公开(公告)号：CN100377366C

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200410012006.7

申请日：2004-09-28

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  岐阜三洋电子株式会社

Inventor： 吉田哲哉 ,  冈田哲也 ,  斋藤洋明 ,  村井成行 ,  冈田喜久雄

IPC: H01L29/80

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0619

Abstract: 一种半导体装置，在现有的半导体装置中，存在在护圈区域耗尽层形状畸变，且不能得到稳定的耐压特性这样的问题。在本发明的半导体装置中，由同一工序形成实动作区域的热氧化膜25和护圈区域的热氧化膜26。然后，通过在一度将热氧化膜25除去后再次形成，以例如8000～10000程度的膜厚形成护圈区域的热氧化膜26的膜厚。由此，含有可动离子31的CVD氧化膜27被形成在自外延层2表面离开的位置，可抑制可动离子31的影响引起的耗尽层的畸变，可维持规定的耐压特性。

公开(公告)号：CN101604632A

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200910140668.5

申请日：2009-06-12

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社 ,  三洋半导体制造株式会社

Inventor： 关克行 ,  铃木彰 ,  小田岛庆汰 ,  冈田喜久雄 ,  龟山工次郎

IPC: H01L21/329 ,  H01L21/31 ,  H01L21/306 ,  H01L29/861 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/861 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/6609

Abstract: 本发明的目的在于确立高耐压、高可靠度的台型半导体装置及其制造方法的确立，以解决因位于PN接合部PNJC处的台沟内壁的第2绝缘膜的厚度较薄而产生耐压劣化与漏电流的问题。本发明的装置及方法，是对以干蚀刻形成的台沟，再以氟酸、硝酸系等蚀刻剂对该台沟的侧壁进行湿蚀刻，由此在台沟的上部形成由突出于台沟的第1绝缘膜所构成的檐部。且利用涂布法或印刷法将绝缘膜形成于台沟内、以及以台沟为中心以形成为比檐部区域还宽广的方式将绝缘膜形成于第1绝缘膜上，而该檐部成为阻止因之后的热处理而流动性变高的绝缘膜流往台沟的底部的障壁。故能以足够厚度的绝缘膜被覆位于PN接合部PNJC处的台沟侧壁，而达耐压的确保及漏电流的降低等目的。

公开(公告)号：CN100372127C

公开(公告)日：2008-02-27

申请号：CN200410012008.6

申请日：2004-09-28

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  岐阜三洋电子株式会社

Inventor： 吉田哲哉 ,  冈田哲也 ,  斋藤洋明 ,  村井成行 ,  冈田喜久雄

IPC: H01L29/80

CPC classification number: H01L29/7828 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/4916

Abstract: 一种半导体装置，在现有的半导体装置中具有如下问题，主电流流动的主配线部的配线宽度狭窄且均匀形成，由于主配线部的电压下降，使元件内的单元不均一动作。在本发明的半导体装置中，将主电流流动的主配线部24一端241的配线宽度W1设置成比主配线部24另一端242的配线宽度宽。主配线部24的配线宽度从一端241向另一端242逐渐变窄。由此，可降低位于主电流流动的电极焊盘部22近旁的单元和位于远方的单元的驱动电压差。其结果是，本发明可抑制主配线部24的电压下降，并实现元件内单元的均一动作。

公开(公告)号：CN101325215A

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200810110656.3

申请日：2008-06-12

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 冈田喜久雄

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/66348

Abstract: 本发明涉及一种绝缘栅双极型晶体管。在NPT结构的IGBT中，即使提高沟槽密度，对导通电阻的改善也较少。在本发明所涉及的IGBT中，将沟槽(2)的宽度(W1)与沟槽(2)之间的间隔(W2)的比值(W1/W2)设定在1～2的范围内，由此能够使电子电流密度与传导率调制效果最佳，保持耐压，抑制特性的分散，并且较大地降低导通电阻。

公开(公告)号：CN1822394A

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200610006390.9

申请日：2006-01-20

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 石田裕康 ,  及川慎 ,  冈田喜久雄 ,  宫原正二 ,  落合直弘 ,  栉山和成

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/04 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0869 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813

Abstract: 一种半导体装置，沟道层的杂质区域为较低的区域。以带状形成栅极电极，以梯状形成源极区域的图案中，由于部分地在源极区域正下方配置作为沟道层的低浓度区域，故发生电位降，存在雪崩能量劣化的问题。本发明中，在将栅极电极形成为带状，将源极区域形成为梯状的图案中，与栅极电极平行地设置带状体区。在与栅极电极邻接的第一源极区域间的沟道层表面露出第一体区，在将第一源极区域相互连结的第二源极区域下方设置第二体区。由此，可提高雪崩容量。另外，由于形成体区时不需要掩模，故有利于实现对位精度。

公开(公告)号：CN101604660B

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN200910140669.X

申请日：2009-06-12

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社 ,  三洋半导体制造株式会社

Inventor： 关克行 ,  土屋尚文 ,  铃木彰 ,  冈田喜久雄

IPC: H01L21/784 ,  H01L21/329 ,  H01L21/31 ,  H01L27/102 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L21/8222 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/312 ,  H01L21/31662 ,  H01L27/0814 ,  H01L2924/10155

