公开(公告)号：CN103746036B

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201410001040.8

申请日：2014-01-02

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  杨溢铭 ,  周捷 ,  任兵 ,  王君楠 ,  黄健 ,  唐可 ,  张继军 ,  夏义本

IPC: H01L31/18

Abstract: 本发明涉及一种金刚石辐射探测器的欧姆接触电极制备方法。该制备方法主要包括非晶碳石墨层的制备、金属Pt和Au的制备以及退火处理，此外利用磁控溅射和离子溅射方法在金刚石薄膜上沉积制备C-Pt-Au三层体系，并在氮气气氛下退火，形成欧姆接触电极。本发明采用的非晶碳石墨作为金属与金刚石的中间层，起到增强附着力的作用，以及三层C-Pt-Au欧姆电极具有较高的IV性能、较低的薄膜漏电流，其电阻率得到明显改善、使器件的性能得到提高。

公开(公告)号：CN103746036A

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：CN201410001040.8

申请日：2014-01-02

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  杨溢铭 ,  周捷 ,  任兵 ,  王君楠 ,  黄健 ,  唐可 ,  张继军 ,  夏义本

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L31/022408 ,  H01L31/1804

Abstract: 本发明涉及一种金刚石辐射探测器的欧姆接触电极制备方法。属于金刚石辐射探测器制造工艺技术领域。本发明的要点是利用磁控溅射和离子溅射方法在金刚石薄膜上沉积制备C-Pt-Au三层体系，并在氮气气氛下退火，形成欧姆接触电极。本发明的三层C-Pt-Au欧姆电极是有较高的IV性能、较低的薄膜漏电流，其电阻率得到明显改善、使器件的性能得到提高。