公开(公告)号：CN1643663A

公开(公告)日：2005-07-20

申请号：CN03805758.1

申请日：2003-03-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 大薮淳 ,  輿石公

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32477

Abstract: 本发明提供可以降低处理室内CF系聚合物沉积物堆积的等离子体处理装置。该等离子体蚀刻处理装置(1)包含在内部可定义处理室(2)的直径下部大上部小的处理容器(3)，如果处理室(2)减压到规定的真空环境，向处理室(2)内导入包含CF系气体的处理气体，则处理气体等离子体化，对半导体晶片(34)施以所希望的微细加工。从通过等离子体导致的CF系气体分解成分所生成的CF系聚合物的固体颗粒发生飞散，粘着到内壁(3b)及处理室内部件的表面上，为了防止CF系聚合物沉积物堆积，在等离子体处理容器(3)内壁(3b)的表面上遍及规定面积覆盖Y2O3喷镀覆膜(41)。

公开(公告)号：CN100364064C

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200410078499.4

申请日：2004-09-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 輿石公 ,  田中秀朗 ,  冈山信幸 ,  宫川正章 ,  水上俊介 ,  清水涉 ,  广濑润 ,  若木俊克 ,  三轮智典 ,  大薮淳 ,  林大辅

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/302

Abstract: 提供一种聚焦环和等离子体处理装置，在可以提高处理的面内均匀性的同时，与现有技术比较，还可以减小淀积对半导体晶片的周缘部分背面一侧的发生。在真空室(1)内，设置有载置半导体晶片W的载置台(2)，以把载置到该载置台(2)上的半导体晶片W的周围围住的方式设置聚焦环(8)。聚焦环(8)由介电物质构成的环状的下侧构件(9)、和配置在该下侧构件(9)的上部，由导电性材料构成的环状的上侧构件(10)构成，上侧构件(10)的上表面的外周一侧被作成为比半导体晶片W的被处理面还高的平坦部分(10a)，该平坦部分(10a)内周部分被作成为使得外周一侧变成为比内周一侧还高那样地进行倾斜的倾斜部分(10b)。

公开(公告)号：CN101162689B

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN200710194607.8

申请日：2004-09-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 輿石公 ,  田中秀朗 ,  冈山信幸 ,  宫川正章 ,  水上俊介 ,  清水涉 ,  广濑润 ,  若木俊克 ,  三轮智典 ,  大薮淳 ,  林大辅

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/683 ,  H01J37/32 ,  H05H1/00 ,  H05H1/46 ,  C23F4/00

Abstract: 提供一种聚焦环和等离子体处理装置，在可以提高处理的面内均匀性的同时，与现有技术比较，还可以减小淀积对半导体晶片的周缘部分背面一侧的发生。在真空室(1)内，设置有载置半导体晶片W的载置台(2)，以把载置到该载置台(2)上的半导体晶片W的周围围住的方式设置聚焦环(8)。聚焦环(8)由由介电物质构成的环状的下侧构件(9)、和配置在该下侧构件(9)的上部，由导电性材料构成的环状的上侧构件(10)构成，上侧构件(10)的上表面的外周一侧被作成为比半导体晶片W的被处理面还高的平坦部分(10a)，该平坦部分(10a)内周部分被作成为使得外周一侧变成为比内周一侧还高那样地进行倾斜的倾斜部分(10b)。

公开(公告)号：CN101162689A

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200710194607.8

申请日：2004-09-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 輿石公 ,  田中秀朗 ,  冈山信幸 ,  宫川正章 ,  水上俊介 ,  清水涉 ,  广濑润 ,  若木俊克 ,  三轮智典 ,  大薮淳 ,  林大辅

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/683 ,  H01J37/32 ,  H05H1/00 ,  H05H1/46 ,  C23F4/00

Abstract: 提供一种聚焦环和等离子体处理装置，在可以提高处理的面内均匀性的同时，与现有技术比较，还可以减小淀积对半导体晶片的周缘部分背面一侧的发生。在真空室(1)内，设置有载置半导体晶片W的载置台(2)，以把载置到该载置台(2)上的半导体晶片W的周围围住的方式设置聚焦环(8)。聚焦环(8)由由介电物质构成的环状的下侧构件(9)、和配置在该下侧构件(9)的上部，由导电性材料构成的环状的上侧构件(10)构成，上侧构件(10)的上表面的外周一侧被作成为比半导体晶片W的被处理面还高的平坦部分(10a)，该平坦部分(10a)内周部分被作成为使得外周一侧变成为比内周一侧还高那样地进行倾斜的倾斜部分(10b)。

公开(公告)号：CN100355039C

公开(公告)日：2007-12-12

申请号：CN03805758.1

申请日：2003-03-10

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 大薮淳 ,  輿石公

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32477

Abstract: 本发明提供可以降低处理室内CF系聚合物沉积物堆积的等离子体处理装置。该等离子体蚀刻处理装置(1)包含在内部可定义处理室(2)的直径下部大上部小的处理容器(3)，如果处理室(2)减压到规定的真空环境，向处理室(2)内导入包含CF系气体的处理气体，则处理气体等离子体化，对半导体晶片(34)施以所希望的微细加工。从通过等离子体导致的CF系气体分解成分所生成的CF系聚合物的固体颗粒发生飞散，粘着到内壁(3b)及处理室内部件的表面上，为了防止CF系聚合物沉积物堆积，在等离子体处理容器(3)内壁(3b)的表面上遍及规定面积覆盖Y2O3喷镀覆膜(41)。

公开(公告)号：CN1306567C

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200410037990.2

申请日：2004-05-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 輿石公 ,  北野雅敏

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01J37/32174 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32935 ,  H05H1/46 ,  Y10S438/905

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置及其控制方法，它能够原样维持运转状态从处理室中除去附着物。在即将开始对晶片的等离子体处理之前，对下部电极施加过冲电压。通过该过冲电压，除去在下部电极的周边部附着堆积的附着物，所以可防止在等离子体刚点火后在处理室内的异常放电的发生。过冲电压是例如通过调整匹配器的电抗而被生成。

公开(公告)号：CN1591793A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN200410078499.4

申请日：2004-09-06

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 輿石公 ,  田中秀朗 ,  冈山信幸 ,  宫川正章 ,  水上俊介 ,  清水涉 ,  广濑润 ,  若木俊克 ,  三轮智典 ,  大薮淳 ,  林大辅

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/302

Abstract: 提供一种聚焦环和等离子体处理装置，在可以提高处理的面内均匀性的同时，与现有技术比较，还可以减小淀积对半导体晶片的周缘部分背面一侧的发生。在真空室(1)内，设置有载置半导体晶片W的载置台(2)，以把载置到该载置台(2)上的半导体晶片W的周围围住的方式设置聚焦环(8)。聚焦环(8)由由介电物质构成的环状的下侧构件(9)、和配置在该下侧构件(9)的上部，由导电性材料构成的环状的上侧构件(10)构成，上侧构件(10)的上表面的外周一侧被作成为比半导体晶片W的被处理面还高的平坦部分(10a)，该平坦部分(10a)内周部分被作成为使得外周一侧变成为比内周一侧还高那样地进行倾斜的倾斜部分(10b)。