公开(公告)号：CN100364064C

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200410078499.4

申请日：2004-09-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 輿石公 ,  田中秀朗 ,  冈山信幸 ,  宫川正章 ,  水上俊介 ,  清水涉 ,  广濑润 ,  若木俊克 ,  三轮智典 ,  大薮淳 ,  林大辅

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/302

Abstract: 提供一种聚焦环和等离子体处理装置，在可以提高处理的面内均匀性的同时，与现有技术比较，还可以减小淀积对半导体晶片的周缘部分背面一侧的发生。在真空室(1)内，设置有载置半导体晶片W的载置台(2)，以把载置到该载置台(2)上的半导体晶片W的周围围住的方式设置聚焦环(8)。聚焦环(8)由介电物质构成的环状的下侧构件(9)、和配置在该下侧构件(9)的上部，由导电性材料构成的环状的上侧构件(10)构成，上侧构件(10)的上表面的外周一侧被作成为比半导体晶片W的被处理面还高的平坦部分(10a)，该平坦部分(10a)内周部分被作成为使得外周一侧变成为比内周一侧还高那样地进行倾斜的倾斜部分(10b)。

公开(公告)号：CN101740298B

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN200910207951.5

申请日：2009-11-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 村上贵宏 ,  若木俊克

IPC: H01J37/04 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32541 ,  H01J37/32477

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置及其构成部件，该等离子体处理装置的构成部件能够防止沉积物在角部堆积。在利用等离子体对晶片(W)实施干蚀刻处理的等离子体处理装置(10)所具备的上部电极(33)的外侧电极(33b)，内周部(33c)和倾斜面(33d)所成的角部(33e)的角度(θ1)是140°，槽(41)的底面(41a)和倾斜面(41b)所成的角部(41c)的角度(θ2)是125°，槽(41)的底面(41a)和倾斜面(41d)所成的角部(41e)的角度(θ3)是125°，槽(41)的底面(41a)的宽度是鞘层长度的2倍以上。

公开(公告)号：CN1591793A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN200410078499.4

申请日：2004-09-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 輿石公 ,  田中秀朗 ,  冈山信幸 ,  宫川正章 ,  水上俊介 ,  清水涉 ,  广濑润 ,  若木俊克 ,  三轮智典 ,  大薮淳 ,  林大辅

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/302

Abstract: 提供一种聚焦环和等离子体处理装置，在可以提高处理的面内均匀性的同时，与现有技术比较，还可以减小淀积对半导体晶片的周缘部分背面一侧的发生。在真空室(1)内，设置有载置半导体晶片W的载置台(2)，以把载置到该载置台(2)上的半导体晶片W的周围围住的方式设置聚焦环(8)。聚焦环(8)由由介电物质构成的环状的下侧构件(9)、和配置在该下侧构件(9)的上部，由导电性材料构成的环状的上侧构件(10)构成，上侧构件(10)的上表面的外周一侧被作成为比半导体晶片W的被处理面还高的平坦部分(10a)，该平坦部分(10a)内周部分被作成为使得外周一侧变成为比内周一侧还高那样地进行倾斜的倾斜部分(10b)。

公开(公告)号：CN101162689B

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN200710194607.8

申请日：2004-09-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 輿石公 ,  田中秀朗 ,  冈山信幸 ,  宫川正章 ,  水上俊介 ,  清水涉 ,  广濑润 ,  若木俊克 ,  三轮智典 ,  大薮淳 ,  林大辅

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/683 ,  H01J37/32 ,  H05H1/00 ,  H05H1/46 ,  C23F4/00

Abstract: 提供一种聚焦环和等离子体处理装置，在可以提高处理的面内均匀性的同时，与现有技术比较，还可以减小淀积对半导体晶片的周缘部分背面一侧的发生。在真空室(1)内，设置有载置半导体晶片W的载置台(2)，以把载置到该载置台(2)上的半导体晶片W的周围围住的方式设置聚焦环(8)。聚焦环(8)由由介电物质构成的环状的下侧构件(9)、和配置在该下侧构件(9)的上部，由导电性材料构成的环状的上侧构件(10)构成，上侧构件(10)的上表面的外周一侧被作成为比半导体晶片W的被处理面还高的平坦部分(10a)，该平坦部分(10a)内周部分被作成为使得外周一侧变成为比内周一侧还高那样地进行倾斜的倾斜部分(10b)。

公开(公告)号：CN101740298A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910207951.5

申请日：2009-11-02

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 村上贵宏 ,  若木俊克

IPC: H01J37/04 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32541 ,  H01J37/32477

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置及其构成部件，该等离子体处理装置的构成部件能够防止沉积物在角部堆积。在利用等离子体对晶片(W)实施干蚀刻处理的等离子体处理装置(10)所具备的上部电极(33)的外侧电极(33b)，内周部(33c)和倾斜面(33d)所成的角部(33e)的角度(θ1)是140°，槽(41)的底面(41a)和倾斜面(41b)所成的角部(41c)的角度(θ2)是125°，槽(41)的底面(41a)和倾斜面(41d)所成的角部(41e)的角度(θ3)是125°，槽(41)的底面(41a)的宽度是鞘层长度的2倍以上。

公开(公告)号：CN101162689A

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200710194607.8

申请日：2004-09-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 輿石公 ,  田中秀朗 ,  冈山信幸 ,  宫川正章 ,  水上俊介 ,  清水涉 ,  广濑润 ,  若木俊克 ,  三轮智典 ,  大薮淳 ,  林大辅

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/683 ,  H01J37/32 ,  H05H1/00 ,  H05H1/46 ,  C23F4/00

Abstract: 提供一种聚焦环和等离子体处理装置，在可以提高处理的面内均匀性的同时，与现有技术比较，还可以减小淀积对半导体晶片的周缘部分背面一侧的发生。在真空室(1)内，设置有载置半导体晶片W的载置台(2)，以把载置到该载置台(2)上的半导体晶片W的周围围住的方式设置聚焦环(8)。聚焦环(8)由由介电物质构成的环状的下侧构件(9)、和配置在该下侧构件(9)的上部，由导电性材料构成的环状的上侧构件(10)构成，上侧构件(10)的上表面的外周一侧被作成为比半导体晶片W的被处理面还高的平坦部分(10a)，该平坦部分(10a)内周部分被作成为使得外周一侧变成为比内周一侧还高那样地进行倾斜的倾斜部分(10b)。