Abstract: 本发明的目的在于谋求高耐压、高可靠度的台型半导体器件及其制造方法的确立，通过使用廉价的材料来解决现有的因相当于PN接合部PNJC的位置的台沟内壁(11)的第2绝缘膜(10)的厚度较薄而产生耐压劣化与漏电流的问题。本发明的台型半导体器件，以在台沟(5)内壁形成由热氧化膜(6)所构成的稳定的保护膜来被覆保护PN接合部PNJC，并且在台沟(5)内的氧化膜(6)所夹的空隙填埋具有负电荷的绝缘膜(7)以使N-型半导体层(2)的与热氧化膜(6)的界面不易形成电子蓄积层。通过采用上述构成，减低热氧化膜(6)中的正电荷所造成的影响，而确保空乏层往与热氧化层(6)的界面的N-型半导体层的扩展。

公开(公告)号：CN101604660A

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200910140669.X

申请日：2009-06-12

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社 ,  三洋半导体制造株式会社

Inventor： 关克行 ,  土屋尚文 ,  铃木彰 ,  冈田喜久雄

IPC: H01L21/784 ,  H01L21/329 ,  H01L21/31 ,  H01L27/102 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L21/8222 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/312 ,  H01L21/31662 ,  H01L27/0814 ,  H01L2924/10155

Abstract: 本发明的目的在于谋求高耐压、高可靠度的台型半导体装置及其制造方法的确立，通过使用廉价的材料来解决现有的因相当于PN接合部PNJC的位置的台沟内壁11的第2绝缘膜10的厚度较薄而产生耐压劣化与漏电流的问题。本发明的台型半导体装置，以在台沟5内壁形成由热氧化膜6所构成的稳定的保护膜来被覆保护PN接合部PNJC，并且在台沟5内的氧化膜6所夹的空隙填埋具有负电荷的绝缘膜7以使N－型半导体层2的与热氧化膜6的界面不易形成电子蓄积层。通过采用上述构成，减低热氧化膜6中的正电荷所造成的影响，而确保空乏层往与热氧化层6的界面的N－型半导体层的扩展。

公开(公告)号：CN1630100A

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：CN200410012006.7

申请日：2004-09-28

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  岐阜三洋电子株式会社

Inventor： 吉田哲哉 ,  冈田哲也 ,  斋藤洋明 ,  村井成行 ,  冈田喜久雄

IPC: H01L29/80

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0619

Abstract: 一种半导体装置，在现有的半导体装置中，存在在护圈区域耗尽层形状畸变，且不能得到稳定的耐压特性这样的问题。在本发明的半导体装置中，由同一工序形成实动作区域的热氧化膜25和护圈区域的热氧化膜26。然后，通过在一度将热氧化膜25除去后再次形成，以例如8000～10000程度的膜厚形成护圈区域的热氧化膜26的膜厚。由此，含有可动离子31的CVD氧化膜27被形成在自外延层2表面离开的位置，可抑制可动离子31的影响引起的耗尽层的畸变，可维持规定的耐压特性。

公开(公告)号：CN1624934A

公开(公告)日：2005-06-08

申请号：CN200410012008.6

申请日：2004-09-28

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  岐阜三洋电子株式会社

Inventor： 吉田哲哉 ,  冈田哲也 ,  斋藤洋明 ,  村井成行 ,  冈田喜久雄

IPC: H01L29/80

CPC classification number: H01L29/7828 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/4916

Abstract: 一种半导体装置，在现有的半导体装置中具有如下问题，主电流流动的主配线部的配线宽度狭窄且均匀形成，由于主配线部的电压下降，使元件内的单元不均一动作。在本发明的半导体装置中，将主电流流动的主配线部24一端241的配线宽度W1设置成比主配线部24另一端242的配线宽度宽。主配线部24的配线宽度从一端241向另一端242逐渐变窄。由此，可降低位于主电流流动的电极焊盘部22近旁的单元和位于远方的单元的驱动电压差。其结果是，本发明可抑制主配线部24的电压下降，并实现元件内单元的均一动作。

公开(公告)号：CN101604632B

公开(公告)日：2012-03-07

申请号：CN200910140668.5

申请日：2009-06-12

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社 ,  三洋半导体制造株式会社

Inventor： 关克行 ,  铃木彰 ,  小田岛庆汰 ,  冈田喜久雄 ,  龟山工次郎

IPC: H01L21/329 ,  H01L21/31 ,  H01L21/306 ,  H01L29/861 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/861 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/6609

Abstract: 本发明的目的在于确立高耐压、高可靠度的台型半导体装置及其制造方法，以解决因位于PN接合部PNJC处的台沟内壁的第2绝缘膜的厚度较薄而产生耐压劣化与漏电流的问题。本发明的装置及方法，是对以干蚀刻形成的台沟，再以氟酸、硝酸系等蚀刻剂对该台沟的侧壁进行湿蚀刻，由此在台沟的上部形成由突出于台沟的第1绝缘膜所构成的檐部。且利用涂布法或印刷法将绝缘膜形成于台沟内、以及以台沟为中心以形成为比檐部区域还宽广的方式将绝缘膜形成于第1绝缘膜上，而该檐部成为阻止因之后的热处理而流动性变高的绝缘膜流往台沟的底部的障壁。故能以足够厚度的绝缘膜被覆位于PN接合部PNJC处的台沟侧壁，而达耐压的确保及漏电流的降低等目的。