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公开(公告)号：CN117199168A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311231217.9
申请日：2023-09-22
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/119 , H01L31/0296 , H01L31/18 , C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/35 , C23C14/24 , C23C16/40 , C23C16/455 , C23C28/04
Abstract: 本发明涉及一种低噪声高灵敏度的碲锌镉厚膜核辐射探测器及其制备方法，包括由下至上依此堆叠而成的衬底、栅电极、栅绝缘层、沟道层以及响应层；所述沟道层为氧化锌基薄膜，所述响应层为碲锌镉厚膜；所述沟道层上方沉积了由源电极和漏电极构成晶体管，所述碲锌镉厚膜位于源电极和漏电极之间；所述沟道层与响应层构成异质结，其中制备方法为S1衬底清洗及预处理；S2栅电极的制备；S3栅绝缘层的制备；S4沟道层的制备；S5响应层的制备；S6源电极、漏电极的制备。与现有技术相比，本发明提高了载流子迁移率、实现了极低剂量和高灵敏度的检测。
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公开(公告)号：CN115632065A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211379415.5
申请日：2022-11-04
Applicant: 上海大学
IPC: H01L29/45 , H01L21/283
Abstract: 本发明公开了一种氧化镓器件用欧姆接触复合电极及其制备方法，实现与氧化镓材料形成欧姆接触的复合电极，与氧化镓材料形成欧姆接触的复合电极结构采用低阻复合中间层‑金属电极的组合形式，整体依次由氧化镓材料、低阻掺杂氧化镓中间层、低阻氧化物半导体中间层和金属电极四部分进行层叠组装而成；其中氧化镓材料可以包括单晶、多晶以及非晶氧化镓。本发明设计的复合电极引入低阻复合中间层，解决传统多层金属叠层电极在合金化的过程中易引起界面反应的问题，新型复合电极减少界面的影响，改善氧化镓材料电极接触特性，实现对氧化镓材料更稳定的欧姆接触，使氧化镓器件的电学性能更加可靠，在氧化镓电力电子器件领域中有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN110289215B
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN201910551761.9
申请日：2019-06-25
Applicant: 上海大学
IPC: H01L21/465 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 本发明公开了一种碲锌镉晶体的电感耦合等离子体刻蚀工艺方法，在刻蚀前采用碲锌镉晶体的结构采用衬底‑半导体的组合形式。本发明用SF6和Ar作为电感耦合等离子刻蚀的刻蚀气体，与传统的反应离子刻蚀方式相比，电感耦合等离子刻蚀的离子密度高，刻蚀速率更快，让刻蚀后的碲锌镉晶体的刻蚀形貌有更高的精度，更高的选择比并且刻蚀表面平整光滑。本发明刻蚀的晶体材料对于公共安全、军事、核工业、核医学、科学研究以及航空航天等领域安全监控、辐射防护方面具有重要意义和应用前景。
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公开(公告)号：CN112103175A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010884690.7
申请日：2020-08-28
Applicant: 上海大学
IPC: H01L21/02 , H01L29/24 , H01L31/032
Abstract: 本发明公开了一种n型氧化镓薄膜的掺杂工艺制备的钒掺杂n型氧化镓薄膜，采用射频磁控溅射方法，制备了表面均匀、成膜致密、结晶性好的钒掺杂n型氧化镓薄膜，与本征氧化镓薄膜相比，五族元素钒的掺杂提供了更多的载流子，显著提高了n型氧化镓薄膜的光电性能。本发明所制备的钒掺杂n型氧化镓薄膜生长速度快，晶体质量高，导电性好，对于功率电子器件，日盲型紫外光探测器，气体传感器和薄膜晶体管等光电子领域具有重要意义和应用前景。
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公开(公告)号：CN106893997B
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201710080946.7
申请日：2017-02-15
Applicant: 上海大学
IPC: C23C16/02 , C23C16/27 , C23C16/511
