公开(公告)号：CN101699623B

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN200910179290.X

申请日：2007-06-26

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 秋庭隆史

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/49 ,  H01L23/492

CPC classification number: H01L23/49575 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37599 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73219 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种半导体装置。在以往的半导体装置中，存在有DC-DC转换电路的电源能量转换效率被MOSFET特性影响的问题。本发明的半导体装置(1)，在芯片焊盘(5)上固定有三个MOSFET元件(2～4)。MOSFET元件(2～4)的源极电极(9～11)通过导电板(24)而共同连接。MOSFET元件(2～4)的漏极电极(26、28、29)共同连接。MOSFET(2～4)的栅极电极(6～8)个别地连接。通过该结构，MOSFET元件(2～4)可根据目的而个别地驱动。

公开(公告)号：CN101699623A

公开(公告)日：2010-04-28

申请号：CN200910179290.X

申请日：2007-06-26

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 秋庭隆史

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/49 ,  H01L23/492

CPC classification number: H01L23/49575 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37599 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73219 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种半导体装置。在以往的半导体装置中，存在有DC-DC转换电路的电源能量转换效率被MOSFET特性影响的问题。本发明的半导体装置(1)，在芯片焊盘(5)上固定有三个MOSFET元件(2～4)。MOSFET元件(2～4)的源极电极(9～11)通过导电板(24)而共同连接。MOSFET元件(2～4)的漏极电极(26、28、29)共同连接。MOSFET(2～4)的栅极电极(6～8)个别地连接。通过该结构，MOSFET元件(2～4)可根据目的而个别地驱动。

公开(公告)号：CN100490174C

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200310114903.4

申请日：2003-11-07

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 秋庭隆史 ,  及川慎 ,  岩田昌之

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/407 ,  H01L29/7811

Abstract: 现有功率MOSFET中，在有效工作区最外周的栅电极底部发生电场集中，导致漏区-源区(或集电极-发射极)间耐压恶化。本发明提供一种半导体器件及其制造方法，形成有效工作区最外周的槽使其比有效工作区的槽还要深。因此缓和在有效工作区的栅电极底部的电场集中，能够抑制漏区-源区(或集电极-发射极)间耐压恶化。进而采用扩大最外周的槽开口部的办法，就能在同一工序中形成深度不同的槽。

公开(公告)号：CN101097908A

公开(公告)日：2008-01-02

申请号：CN200710126273.0

申请日：2007-06-26

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 秋庭隆史

IPC: H01L25/00 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L23/49575 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37599 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73219 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种半导体装置。在以往的半导体装置中，存在有DC-DC转换电路的电源能量转换效率被MOSFET特性影响的问题。本发明的半导体装置(1)，在芯片焊盘(5)上固定有三个MOSFET元件(2～4)。MOSFET元件(2～4)的源极电极(9～11)通过导电板(24)而共同连接。MOSFET元件(2～4)的漏极电极(26、28、29)共同连接。MOSFET(2～4)的栅极电极(6～8)个别地连接。通过该结构，MOSFET元件(2～4)可根据目的而个别地驱动。

公开(公告)号：CN1501511A

公开(公告)日：2004-06-02

申请号：CN200310114903.4

申请日：2003-11-07

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 秋庭隆史 ,  及川慎 ,  岩田昌之

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/407 ,  H01L29/7811

Abstract: 现有功率MOSFET中，在有效工作区最外周的栅电极底部发生电场集中，导致漏区－源区(或集电极－发射极)间耐压恶化。本发明提供一种半导体器件及其制造方法，形成有效工作区最外周的槽使其比有效工作区的槽还要深。因此缓和在有效工作区的栅电极底部的电场集中，能够抑制漏区－源区(或集电极－发射极)间耐压恶化。进而采用扩大最外周的槽开口部的办法，就能在同一工序中形成深度不同的槽。