公开(公告)号：CN101847656A

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN201010139716.1

申请日：2010-03-26

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 米田秀司 ,  泽村宪治

IPC: H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0696

Abstract: 提供一种绝缘栅双极性晶体管，提高空穴的累积效果，并且抑制电流密度下降。在绝缘栅极之间，漂移区域被形成为分离成多个区域。并且，在漂移区域之间，在发射极电极与漂移层之间形成层间绝缘膜。

公开(公告)号：CN101847656B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201010139716.1

申请日：2010-03-26

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 米田秀司 ,  泽村宪治

IPC: H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0696

Abstract: 提供一种绝缘栅双极性晶体管，提高空穴的累积效果，并且抑制电流密度下降。在绝缘栅极之间，漂移区域被形成为分离成多个区域。并且，在漂移区域之间，在发射极电极与漂移层之间形成层间绝缘膜。

公开(公告)号：CN101789427A

公开(公告)日：2010-07-28

申请号：CN200910262187.1

申请日：2009-12-25

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 米田秀司 ,  石田裕康 ,  及川慎

IPC: H01L27/06

CPC classification number: H01L27/0652 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/861 ,  H01L29/866 ,  H03K17/163

Abstract: 提供一种绝缘栅型半导体装置。为了防止由于IGBT的切断时的dv/dt过大引起的、IGBT的破坏，采用在芯片上外置连接栅极电阻的电路。但是在对用户提供IGBT的芯片时，有时在用户侧连接dv/dt成为额定值外的电阻值的栅极电阻的情况，存在发生由此引起的IGBT的破坏的问题。通过将二极管和电阻并联连接而与IGBT集成在相同芯片上，并将二极管的阴极连接在IGBT的栅极上，能够在IGBT的芯片内限制dv/dt的值而不会使导通特性变差。通过内置具有能够防止IGBT的dv/dt破坏的电阻值的电阻，能够防止由于在芯片的提供目的地(用户侧)的dv/dt的增大引起的IGBT的破坏。