-
公开(公告)号：CN100502044C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200610121206.5
申请日：2006-08-17
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/10 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L29/0878 , H01L29/41766 , H01L29/42372 , H01L29/4238 , H01L29/66712 , H01L29/66727
Abstract: 本发明涉及一种绝缘栅型场效应晶体管，在平面结构的MOSFET中，当降低漏极-源极间电压VDS时，耗尽层宽度变窄，在栅极电极的中央下方的栅极-漏极间电容Cgd(回授电容Crss)迅速增大。由于回授电容Crss影响开关特性，故存在高频开关特性不能提高的问题。在栅极电极的中央设置分离孔。可抑制在降低漏极-源极间电压VDS，且耗尽层宽度变窄的情况下的回授电容Crss的迅速增大。由此，高频开关特性提高。另外，从分离孔注入n型杂质，在沟道区域间形成n型杂质区域。由于可使栅极电极下方为低电阻，故可降低导通电阻。n型杂质区域可自对准形成。
-
公开(公告)号：CN101730344A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910209074.5
申请日：2009-10-30
IPC: H05B37/02
CPC classification number: H05B33/0815 , H01S5/042 , H05B33/0818 , H05B33/0824 , H05B33/0848 , Y02B20/347
Abstract: 本发明提供一种发光组件的驱动电路，具有：串联连接部，由发光组件与直接连接在发光组件的电流限制用电感器串联而成；再生用二极管，并联连接于串联连接部，且再生蓄积在电流限制用电感器的能量；晶体管，控制流通在发光组件与电流限制用电感器的电流；及控制部，控制晶体管的动作；且控制部对应施加于发光组件的电源的电压值来控制开关组件。
-
公开(公告)号：CN100536166C
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200610004201.4
申请日：2006-01-28
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L29/0878 , H01L29/42372 , H01L29/42376 , H01L29/4238 , H01L29/66712 , H01L29/7395
Abstract: 本发明提供半导体装置及其制造方法，为降低导通状态的电流经路的电阻，而提高栅极电极下方的π部的杂质浓度。但是，用于沟道区域具有从底面到侧面变大的曲率，故杂质浓度过高，则在π部深的位置，耗尽层未充分接触，存在耐压劣化的问题。在栅极电极下方设置n型杂质区域。通过将栅极长度设为沟道区域的深度以下，形成n型杂质区域的侧面与相邻的沟道区域的侧面大致垂直的接合面。由此，耗尽层向衬底深度方向均匀地扩展，故可确保规定的耐压。另外，由于夹着栅极电极的沟道区域的间隔在表面及底面均匀，故可提高n型杂质区域的杂质浓度，谋求低导通电阻化。
-
公开(公告)号：CN1835249A
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200610004201.4
申请日：2006-01-28
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L29/0878 , H01L29/42372 , H01L29/42376 , H01L29/4238 , H01L29/66712 , H01L29/7395
Abstract: 本发明提供半导体装置及其制造方法，为降低导通状态的电流经路的电阻，而提高栅极电极下方的π部的杂质浓度。但是，用于沟道区域具有从底面到侧面变大的曲率，故杂质浓度过高，则在π部深的位置，耗尽层未充分接触，存在耐压劣化的问题。在栅极电极下方设置n型杂质区域。通过将栅极长度设为沟道区域的深度以下，形成n型杂质区域的侧面与相邻的沟道区域的侧面大致垂直的接合面。由此，耗尽层向衬底深度方向均匀地扩展，故可确保规定的耐压。另外，由于夹着栅极电极的沟道区域的间隔在表面及底面均匀，故可提高n型杂质区域的杂质浓度，谋求低导通电阻化。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100463222C
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200610006390.9
申请日：2006-01-20
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L27/04 , H01L21/336 , H01L21/822
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L29/0696 , H01L29/0869 , H01L29/1095 , H01L29/66712 , H01L29/66734 , H01L29/7813
Abstract: 一种半导体装置，沟道层的杂质区域为较低的区域。以带状形成栅极电极，以梯状形成源极区域的图案中，由于部分地在源极区域正下方配置作为沟道层的低浓度区域，故发生电位降，存在雪崩能量劣化的问题。本发明中，在将栅极电极形成为带状，将源极区域形成为梯状的图案中，与栅极电极平行地设置带状体区。在与栅极电极邻接的第一源极区域间的沟道层表面露出第一体区，在将第一源极区域相互连结的第二源极区域下方设置第二体区。由此，可提高雪崩容量。另外，由于形成体区时不需要掩模，故有利于实现对位精度。
-
公开(公告)号：CN1941413A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200610121206.5
申请日：2006-08-17
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/10 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L29/0878 , H01L29/41766 , H01L29/42372 , H01L29/4238 , H01L29/66712 , H01L29/66727
