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公开(公告)号：CN114068342B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202110875091.3
申请日：2021-07-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明提供一种提高了处理能力的检查装置的控制方法以及检查装置。该检查装置包括:载置台,其用于载置具有多个被检查体的基板,并且形成有多个分区；以及加热部,其能够针对各个上述分区进行升温控制,该检查装置的控制方法具有如下工序:在对多个上述被检查体中的检查对象的第一被检查体进行检查时,通过上述加热部使与上述第一被检查体对应的分区、以及与下一个检查对象的第二被检查体对应的分区升温。
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公开(公告)号：CN119234299A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202380041341.0
申请日：2023-05-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种检查装置，其用于对检查对象器件进行检查，所述检查对象器件是背面照射型的拍摄器件，形成在检查对象体上，光能够从所述拍摄器件的作为设置有配线层的一侧的相反侧的面的背面入射至所述拍摄器件，所述检查装置包括载置台，其用于以与所述拍摄器件的所述背面相对的方式支承所述检查对象体，所述载置台包括：由透光材料构成的顶板，其具有用于载置所述检查对象体的载置面；照射部，其配置在隔着所述顶板与所述检查对象体相对的位置，用于向被载置在所述载置面上的所述检查对象体照射光；和温度调节部，其用于对被载置在所述载置面上的所述检查对象体的所述检查对象器件的温度进行调节，所述顶板在所述载置面和其相反侧的面中的至少任一者上形成有由金属材料构成的能够使光透过的厚度的图案。
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公开(公告)号：CN113280923B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202110174227.8
申请日：2021-02-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供可获取表示对形成于硅晶片的电子器件的发热所引起的温度分布进行了模拟的温度分布的红外线图像的技术。本发明提供一种仿真晶片，其包括：面状加热器；和夹持上述面状加热器的铝合金制、铝制或者碳化硅制的一对板状部材。
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公开(公告)号：CN117043611A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202280023471.7
申请日：2022-03-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明的LED卡盘包括：载置被检查体的顶板；LED阵列电路板，其与上述被检查体相对地配置，设置有对载置于上述顶板的被检查体进行加热的多个LED；配置在上述LED阵列电路板的背面侧的冷却板；LED控制电路板，其配置在上述冷却板的背面侧，控制上述多个LED；和以包围上述LED控制电路板的方式配置的底板，上述冷却板的与上述LED控制电路板相对的面和上述底板的与上述LED控制电路板相对的面由磁性体材料构成。
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公开(公告)号：CN114814509A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210020744.4
申请日：2022-01-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 中山博之
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供在进行被检查体的检查时选择适当的温度传感器进行温度控制的检查装置、控制方法和控制程序。本发明的检查装置包括：获取部，其获取进行被检查体的检查时的、表示载置台中的该被检查体的位置的第一坐标信息和表示该载置台中的多个温度传感器的位置的多个第二坐标信息；计算部，其计算由上述第一坐标信息的平均矢量确定的位置与上述多个温度传感器的位置之间的马氏距离；选择部，其选择包含上述马氏距离最小的温度传感器在内的至少一个温度传感器；以及控制部，其使用由所选择的温度传感器测量出的温度数据来进行上述被检查体的温度控制。
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公开(公告)号：CN114068342A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110875091.3
申请日：2021-07-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明提供一种提高了处理能力的检查装置的控制方法以及检查装置。该检查装置包括:载置台,其用于载置具有多个被检查体的基板,并且形成有多个分区；以及加热部,其能够针对各个上述分区进行升温控制,该检查装置的控制方法具有如下工序:在对多个上述被检查体中的检查对象的第一被检查体进行检查时,通过上述加热部使与上述第一被检查体对应的分区、以及与下一个检查对象的第二被检查体对应的分区升温。
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公开(公告)号：CN101546685B
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN200910127092.9
申请日：2009-03-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H05H1/46 , H01L21/00 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32027 , H01J37/32091
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和等离子体蚀刻方法，使得能够容易且自由地控制被处理基板上的电子密度或者工艺特性的分布特性。该电容耦合型等离子体处理装置在径方向上将上部电极分割成内侧上部电极(60)和外侧上部电极(62)这两个，从2个可变直流电源(80、82)将独立的第一和第二直流电压(VC、VE)同时施加在两个上部电极(60、62)上。通过适当选择这两个直流电压(VC、VE)的组合，能够在各种应用中提高等离子体工艺、蚀刻特性的均匀性。
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公开(公告)号：CN101800187B
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201010113903.2
申请日：2010-02-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/677 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/67184 , H01L21/67069 , H01L21/67196 , H01L21/67201 , H01L21/67213 , H01L21/67742 , H01L21/6831
Abstract: 本发明提供一种搬送腔室和颗粒附着防止方法，其能够不损害被处理基板地对被处理基板进行除电，防止由静电力造成的颗粒向被处理基板的附着。在基板处理系统(1)中，在基板处理部(2)和大气系统搬送部(3)之间设置的搬送腔室(4)具备收纳作为被处理基板的晶片(W)的腔室主体(51)。腔室主体(51)能够通过给气系统(52)和排气装置(53)在减压环境和大气压环境之间切换。给气系统(52)在腔室主体(51)的外侧具备产生离子化气体的离子化装置(60)。将在离子化装置(60)产生的离子化气体供向腔室主体(51)，对收纳于腔室主体(51)的晶片(W)进行除电。
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公开(公告)号：CN101546705B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200910009403.1
申请日：2009-02-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , G01N21/66 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32642 , H01J37/32467 , H01J37/32623 , H01J37/32963
Abstract: 本发明提供一种能够精确地检测腔室内部件的寿命，并能够防止由交换没有达到寿命的部件而引起的浪费、以及由于继续使用已经过寿命的部件而引起故障的发生的腔室内部件。用于等离子体处理装置的聚焦环(26)等的腔室内部件，使用组装有该腔室内部件的基板处理装置(10)对晶片(W)进行RIE处理，其中，该腔室内部件由与构成材料不同的元素、例如钪(Sc)构成的寿命检测元素层(51、52)，利用等离子体发光分光器(46)对处理气体中的发光光谱进行监视，通过检测由寿命检测元素层(51、52)引起的光谱来检测聚焦环(26)等的腔室内部件的寿命。
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公开(公告)号：CN1682339B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN03822079.2
申请日：2003-09-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32431
Abstract: 本发明提出了用于等离子体工艺系统的一种改进的挡板，其中挡板的设计和制作在工艺空间内方便地提供了一个均匀的工艺等离子体，以及基本上最小地腐蚀挡板。
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