公开(公告)号：CN103531662A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201310507778.7

申请日：2013-10-24

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  沈萍 ,  张继军 ,  沈敏 ,  吴文其 ,  周捷 ,  姚蓓玲 ,  唐可 ,  黄健

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L21/02008 ,  C30B11/00 ,  C30B29/46 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及一种移动加热器法（THM）生长的CdZnTe晶体欧姆结构器件的制备方法，属于辐射探测器材料及其器件制造工艺技术领域，本发明是采用移动加热器法制备CdZnTe晶体，并将CdZnTe晶体进行切片、倒角、磨片、抛光和腐蚀等后期工艺，最后在CdZnTe晶体上表面采用蒸镀或溅射方法制备100~300nm厚的金电极，为制作CdZnTe晶体欧姆结构器件提供了一种新的方法，也为最后制作CdZnTe探测器奠定基础。本发明的特点在于：采用移动加热器法制备单晶率高、尺寸大、晶体缺陷少、电阻率高的CdZnTe晶体样品。晶体的尺寸一般为10mm×10mm×3mm，电阻率2×1010Ω·cm；金电极的厚度为100~300nm。

公开(公告)号：CN103474513A

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201310443533.2

申请日：2013-09-26

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  沈萍 ,  张继军 ,  沈永杰 ,  唐荣烨 ,  姚蓓玲 ,  周捷 ,  黄健 ,  唐可

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种欧姆结构CdMnTe薄膜紫外光探测器的制备方法，属于紫外光探测器光敏材料及器件制造工艺技术领域。本发明是采用近空间升华方法制备CdMnTe薄膜，并制作CdMnTe薄膜欧姆结构紫外光探测器，为制作高性能的紫外光探测器提供了新的方法。本发明制备高平整、颗粒尺寸均匀、电阻率高的CdMnTe薄膜样品。薄膜的厚度为>200m，电阻率>109Ω·cm。

公开(公告)号：CN103343389A

公开(公告)日：2013-10-09

申请号：CN201310280052.4

申请日：2013-07-05

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  王君楠 ,  黄健 ,  姚蓓玲 ,  唐可 ,  朱悦 ,  张凯勋 ,  陶骏 ,  沈心蔚

IPC: C30B29/46 ,  C30B28/12

Abstract: 本发明涉及一种柱状结构CdZnTe薄膜及其制备方法，本方法包括如下步骤：（a）CdZnTe单晶升华源的准备；（b）衬底预处理；（c）CdZnTe薄膜生长；（d）CdZnTe薄膜抛光、腐蚀及退火；制得的柱状结构的CdZnTe薄膜厚度为100~500mm。本发明方法相比CdZnTe单晶生长工艺简单、成本更低、可大面积制备、批量生长可行性高。本发明制备的柱状CdZnTe薄膜相比常规的CdZnTe薄膜，具有更少的晶界缺陷和更好的电阻率，电阻率最高可达6×109Ω·cm。

公开(公告)号：CN103219423A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201310117565.3

申请日：2013-04-07

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  沈萍 ,  袁振文 ,  姚蓓玲 ,  周捷 ,  徐海涛 ,  张继军 ,  黄健 ,  唐可

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/108 ,  H01L31/0272 ,  H01L31/0224

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种CdMnTe薄膜紫外光探测器的制备方法，属于无机非金属材料器件制造工艺技术领域。本发明是采用近空间升华方法制备CdMnTe薄膜，并制作CdMnTe薄膜肖特基结构紫外光探测器，为制作高性能的紫外光探测器提供了新的方法。本发明制备高平整、颗粒尺寸小、电阻率高的CdMnTe薄膜样品。薄膜的面积>2cm2，薄膜的厚度为>20mm，电阻率达1010Ω·cm；金属电极的厚度为50~300nm。

公开(公告)号：CN103500776A

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201310445623.5

申请日：2013-09-26

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  姚蓓玲 ,  周捷 ,  沈萍 ,  史冬良 ,  黄健 ,  唐可 ,  张凯勋

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/1832 ,  H01L31/1836

Abstract: 本发明涉及一种Si基CdZnTe薄膜紫外光探测器的制备方法，属于紫外光探测器光敏材料及器件制造工艺技术领域；本发明是采用近空间升华方法，在P型Si衬底上制备N型CdZnTe薄膜，形成CdZnTe薄膜/Si异质结结构紫外光探测器，为制作高性能的紫外光探测器提供了新的方法；本发明是一种基于硅衬底的异质结CdZnTe薄膜紫外光探测器，其特点在于，采用近空间升华方法在Si片上制备高平整、颗粒尺寸均匀、质量高的CdZnTe薄膜样品，所制成的异质结型探测器具有高的灵敏度。

公开(公告)号：CN103336296A

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：CN201310211429.0

申请日：2013-05-31

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  周捷 ,  黄健 ,  唐可 ,  姚蓓玲 ,  沈萍 ,  任兵 ,  徐海涛 ,  夏义本

IPC: G01T3/08

Abstract: 本发明涉及核辐射探测领域，尤其涉及一种探测慢中子和热中子的中子探测器。所述探测器具有金刚石薄膜、含硼薄膜和复合电极构成。被探测的中子经所述硼薄膜转化为带电的α粒子，所述α粒子电离所述金刚石，在所述复合电极上产生电流信号，从而实现对中子的探测。相对于已有的氦介质中子探测器，本发明可显著降低成本，并且提高探测效率。

公开(公告)号：CN103219422A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201310117393.X

申请日：2013-04-07

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  姚蓓玲 ,  黄健 ,  唐可 ,  沈萍 ,  朱悦 ,  张凯勋 ,  夏义本

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种欧姆结构CdZnTe薄膜紫外光探测器的制备方法，属于无机非金属材料器件制造工艺技术领域。本发明是采用近空间升华方法制备CdZnTe薄膜，并制作CdZnTe薄膜欧姆结构紫外光探测器，为制作高性能的紫外光探测器提供了新的方法。本发明制备高平整、颗粒尺寸均匀、电阻率高的CdZnTe薄膜样品。薄膜的厚度为>300m，电阻率>109Ωcm。