Abstract: 本发明公开了一种纳米金刚石薄膜制备用衬底预处理方法，利用缩水甘油的开环多分支聚合作用，在纳米金刚石粉末表面形成官能团，得到在溶液中分散性极好的聚合甘油嫁接的纳米金刚石粉末(ND‑PG)，溶于甲醇溶液，得到用于薄膜成核的籽晶溶液，从而为异质衬底上利用微波等离子化学气相沉积高质量纳米金刚石薄膜提供了有效的方法。本发明在纳米金刚石粉末表面嫁接官能团，大大增加粉末在水中的分散性，减少团聚，外围衍生效应进一步功能化，有利于增加衬底的成核密度，提高成核质量，对制备高质量纳米金刚石薄膜有很大的意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102629645A
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201210124690.2
申请日：2012-04-26
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种新型CdS-CdZnTe薄膜太阳能电池制备方法。本方法通过两步掺Zn法掺入一定量的Zn，可更容易控制薄膜中Zn的含量，并且可得到有利于提高电池性能的Zn分布，使其在背接触附近的薄膜层中具有较高的Zn含量，达到类似过渡层的效果，从而提高了电池的总体效率。
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公开(公告)号：CN101859704A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN201010185685.3
申请日：2010-05-26
Applicant: 上海大学
IPC: H01L21/335 , H01L21/365 , H01L21/28
Abstract: 本发明涉及一种基于p型掺杂单晶金刚石薄膜的高温、高功率金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)的制备方法，属于无机非金属材料器件制造工艺技术领域。本发明的主要特点是：在p型硼掺杂单晶金刚石薄膜上，制作源电极、漏电极和栅电极；源、漏电极采用金电极，而栅电极采用铅电极；在栅电极与p型金刚石薄膜之间采用SiOx作为绝缘层。采用微波等离子体化学气相沉积方法(MPCVD)沉积p型硼掺杂单晶金刚石薄膜，并以此为基础制备出半导体场效应晶体管器件，该器件稳定工作温度可达到690℃。
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公开(公告)号：CN101303979A
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200810040004.7
申请日：2008-07-01
Applicant: 上海大学
IPC: H01L21/338
Abstract: 本发明涉及一种纳米晶金刚石薄膜场效应晶体管的制备方法，该方法主要步骤：硅衬底预处理后放入微波等离子体化学气相沉积装置的反应室内作为沉积衬底；在甲烷与氢气的混合反应气体中进行金刚石薄膜生长，然后用进行氢等离子体刻蚀，即得p型纳米晶金刚石薄膜；再采用离子束溅射仪及光刻掩模技术在p型纳米晶金刚石薄膜表面制作场效应晶体管的源、漏和栅电极。本发明不需抛光处理就可以直接进行器件制作，具有制作工艺简便和成本较低，有利于促进金刚石基器件的大规模应用。
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公开(公告)号：CN101303973A
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200810040045.6
申请日：2008-07-01
Applicant: 上海大学
IPC: H01L21/04
Abstract: 本发明涉及一种n－ZnO/p－自支撑金刚石薄膜异质结的制备方法，该方法主要步骤：硅衬底预处理后放入微波等离子体化学气相沉积装置的反应室内作为沉积衬底；在甲烷与氢气的混合反应气体中进行金刚石薄膜成核、生长，然后用HNO3与HF的混合溶液浸泡腐蚀掉硅衬底形成自支撑金刚石薄膜；自支撑金刚石薄膜p型化处理；用磁控溅射仪及高纯ZnO陶瓷溅射靶材，在氩气气氛中溅射，即得n－ZnO/p－自支撑金刚石薄膜异质结。本发明不需抛光处理就可以直接进行ZnO/金刚石异质结的生长，简化了制作工艺，降低了成本，有利于促进ZnO/金刚石异质结器件的大规模应用。
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公开(公告)号：CN119947271A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411911435.1
申请日：2024-12-24
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种全透明氧化镍/氧化镓PN结型日盲紫外探测器及其制备方法与应用，所述日盲紫外探测器自下而上依次包括柔性衬底、底电极层、NiO薄膜层、Ga2O3薄膜层、上电极层，所述底电极层、NiO薄膜层、Ga2O3薄膜层、上电极层呈阶梯状设置，所述柔性衬底包括PET柔性衬底，所述的底电极层和上电极层均为BGZO电极层。本发明采用磁控溅射法，在透明衬底上生长电极，并选择适当的溅射功率，实现高性能全透明氧化镍与氧化镓薄膜的制备。与现有技术相比，本发明得到的日盲紫外探测器具有自供电、全透明、柔性性能，具有便携可穿戴的特点，能够更好地应用在紫外探测等领域。
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