Abstract: 本发明涉及一种绝缘栅型场效应晶体管，在平面结构的MOSFET中，当降低漏极－源极间电压VDS时，耗尽层宽度变窄，在栅极电极的中央下方的栅极－漏极间电容Cgd(回授电容Crss)迅速增大。由于回授电容Crss影响开关特性，故存在高频开关特性不能提高的问题。在栅极电极的中央设置分离孔。可抑制在降低漏极－源极间电压VDS，且耗尽层宽度变窄的情况下的回授电容Crss的迅速增大。由此，高频开关特性提高。另外，从分离孔注入n型杂质，在沟道区域间形成n型杂质区域。由于可使栅极电极下方为低电阻，故可降低导通电阻。n型杂质区域可自对准形成。
-
公开(公告)号：CN100576565C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200610106399.7
申请日：2006-07-14
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/40 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/7811 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L29/66734 , H01L29/7397 , H01L29/7808 , H01L29/7813 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/05073 , H01L2224/05166 , H01L2224/05187 , H01L2224/05552 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/05556 , H01L2224/05624 , H01L2224/0603 , H01L2224/45144 , H01L2224/48463 , H01L2224/48624 , H01L2224/49107 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/19043 , H01L2924/00014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/01074 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种绝缘栅型半导体装置及其制造方法。目前，使1层金属电极层与元件区域接触，在该金属电极层上固着接合引线。要降低装置的接通电阻，期望加厚金属电极层的膜厚，但图案形成的精度有限。另外，当采用Au细线作接合引线时，随时间的推移，形成Au/Al共晶层，出现元件区域的层间绝缘膜给以压力的问题。金属电极层为2层。第一电极层如目前以与元件区域吻合的微细的间隔距离形成图案。另一方面，第二电极层只要与第一电极层接触即可，即使间隔距离加宽也没有问题。即，可以使第二电极层形成所希望的膜厚。另外，通过在引线接合区域下方的第一电极层上配置氮化膜，从而即使因Au/Al共晶层引起体积膨胀的情况下，也可以防止其应力传递到元件区域。
-
公开(公告)号：CN1909246A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200610106399.7
申请日：2006-07-14
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/40 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/7811 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L29/66734 , H01L29/7397 , H01L29/7808 , H01L29/7813 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/05073 , H01L2224/05166 , H01L2224/05187 , H01L2224/05552 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/05556 , H01L2224/05624 , H01L2224/0603 , H01L2224/45144 , H01L2224/48463 , H01L2224/48624 , H01L2224/49107 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/19043 , H01L2924/00014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/01074 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种绝缘栅型半导体装置及其制造方法。目前，使1层金属电极层与元件区域接触，在该金属电极层上固着接合引线。要降低装置的接通电阻，期望加厚金属电极层的膜厚，但图案形成的精度有限。另外，当采用Au细线作接合引线时，随时间的推移，形成Au/Al共晶层，出现元件区域的层间绝缘膜给以压力的问题。金属电极层为2层。第一电极层如目前以与元件区域吻合的微细的间隔距离形成图案。另一方面，第二电极层只要与第一电极层接触即可，即使间隔距离加宽也没有问题。即，可以使第二电极层形成所希望的膜厚。另外，通过在引线接合区域下方的第一电极层上配置氮化膜，从而即使因Au/Al共晶层引起体积膨胀的情况下，也可以防止其应力传递到元件区域。
-
公开(公告)号：CN1822394A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200610006390.9
申请日：2006-01-20
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L27/04 , H01L21/336 , H01L21/822
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L29/0696 , H01L29/0869 , H01L29/1095 , H01L29/66712 , H01L29/66734 , H01L29/7813
Abstract: 一种半导体装置，沟道层的杂质区域为较低的区域。以带状形成栅极电极，以梯状形成源极区域的图案中，由于部分地在源极区域正下方配置作为沟道层的低浓度区域，故发生电位降，存在雪崩能量劣化的问题。本发明中，在将栅极电极形成为带状，将源极区域形成为梯状的图案中，与栅极电极平行地设置带状体区。在与栅极电极邻接的第一源极区域间的沟道层表面露出第一体区，在将第一源极区域相互连结的第二源极区域下方设置第二体区。由此，可提高雪崩容量。另外，由于形成体区时不需要掩模，故有利于实现对位精度。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.024 seconds)
