公开(公告)号：CN109427627A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201810958419.6

申请日：2018-08-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 寺冈一大 ,  鸟野崇 ,  上村史洋 ,  笠原政俊 ,  须中郁雄 ,  中泽贵士

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种抑制在紧接开始进行处理液的循环之后循环管线内的处理液被污染的液处理装置和液处理方法。实施方式所涉及的液处理装置具备罐、循环管线、泵、过滤器、背压阀以及控制部。罐用于贮存处理液。循环管线用于使从罐送出的处理液返回罐。泵用于形成循环管线中的处理液的循环流。过滤器设置于循环管线中的泵的下游侧。背压阀设置于循环管线中的过滤器的下游侧。控制部控制泵和背压阀。而且，控制部控制泵的喷出压力，以使在开始进行循环管线中的处理液的循环时，泵的喷出压力上升到规定的第一压力，并且在经过规定的时间后，泵的喷出压力增加到比第一压力大的第二压力。

公开(公告)号：CN113348534A

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：CN202080009765.5

申请日：2020-01-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 鸟野崇 ,  大川理

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/306

Abstract: 对将第二基板与形成有器件层的第一基板接合而成的重合基板进行处理的基板处理装置具有：保持部，其保持所述第二基板的背面；处理部，其对保持于所述保持部的所述第一基板进行处理；第一处理液供给部，其向所述第一基板中与所述器件层相反的一侧的表面供给第一处理液，来蚀刻该第一基板的表面；以及第二处理液供给部，其向所述第二基板的背面供给第二处理液，来去除该第二基板的背面的金属污染。

公开(公告)号：CN119340263A

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202410926782.5

申请日：2024-07-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 三村勇之 ,  鸟野崇 ,  野田隆广 ,  道中悟志

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/67

Abstract: 本公开涉及一种接合方法和接合系统，能够抑制接合强度的下降。接合方法包括：准备具有第一面的第一半导体基板和具有第二面的第二半导体基板；使第一半导体基板的第一面和第二半导体基板的第二面亲水化；在进行亲水化之后，将第一半导体基板的第一面与第二半导体基板的第二面进行接合；以及在进行接合之后，通过对第一半导体基板和第二半导体基板进行热处理来提高第一半导体基板与第二半导体基板之间的接合强度，其中，提高接合强度包括：在第一温度范围内对第一半导体基板和第二半导体基板进行热处理；以及在第一温度范围内进行热处理之后，以目标温度对第一半导体基板和第二半导体基板进行热处理，其中，第一温度范围是比目标温度低的温度范围。

公开(公告)号：CN112400217A

公开(公告)日：2021-02-23

申请号：CN201980046663.8

申请日：2019-07-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 田之上隼斗 ,  鸟野崇 ,  大川理 ,  榎木田卓

IPC: H01L21/304 ,  B23K26/53 ,  H01L21/683

Abstract: 一种基板处理系统，用于对基板进行处理，所述基板处理系统具有：第一改性装置，其用于针对将第一基板的表面与第二基板的表面进行接合所得到的重合基板，在所述第一基板的内部形成沿面方向从中心部至少朝向该第一基板的作为去除对象的周缘部延伸的内部面改性层；第二改性装置，其用于在所述第一基板的内部形成沿所述周缘部与中央部的边界在厚度方向上延伸的周缘改性层；以及分离装置，其以所述内部面改性层为基点将所述第一基板的背面侧分离。