公开(公告)号：CN103531662A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201310507778.7

申请日：2013-10-24

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  沈萍 ,  张继军 ,  沈敏 ,  吴文其 ,  周捷 ,  姚蓓玲 ,  唐可 ,  黄健

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L21/02008 ,  C30B11/00 ,  C30B29/46 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及一种移动加热器法（THM）生长的CdZnTe晶体欧姆结构器件的制备方法，属于辐射探测器材料及其器件制造工艺技术领域，本发明是采用移动加热器法制备CdZnTe晶体，并将CdZnTe晶体进行切片、倒角、磨片、抛光和腐蚀等后期工艺，最后在CdZnTe晶体上表面采用蒸镀或溅射方法制备100~300nm厚的金电极，为制作CdZnTe晶体欧姆结构器件提供了一种新的方法，也为最后制作CdZnTe探测器奠定基础。本发明的特点在于：采用移动加热器法制备单晶率高、尺寸大、晶体缺陷少、电阻率高的CdZnTe晶体样品。晶体的尺寸一般为10mm×10mm×3mm，电阻率2×1010Ω·cm；金电极的厚度为100~300nm。

公开(公告)号：CN103746036B

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201410001040.8

申请日：2014-01-02

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  杨溢铭 ,  周捷 ,  任兵 ,  王君楠 ,  黄健 ,  唐可 ,  张继军 ,  夏义本

IPC: H01L31/18

Abstract: 本发明涉及一种金刚石辐射探测器的欧姆接触电极制备方法。该制备方法主要包括非晶碳石墨层的制备、金属Pt和Au的制备以及退火处理，此外利用磁控溅射和离子溅射方法在金刚石薄膜上沉积制备C-Pt-Au三层体系，并在氮气气氛下退火，形成欧姆接触电极。本发明采用的非晶碳石墨作为金属与金刚石的中间层，起到增强附着力的作用，以及三层C-Pt-Au欧姆电极具有较高的IV性能、较低的薄膜漏电流，其电阻率得到明显改善、使器件的性能得到提高。

公开(公告)号：CN103746036A

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：CN201410001040.8

申请日：2014-01-02

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  杨溢铭 ,  周捷 ,  任兵 ,  王君楠 ,  黄健 ,  唐可 ,  张继军 ,  夏义本

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L31/022408 ,  H01L31/1804

Abstract: 本发明涉及一种金刚石辐射探测器的欧姆接触电极制备方法。属于金刚石辐射探测器制造工艺技术领域。本发明的要点是利用磁控溅射和离子溅射方法在金刚石薄膜上沉积制备C-Pt-Au三层体系，并在氮气气氛下退火，形成欧姆接触电极。本发明的三层C-Pt-Au欧姆电极是有较高的IV性能、较低的薄膜漏电流，其电阻率得到明显改善、使器件的性能得到提高。

公开(公告)号：CN103500776A

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201310445623.5

申请日：2013-09-26

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  姚蓓玲 ,  周捷 ,  沈萍 ,  史冬良 ,  黄健 ,  唐可 ,  张凯勋

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/1832 ,  H01L31/1836

Abstract: 本发明涉及一种Si基CdZnTe薄膜紫外光探测器的制备方法，属于紫外光探测器光敏材料及器件制造工艺技术领域；本发明是采用近空间升华方法，在P型Si衬底上制备N型CdZnTe薄膜，形成CdZnTe薄膜/Si异质结结构紫外光探测器，为制作高性能的紫外光探测器提供了新的方法；本发明是一种基于硅衬底的异质结CdZnTe薄膜紫外光探测器，其特点在于，采用近空间升华方法在Si片上制备高平整、颗粒尺寸均匀、质量高的CdZnTe薄膜样品，所制成的异质结型探测器具有高的灵敏度。

公开(公告)号：CN103336296A

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：CN201310211429.0

申请日：2013-05-31

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  周捷 ,  黄健 ,  唐可 ,  姚蓓玲 ,  沈萍 ,  任兵 ,  徐海涛 ,  夏义本

IPC: G01T3/08

Abstract: 本发明涉及核辐射探测领域，尤其涉及一种探测慢中子和热中子的中子探测器。所述探测器具有金刚石薄膜、含硼薄膜和复合电极构成。被探测的中子经所述硼薄膜转化为带电的α粒子，所述α粒子电离所述金刚石，在所述复合电极上产生电流信号，从而实现对中子的探测。相对于已有的氦介质中子探测器，本发明可显著降低成本，并且提高探测效率。

公开(公告)号：CN103474513A

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201310443533.2

申请日：2013-09-26

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  沈萍 ,  张继军 ,  沈永杰 ,  唐荣烨 ,  姚蓓玲 ,  周捷 ,  黄健 ,  唐可

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种欧姆结构CdMnTe薄膜紫外光探测器的制备方法，属于紫外光探测器光敏材料及器件制造工艺技术领域。本发明是采用近空间升华方法制备CdMnTe薄膜，并制作CdMnTe薄膜欧姆结构紫外光探测器，为制作高性能的紫外光探测器提供了新的方法。本发明制备高平整、颗粒尺寸均匀、电阻率高的CdMnTe薄膜样品。薄膜的厚度为>200m，电阻率>109Ω·cm。

公开(公告)号：CN103219423A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201310117565.3

申请日：2013-04-07

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  沈萍 ,  袁振文 ,  姚蓓玲 ,  周捷 ,  徐海涛 ,  张继军 ,  黄健 ,  唐可

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/108 ,  H01L31/0272 ,  H01L31/0224

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种CdMnTe薄膜紫外光探测器的制备方法，属于无机非金属材料器件制造工艺技术领域。本发明是采用近空间升华方法制备CdMnTe薄膜，并制作CdMnTe薄膜肖特基结构紫外光探测器，为制作高性能的紫外光探测器提供了新的方法。本发明制备高平整、颗粒尺寸小、电阻率高的CdMnTe薄膜样品。薄膜的面积>2cm2，薄膜的厚度为>20mm，电阻率达1010Ω·cm；金属电极的厚度为50~300nm。