公开(公告)号：CN101789427A

公开(公告)日：2010-07-28

申请号：CN200910262187.1

申请日：2009-12-25

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 米田秀司 ,  石田裕康 ,  及川慎

IPC: H01L27/06

CPC classification number: H01L27/0652 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/861 ,  H01L29/866 ,  H03K17/163

Abstract: 提供一种绝缘栅型半导体装置。为了防止由于IGBT的切断时的dv/dt过大引起的、IGBT的破坏，采用在芯片上外置连接栅极电阻的电路。但是在对用户提供IGBT的芯片时，有时在用户侧连接dv/dt成为额定值外的电阻值的栅极电阻的情况，存在发生由此引起的IGBT的破坏的问题。通过将二极管和电阻并联连接而与IGBT集成在相同芯片上，并将二极管的阴极连接在IGBT的栅极上，能够在IGBT的芯片内限制dv/dt的值而不会使导通特性变差。通过内置具有能够防止IGBT的dv/dt破坏的电阻值的电阻，能够防止由于在芯片的提供目的地(用户侧)的dv/dt的增大引起的IGBT的破坏。

公开(公告)号：CN101388388A

公开(公告)日：2009-03-18

申请号：CN200810215389.6

申请日：2008-09-11

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 及川慎

IPC: H01L25/00 ,  H01L25/065 ,  H01L23/495

CPC classification number: H01L23/49575 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/40 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/37099

Abstract: 本发明提供一种半导体装置。为实现高耐压及大电流容量，一般需要确保增加晶体管单元数量，增大衬底尺寸。至少难以在维持现有特性的状态下实现半导体装置的小型化。本发明的半导体装置通过将具有两个安装区域的矩形头部对折而将两个半导体芯片与相对的安装区域固定，由此，在封装的安装面积维持以往的一个半导体芯片的面积的同时，可实现半导体芯片的积层结构，得到与两个半导体芯片相应的特性。因此，与半导体芯片是一个的情况相比，通过增加晶体管数量，能降低接通电阻，实现低电压驱动。另外，能够谋求增大电流。与将两个半导体芯片并排安装在头部上的情况相比，能够实现封装外形的安装面积的小型化。

公开(公告)号：CN100536166C

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200610004201.4

申请日：2006-01-28

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 佐山康之 ,  冈田哲也 ,  及川慎 ,  石田裕康 ,  栉山和成

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7395

Abstract: 本发明提供半导体装置及其制造方法，为降低导通状态的电流经路的电阻，而提高栅极电极下方的π部的杂质浓度。但是，用于沟道区域具有从底面到侧面变大的曲率，故杂质浓度过高，则在π部深的位置，耗尽层未充分接触，存在耐压劣化的问题。在栅极电极下方设置n型杂质区域。通过将栅极长度设为沟道区域的深度以下，形成n型杂质区域的侧面与相邻的沟道区域的侧面大致垂直的接合面。由此，耗尽层向衬底深度方向均匀地扩展，故可确保规定的耐压。另外，由于夹着栅极电极的沟道区域的间隔在表面及底面均匀，故可提高n型杂质区域的杂质浓度，谋求低导通电阻化。

公开(公告)号：CN1835249A

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：CN200610004201.4

申请日：2006-01-28

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 佐山康之 ,  冈田哲也 ,  及川慎 ,  石田裕康 ,  栉山和成

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7395

Abstract: 本发明提供半导体装置及其制造方法，为降低导通状态的电流经路的电阻，而提高栅极电极下方的π部的杂质浓度。但是，用于沟道区域具有从底面到侧面变大的曲率，故杂质浓度过高，则在π部深的位置，耗尽层未充分接触，存在耐压劣化的问题。在栅极电极下方设置n型杂质区域。通过将栅极长度设为沟道区域的深度以下，形成n型杂质区域的侧面与相邻的沟道区域的侧面大致垂直的接合面。由此，耗尽层向衬底深度方向均匀地扩展，故可确保规定的耐压。另外，由于夹着栅极电极的沟道区域的间隔在表面及底面均匀，故可提高n型杂质区域的杂质浓度，谋求低导通电阻化。

公开(公告)号：CN100502044C

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200610121206.5

申请日：2006-08-17

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 栉山和成 ,  冈田哲也 ,  及川慎 ,  石田裕康 ,  佐山康之

