公开(公告)号：CN102110602A

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN201010593405.2

申请日：2010-12-17

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 松井俊和 ,  佐山康之 ,  江藤弘树 ,  细谷拓己

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/66734 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/7397

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置的制造方法。根据该方法，槽结构的栅极绝缘膜不会受到形成发射极层等时的砷离子的损伤，并且能够低成本地制造提高了栅极绝缘膜的绝缘耐压的半导体装置。在高温炉等中使埋入槽(3)内而形成的由多晶硅构成的栅极电极(5)热氧化，以在栅极电极(5)上形成厚的多晶硅热氧化膜(6)。此后，离子注入杂质离子以形成成为发射极层等的N型半导体层(8)。在该情况下，将多晶硅热氧化膜(6)形成为膜厚度大于为了通过离子注入形成成为发射极层等的N型半导体层(8)而杂质离子在硅氧化膜中的平均射程。由此，防止杂质离子损伤夹在栅极电极(5)和N型半导体层(8)之间的栅极绝缘膜(4)。

公开(公告)号：CN1254867C

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN02143281.3

申请日：2002-09-25

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 及川慎 ,  江藤弘树 ,  久保博稔 ,  宫原正二

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，在目前的功率MOSFET中，在实际工作区域最外周的栅极底部产生电场集中，招致漏极-源极(或集电极-发射极)间耐压恶化。本发明通过使实际工作区域最外周的沟道比实际工作区域的沟道浅。可缓和在实际工作区域最外周的栅极底部的电场集中，能够抑制漏极-源极(或集电极-发射极)间的耐压恶化，而且通过使最外周的沟道开口部变窄，可在同一工序形成深度不同的沟道。

公开(公告)号：CN1342037A

公开(公告)日：2002-03-27

申请号：CN01111941.1

申请日：2001-02-15

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 坂本则明 ,  小林义幸 ,  福田浩和 ,  江藤弘树 ,  高桥幸嗣

IPC: H05K1/18 ,  H01L25/11 ,  H01M10/42

CPC classification number: H01L23/3107 ,  H01L21/4832 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 问题是没有改善由于MOSFET芯片上面的电极取出依赖于线焊接而由影响最大的MOSFET芯片的源电极取出电阻引起的通态电阻的解决办法。通过使用MOSFET的保护电路装置,不需要共用漏电极的引回而且源电极直接被固定于导电电路,实现了低的通态电阻,其中,该MOSFET配备有:在电气上分离的多个导电电路、在所希望的该导电电路上把固定栅电极和源电极的2个功率MOSFET集成在一个芯片上的MOSFET芯片、设置该MOSFET芯片的共用漏电极的导电材料、覆盖所述MOSFET芯片并且一体地支持所述导电电路的绝缘树脂。

公开(公告)号：CN1199531C

公开(公告)日：2005-04-27

申请号：CN01111941.1

申请日：2001-02-15

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 坂本则明 ,  小林义幸 ,  福田浩和 ,  江藤弘树 ,  高桥幸嗣

IPC: H05K1/18 ,  H01L25/11 ,  H01M10/42

CPC classification number: H01L23/3107 ,  H01L21/4832 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明面临的课题是由于MOSFET芯片上面的电极取出依赖于线焊接，所以就没能找到改善由影响最大的MOSFET芯片的源电极取出电阻引起的导通电阻的解决办法。本发明通过使用MOSFET的保护电路装置，不需要共用漏电极的引回而且源电极直接被固定于导电电路，实现了低的导通电阻，其中，该MOSFET配备有；被电分离的多个导电电路、在所希望的该导电电路上把固定栅电极和源电极的2个功率MOSFET集成在一个芯片上的MOSFET芯片、设置于该MOSFET芯片的共用漏电极上的导电材料、覆盖所述MOSFET芯片并且一体地支持所述导电电路的绝缘树脂。

公开(公告)号：CN1409408A

公开(公告)日：2003-04-09

申请号：CN02143281.3

申请日：2002-09-25

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 及川慎 ,  江藤弘树 ,  久保博稔 ,  宫原正二

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，在目前的功率MOSFET中，在实际工作区域最外周的栅极底部产生电场集中，招致漏极－源极(或集电极－发射极)间耐压恶化。本发明通过使实际工作区域最外周的沟道比实际工作区域的沟道浅。可缓和在实际工作区域最外周的栅极底部的电场集中，能够抑制漏极－源极(或集电极－发射极)间的耐压恶化，而且通过使最外周的沟道开口部变窄，可在同一工序形成深度不同的沟道。

公开(公告)号：CN102110602B

公开(公告)日：2013-09-04

申请号：CN201010593405.2

申请日：2010-12-17

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 松井俊和 ,  佐山康之 ,  江藤弘树 ,  细谷拓己

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/66734 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/7397

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置的制造方法。根据该方法，槽结构的栅极绝缘膜不会受到形成发射极层等时的砷离子的损伤，并且能够低成本地制造提高了栅极绝缘膜的绝缘耐压的半导体装置。在高温炉等中使埋入槽(3)内而形成的由多晶硅构成的栅极电极(5)热氧化，以在栅极电极(5)上形成厚的多晶硅热氧化膜(6)。此后，离子注入杂质离子以形成成为发射极层等的N型半导体层(8)。在该情况下，将多晶硅热氧化膜(6)形成为膜厚度大于为了通过离子注入形成成为发射极层等的N型半导体层(8)而杂质离子在硅氧化膜中的平均射程。由此，防止杂质离子损伤夹在栅极电极(5)和N型半导体层(8)之间的栅极绝缘膜(4)。