公开(公告)号：CN102323609A

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：CN201110253713.5

申请日：2011-08-31

Applicant: 上海大学

Inventor： 沈萍 ,  王林军 ,  施朱斌 ,  张继军 ,  梁小燕 ,  闵嘉华 ,  毕美 ,  梁巍 ,  王君楠

IPC: G01T1/24

Abstract: 本发明涉及一种四元并行碲锌镉核辐射探测器装置,它包括四个碲锌镉探测器，每个碲锌镉探测器分别经过一个前置放大器再经过一个差分放大器和一个主放大器，然后一起连接一个加法电路，最后该加法电路连接到一个多道能谱仪和数字示波器，四个碲锌镉探测器测得的信号，经放大后由多道能谱仪和数字式波器进行处理。该探测器比传统的单元探测器探测面积大，探测效率高，探测时间短，适用于便携式核辐射探测谱仪，可广泛应用于核废料监控，环境监测以及机场港口铁路货物等的反射性检测。

公开(公告)号：CN101397651A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200810201997.1

申请日：2008-10-30

Applicant: 上海大学

Inventor： 闵嘉华 ,  桑文斌 ,  戴灵恩 ,  王长君 ,  梁小燕 ,  施朱斌 ,  钱永彪 ,  滕建勇 ,  秦凯丰

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/52

Abstract: 本发明涉及一种CdZnTe晶体生长用石英安瓿内壁镀覆碳膜的方法及其装置，属特殊晶体生长用容器的镀膜工艺技术领域。本发明采用一种真空热分解镀膜技术，将待镀碳的石英安瓿放置于加热炉的石英炉管中，并藉真空抽气系统，保持其真空度在10－1～10－3Pa范围内，同时吸入作为碳源的无水乙醇，其流量控制在0.5～5ml/min范围内；将石英安瓿在真空中加热到热分解镀膜温度，该温度为950～1100℃，并在该温度下维持加热10～60分钟，使碳充分沉积，待冷却至室温后，即得镀碳膜的石英安瓿。本发明方法可以制得具有高结合力和致度的碳膜的石英安瓿，碳膜不易脱落，有利于CdZnTe晶体的合成生长。