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66727

Abstract: 本发明涉及一种绝缘栅型场效应晶体管，在平面结构的MOSFET中，当降低漏极-源极间电压VDS时，耗尽层宽度变窄，在栅极电极的中央下方的栅极-漏极间电容Cgd(回授电容Crss)迅速增大。由于回授电容Crss影响开关特性，故存在高频开关特性不能提高的问题。在栅极电极的中央设置分离孔。可抑制在降低漏极-源极间电压VDS，且耗尽层宽度变窄的情况下的回授电容Crss的迅速增大。由此，高频开关特性提高。另外，从分离孔注入n型杂质，在沟道区域间形成n型杂质区域。由于可使栅极电极下方为低电阻，故可降低导通电阻。n型杂质区域可自对准形成。

公开(公告)号：CN100490174C

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200310114903.4

申请日：2003-11-07

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 秋庭隆史 ,  及川慎 ,  岩田昌之

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/407 ,  H01L29/7811

Abstract: 现有功率MOSFET中，在有效工作区最外周的栅电极底部发生电场集中，导致漏区-源区(或集电极-发射极)间耐压恶化。本发明提供一种半导体器件及其制造方法，形成有效工作区最外周的槽使其比有效工作区的槽还要深。因此缓和在有效工作区的栅电极底部的电场集中，能够抑制漏区-源区(或集电极-发射极)间耐压恶化。进而采用扩大最外周的槽开口部的办法，就能在同一工序中形成深度不同的槽。

公开(公告)号：CN1501511A

公开(公告)日：2004-06-02

申请号：CN200310114903.4

申请日：2003-11-07

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 秋庭隆史 ,  及川慎 ,  岩田昌之

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/407 ,  H01L29/7811

Abstract: 现有功率MOSFET中，在有效工作区最外周的栅电极底部发生电场集中，导致漏区－源区(或集电极－发射极)间耐压恶化。本发明提供一种半导体器件及其制造方法，形成有效工作区最外周的槽使其比有效工作区的槽还要深。因此缓和在有效工作区的栅电极底部的电场集中，能够抑制漏区－源区(或集电极－发射极)间耐压恶化。进而采用扩大最外周的槽开口部的办法，就能在同一工序中形成深度不同的槽。

公开(公告)号：CN100463222C

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200610006390.9

申请日：2006-01-20

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 石田裕康 ,  及川慎 ,  冈田喜久雄 ,  宫原正二 ,  落合直弘 ,  栉山和成

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/04 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0869 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813

Abstract: 一种半导体装置，沟道层的杂质区域为较低的区域。以带状形成栅极电极，以梯状形成源极区域的图案中，由于部分地在源极区域正下方配置作为沟道层的低浓度区域，故发生电位降，存在雪崩能量劣化的问题。本发明中，在将栅极电极形成为带状，将源极区域形成为梯状的图案中，与栅极电极平行地设置带状体区。在与栅极电极邻接的第一源极区域间的沟道层表面露出第一体区，在将第一源极区域相互连结的第二源极区域下方设置第二体区。由此，可提高雪崩容量。另外，由于形成体区时不需要掩模，故有利于实现对位精度。

公开(公告)号：CN1941413A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200610121206.5

申请日：2006-08-17

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 栉山和成 ,  冈田哲也 ,  及川慎 ,  石田裕康 ,  佐山康之

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66727

Abstract: 本发明涉及一种绝缘栅型场效应晶体管，在平面结构的MOSFET中，当降低漏极－源极间电压VDS时，耗尽层宽度变窄，在栅极电极的中央下方的栅极－漏极间电容Cgd(回授电容Crss)迅速增大。由于回授电容Crss影响开关特性，故存在高频开关特性不能提高的问题。在栅极电极的中央设置分离孔。可抑制在降低漏极－源极间电压VDS，且耗尽层宽度变窄的情况下的回授电容Crss的迅速增大。由此，高频开关特性提高。另外，从分离孔注入n型杂质，在沟道区域间形成n型杂质区域。由于可使栅极电极下方为低电阻，故可降低导通电阻。n型杂质区域可自对准形成。

公开(公告)号：CN1409408A

公开(公告)日：2003-04-09

申请号：CN02143281.3

申请日：2002-09-25

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 及川慎 ,  江藤弘树 ,  久保博稔 ,  宫原正二

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，在目前的功率MOSFET中，在实际工作区域最外周的栅极底部产生电场集中，招致漏极－源极(或集电极－发射极)间耐压恶化。本发明通过使实际工作区域最外周的沟道比实际工作区域的沟道浅。可缓和在实际工作区域最外周的栅极底部的电场集中，能够抑制漏极－源极(或集电极－发射极)间的耐压恶化，而且通过使最外周的沟道开口部变窄，可在同一工序形成深度不同的沟道。