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公开(公告)号：CN102856145A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210228415.5
申请日：2012-07-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/21 , C01B33/021
Abstract: 本发明提供一种硅制部件的制造方法和蚀刻处理装置用的硅制部件，其恰当地选择使用在蚀刻处理装置用的硅制部件中的废弃硅材料。该硅制部件的制造方法为对配置于蚀刻处理装置内的硅制部件进行由废弃硅材料再生利用而制造的蚀刻处理装置（10）用的硅制部件的制造方法，该硅制部件的制造方法的特征在于，包含：将上述废弃硅材料或含该废弃硅材料的材料投入到坩埚（55）进行熔化的工序；冷却并凝固上述已熔化的材料的工序；将包含上述凝固后的材料的至少上表面的部分切除，生成多晶硅的工序；和由上述生成的多晶硅制造上述硅制部件的工序。
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公开(公告)号：CN101250680B
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN200810083610.7
申请日：2001-12-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 今福光祐
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，其特征在于，使用如下所述的等离子体处理容器的再生方法进行等离子体处理，该等离子体处理容器的再生方法是：向用稀土族氧化物、聚酰亚胺和聚苯并咪唑中的任何一种喷镀膜覆盖基材表面得到的等离子体处理容器的内部部件的、随着在等离子体中的使用而劣化的喷镀膜上，再喷镀与所述喷镀膜相同的材料。
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公开(公告)号：CN1293611C
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：CN02818626.5
申请日：2002-09-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种抑制了使用初期的微粒产生和其后的碎屑产生的等离子体处理装置用石英部件的加工方法、等离子体处理装置用石英部件和安装有该石英部件的等离子体处理装置。利用例如粒度为320～400#的磨料进行表面加工，除去在进行金刚石研磨以后在用作屏蔽环和聚焦环等的等离子体处理装置用石英部件151上产生的许多裂纹155。然后，再用小粒径的磨料进行表面加工，在维持能够附着并保持堆积物的凹凸的同时，去除破碎层163。
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公开(公告)号：CN102034700A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010287341.3
申请日：2010-09-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 今福光祐
IPC: H01L21/3065 , H01L21/02
CPC classification number: C01B33/02 , C30B15/00 , C30B29/06 , C30B35/007
Abstract: 本发明提供相比以往能够降低等离子蚀刻装置的消耗品成本、并且能够减少工业废弃物的产生量、有效地充分利用资源的等离子蚀刻装置用硅制零件及其再生方法。该方法包括下述工序：回收等离子蚀刻装置用硅制零件的硅制废料的工序；根据所回收的硅制废料的电学特性求出杂质的含量的测量工序；根据在测量工序中求得的杂质的含量和最终产品的电学特性的目标值来决定硅制废料的投入量、硅原料的投入量和杂质的投入量的投入量决定工序；将硅制废料、硅原料和杂质以在投入量决定工序中决定的投入量投入到坩锅中、制造硅锭的工序。
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公开(公告)号：CN101250680A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200810083610.7
申请日：2001-12-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 今福光祐
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，其特征在于，使用如下所述的等离子体处理容器的再生方法进行等离子体处理，该等离子体处理容器的再生方法是：向用稀土族氧化物、聚酰亚胺和聚苯并咪唑中的任何一种喷镀膜覆盖基材表面得到的等离子体处理容器的内部部件的、随着在等离子体中的使用而劣化的喷镀膜上，再喷镀与所述喷镀膜相同的材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1310292C
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN01816762.4
申请日：2001-10-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32743 , C23C16/4404 , H01J37/32477 , H01L21/67126
Abstract: 使装置的维修更加容易，能够延长维修周期，提高产出率。处理室(2)和预真空室(3)由在壁上形成的搬送口(20)连接。在搬送口(20)的内壁，设置有由多个部件构成的、自由装卸的闸门衬套(100)。在进行搬送口内壁的维修时，能够只把闸门衬套(100)取出而容易进行洗净、更换。在闸门衬套(100)的表面和闸阀(4)的覆盖搬送口(20)的部分表面上施有由耐等离子体腐蚀性高的稀土类氧化物喷镀被覆膜形成的绝缘被覆膜(200、300)。因此，这些表面难以被等离子体损伤，可以降低金属的污染和粉尘的产生。
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公开(公告)号：CN1479801A
公开(公告)日：2004-03-03
申请号：CN01820477.5
申请日：2001-12-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 今福光祐
CPC classification number: H01J37/32862 , C23C4/00 , C23C4/01 , C23C4/11 , C23C4/12 , C23C16/4404
Abstract: 在用氧化铝、稀土族氧化物、聚酰亚胺或聚苯并咪唑中任一种喷镀膜覆盖基材表面的等离子体处理容器内部部件的、随着在等离子体中使用而劣化的喷镀膜上，再喷镀与上述喷镀膜同样的材料。由此，能够使因在等离子体中的使用而表面产生劣化的等离子体处理容器再生得如同新品一样。
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公开(公告)号：CN102034700B
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201010287341.3
申请日：2010-09-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 今福光祐
IPC: H01L21/3065 , H01L21/02
CPC classification number: C01B33/02 , C30B15/00 , C30B29/06 , C30B35/007
Abstract: 本发明提供相比以往能够降低等离子蚀刻装置的消耗品成本、并且能够减少工业废弃物的产生量、有效地充分利用资源的等离子蚀刻装置用硅制零件及其再生方法。该方法包括下述工序：回收等离子蚀刻装置用硅制零件的硅制废料的工序；根据所回收的硅制废料的电学特性求出杂质的含量的测量工序；根据在测量工序中求得的杂质的含量和最终产品的电学特性的目标值来决定硅制废料的投入量、硅原料的投入量和杂质的投入量的投入量决定工序；将硅制废料、硅原料和杂质以在投入量决定工序中决定的投入量投入到坩锅中、制造硅锭的工序。
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公开(公告)号：CN100386467C
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN01820477.5
申请日：2001-12-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 今福光祐
CPC classification number: H01J37/32862 , C23C4/00 , C23C4/01 , C23C4/11 , C23C4/12 , C23C16/4404
Abstract: 在用氧化铝、稀土族氧化物、聚酰亚胺或聚苯并咪唑中任一种喷镀膜覆盖基材表面的等离子体处理容器内部部件的、随着在等离子体中使用而劣化的喷镀膜上，再喷镀与上述喷镀膜同样的材料。由此，能够使因在等离子体中的使用而表面产生劣化的等离子体处理容器再生得如同新品一样。
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公开(公告)号：CN1557018A
公开(公告)日：2004-12-22
申请号：CN02818626.5
申请日：2002-09-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: C03C15/02 , C03B29/025 , C03C19/00 , Y02P40/57
Abstract: 本发明提供一种抑制了使用初期的微粒产生和其后的碎屑产生的等离子体处理装置用石英部件的加工方法、等离子体处理装置用石英部件和安装有该石英部件的等离子体处理装置。利用例如粒度为320～400#的磨料进行表面加工，除去在进行金刚石研磨以后在用作屏蔽环和聚焦环等的等离子体处理装置用石英部件151上产生的许多裂纹155。然后，再用小粒径的磨料进行表面加工，在维持能够附着并保持堆积物的凹凸的同时，去除破碎层163。
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