公开(公告)号：CN103904160A

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201410107249.2

申请日：2014-03-21

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  陶骏 ,  唐荣烨 ,  秦凯丰 ,  王君楠 ,  黄健 ,  唐可 ,  沈忠文

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/115

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/1832 ,  H01L31/115 ,  H01L31/1836

Abstract: 本发明公开了一种应用于X射线探测的CdZnTe薄膜的制备方法。所述制备方法是基于近空间升华（CSS）技术。该方法以CdZnTe单晶切片为升华源，使用氩气作为工作气体，并通过一定的表面处理获得理想的整流电极接触。该方法具有工艺简单、成本更低、可重复性高等特点，可以制备应用于大面积、低漏电流、高分辨率的X射线探测器的薄膜，有望X射线薄膜探测器的产业化生产。

公开(公告)号：CN103236466A

公开(公告)日：2013-08-07

申请号：CN201310117598.8

申请日：2013-04-07

Applicant: 上海大学

Inventor： 李季戎 ,  史伟民 ,  廖阳 ,  钱隽 ,  王国华 ,  杨伟光 ,  沈心蔚 ,  沈介圣 ,  何玲玲 ,  沈忠文

IPC: H01L31/18 ,  C03C17/22

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种铜锌锡硫太阳电池窗口层的制备方法，属太阳能电池薄膜器件制备工艺技术领域。利用磁控溅射法制备ZnO晶种、利用水热法生长ZnO纳米阵列以及利用水热法硫化生长ZnS壳层结构的制备方法。水热法制备的ZnO@ZnS纳米阵列核壳结构与衬底的附着强度较高，具有高透过率、良好的电学特性，能够作为CZTS太阳能电池的窗口层，与后续电池的制备工艺具有良好的衔接。

公开(公告)号：CN103952675A

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201410173480.1

申请日：2014-04-28

Applicant: 上海大学

Inventor： 王林军 ,  任兵 ,  沈心蔚 ,  黄健 ,  杨晓蓉 ,  杨惠敏 ,  唐可 ,  沈忠文 ,  夏义本

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06

Abstract: 本发明为一种光伏材料硫化亚铜（Cu2S）薄膜的制备方法，公开了一种应用于光伏产业的硫化亚铜薄膜的制备技术。所述制备方法是基于直流磁控溅射技术。该工艺以高纯度硫化亚铜为溅射靶材，使用氩气作为工作气体。该方法具有沉积速率高、膜厚可控、重复性好等特点，可以制备大面积、均匀、高质量的硫化亚铜薄膜，有望实现硫化亚铜薄膜的产业化生产。