-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103343389A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310280052.4
申请日：2013-07-05
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种柱状结构CdZnTe薄膜及其制备方法，本方法包括如下步骤：（a）CdZnTe单晶升华源的准备；（b）衬底预处理；（c）CdZnTe薄膜生长；（d）CdZnTe薄膜抛光、腐蚀及退火；制得的柱状结构的CdZnTe薄膜厚度为100~500mm。本发明方法相比CdZnTe单晶生长工艺简单、成本更低、可大面积制备、批量生长可行性高。本发明制备的柱状CdZnTe薄膜相比常规的CdZnTe薄膜，具有更少的晶界缺陷和更好的电阻率，电阻率最高可达6×109Ω·cm。
-
公开(公告)号：CN103746037A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201410001041.2
申请日：2014-01-02
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/109 , H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及的是一种硅基ZnS薄膜紫外可见光光电探测器的制造方法，属于无机非金属材料器件制造工艺领域。本发明是采用磁控溅射法，在p型Si衬底上制备n型ZnS薄膜，形成ZnS薄膜/Sipn结结构紫外可见光探测器，为制作高性能的紫外可见光探测器提供了新的方法。本发明是一种基于硅衬底的pn结ZnS薄膜紫外光探测器，其特点在于，采用磁控溅射法在Si片上制备颗粒尺寸均匀、质量高的ZnS薄膜样品，所制成的pn结型探测器具有高的灵敏度，且可同时探测紫外光和可见光。
-
公开(公告)号：CN103500776A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201310445623.5
申请日：2013-09-26
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1832 , H01L31/1836
Abstract: 本发明涉及一种Si基CdZnTe薄膜紫外光探测器的制备方法，属于紫外光探测器光敏材料及器件制造工艺技术领域；本发明是采用近空间升华方法，在P型Si衬底上制备N型CdZnTe薄膜，形成CdZnTe薄膜/Si异质结结构紫外光探测器，为制作高性能的紫外光探测器提供了新的方法；本发明是一种基于硅衬底的异质结CdZnTe薄膜紫外光探测器，其特点在于，采用近空间升华方法在Si片上制备高平整、颗粒尺寸均匀、质量高的CdZnTe薄膜样品，所制成的异质结型探测器具有高的灵敏度。
-
公开(公告)号：CN103219422A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310117393.X
申请日：2013-04-07
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种欧姆结构CdZnTe薄膜紫外光探测器的制备方法，属于无机非金属材料器件制造工艺技术领域。本发明是采用近空间升华方法制备CdZnTe薄膜，并制作CdZnTe薄膜欧姆结构紫外光探测器，为制作高性能的紫外光探测器提供了新的方法。本发明制备高平整、颗粒尺寸均匀、电阻率高的CdZnTe薄膜样品。薄膜的厚度为>300m，电阻率>109Ωcm。
-
公开(公告)号：CN103746037B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201410001041.2
申请日：2014-01-02
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及的是一种硅基ZnS薄膜紫外可见光光电探测器的制造方法，属于无机非金属材料器件制造工艺领域。本发明是采用磁控溅射法，在p型Si衬底上制备n型ZnS薄膜，形成ZnS薄膜/Si pn结结构紫外可见光探测器，为制作高性能的紫外可见光探测器提供了新的方法。本发明是一种基于硅衬底的pn结ZnS薄膜紫外光探测器，其特点在于，采用磁控溅射法在Si片上制备颗粒尺寸均匀、质量高的ZnS薄膜样品，所制成的pn结型探测器具有高的灵敏度，且可同时探测紫外光和可见光。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.022 seconds)
