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公开(公告)号：CN103904160A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201410107249.2
申请日：2014-03-21
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/115
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1832 , H01L31/115 , H01L31/1836
Abstract: 本发明公开了一种应用于X射线探测的CdZnTe薄膜的制备方法。所述制备方法是基于近空间升华（CSS）技术。该方法以CdZnTe单晶切片为升华源，使用氩气作为工作气体，并通过一定的表面处理获得理想的整流电极接触。该方法具有工艺简单、成本更低、可重复性高等特点，可以制备应用于大面积、低漏电流、高分辨率的X射线探测器的薄膜，有望X射线薄膜探测器的产业化生产。
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公开(公告)号：CN102323609A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201110253713.5
申请日：2011-08-31
Applicant: 上海大学
IPC: G01T1/24
Abstract: 本发明涉及一种四元并行碲锌镉核辐射探测器装置,它包括四个碲锌镉探测器，每个碲锌镉探测器分别经过一个前置放大器再经过一个差分放大器和一个主放大器，然后一起连接一个加法电路，最后该加法电路连接到一个多道能谱仪和数字示波器，四个碲锌镉探测器测得的信号，经放大后由多道能谱仪和数字式波器进行处理。该探测器比传统的单元探测器探测面积大，探测效率高，探测时间短，适用于便携式核辐射探测谱仪，可广泛应用于核废料监控，环境监测以及机场港口铁路货物等的反射性检测。
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公开(公告)号：CN103746036B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201410001040.8
申请日：2014-01-02
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种金刚石辐射探测器的欧姆接触电极制备方法。该制备方法主要包括非晶碳石墨层的制备、金属Pt和Au的制备以及退火处理，此外利用磁控溅射和离子溅射方法在金刚石薄膜上沉积制备C-Pt-Au三层体系，并在氮气气氛下退火，形成欧姆接触电极。本发明采用的非晶碳石墨作为金属与金刚石的中间层，起到增强附着力的作用，以及三层C-Pt-Au欧姆电极具有较高的IV性能、较低的薄膜漏电流，其电阻率得到明显改善、使器件的性能得到提高。
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公开(公告)号：CN103746036A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201410001040.8
申请日：2014-01-02
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022408 , H01L31/1804
Abstract: 本发明涉及一种金刚石辐射探测器的欧姆接触电极制备方法。属于金刚石辐射探测器制造工艺技术领域。本发明的要点是利用磁控溅射和离子溅射方法在金刚石薄膜上沉积制备C-Pt-Au三层体系，并在氮气气氛下退火，形成欧姆接触电极。本发明的三层C-Pt-Au欧姆电极是有较高的IV性能、较低的薄膜漏电流，其电阻率得到明显改善、使器件的性能得到提高。
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公开(公告)号：CN103343389A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310280052.4
申请日：2013-07-05
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种柱状结构CdZnTe薄膜及其制备方法，本方法包括如下步骤：（a）CdZnTe单晶升华源的准备；（b）衬底预处理；（c）CdZnTe薄膜生长；（d）CdZnTe薄膜抛光、腐蚀及退火；制得的柱状结构的CdZnTe薄膜厚度为100~500mm。本发明方法相比CdZnTe单晶生长工艺简单、成本更低、可大面积制备、批量生长可行性高。本发明制备的柱状CdZnTe薄膜相比常规的CdZnTe薄膜，具有更少的晶界缺陷和更好的电阻率，电阻率最高可达6×109Ω·cm。
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