/3244 , H01J37/32532 , Y10S156/916
Abstract: 本发明提供改进的用于等离子加工系统的上电极，其中有关带有连接至上电极的沉积罩的电极板的设计和制作有利地提供对上电极腐蚀充分小的加工气体的气体注入，同时提供对室内部的保护。
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公开(公告)号：CN1682341A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN03822206.X
申请日：2003-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32633 , H01J37/32623 , H01J37/32834
Abstract: 本申请涉及用于等离子体处理系统中的改进的折流板的方法和设备。本发明提出了一种用于等离子体处理器系统的改进的折流板，其中，折流板的设计和制造能够有利地在处理空间中提供均匀的处理等离子体，并且对折流板的腐蚀程度最小。
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公开(公告)号：CN101244945B
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN200710165026.1
申请日：2005-11-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种可抑制微粒的产生、同时可以防止基板处理装置的运转率下降、并且可以容易制造的基板处理装置用部件的制造方法。该基板处理装置用部件的制造方法包括缺陷存在比降低步骤，使基板处理装置用部件的表面附近存在的空孔状缺陷的存在比降低，缺陷存在比降低步骤对基板处理装置用部件进行热处理，热熔融的构成基板处理装置用部件的分子等流动，从而使基板处理装置用部件的表面附近的空孔状缺陷填满、消失。
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公开(公告)号：CN101510501B
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：CN200910000286.2
申请日：2009-01-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 三桥康至
CPC classification number: C25D11/24 , C25D11/005 , C25D11/246 , C25D21/02 , Y10T428/162 , Y10T428/218
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置用的部件和皮膜形成方法，能够可靠地防止因防蚀铝皮膜的破损而引起的颗粒的产生。作为对晶片(W)实施等离子体处理的基板处理装置(10)的部件的冷却板(36)包括：以在铝中含有硅的合金为主要成分的铝基材(56)；和通过使冷却板(36)与电源的阳极连接并且在以草酸为主要成分的溶液中进行浸渍的阳极氧化处理而在铝基材(56)的表面形成的防蚀铝皮膜(57)，该防蚀铝皮膜(57)含浸有硅酸乙酯。
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公开(公告)号：CN100533673C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN03119377.3
申请日：2003-03-14
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/302
CPC classification number: B08B7/04 , B24C1/003 , Y10S134/902
Abstract: 本发明提供一种彻底清洗等离子加工装置中待清洗元件表面上的沉积物的方法，不会有任何已经在待清洗元件表面上形成的阳极涂层或喷雾涂层的损伤。这种清洗方法包括浸入有机溶剂(例如丙酮)的化学清洗步骤(a)；接着吹入压缩空气，以便去除已经由化学处理过的缓冲板(14)脱落的沉积物的步骤(b)；接着，通过采用CO2鼓风装置(103)鼓风物理清除残留在缓冲板(14)边缘的沉积物，和缓冲板(14)浸入纯水(104)，并给予超声振动清除保留在缓冲板(14)上的沉积物的f步骤。
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