公开(公告)号：CN100490174C

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200310114903.4

申请日：2003-11-07

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 秋庭隆史 ,  及川慎 ,  岩田昌之

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/407 ,  H01L29/7811

Abstract: 现有功率MOSFET中，在有效工作区最外周的栅电极底部发生电场集中，导致漏区-源区(或集电极-发射极)间耐压恶化。本发明提供一种半导体器件及其制造方法，形成有效工作区最外周的槽使其比有效工作区的槽还要深。因此缓和在有效工作区的栅电极底部的电场集中，能够抑制漏区-源区(或集电极-发射极)间耐压恶化。进而采用扩大最外周的槽开口部的办法，就能在同一工序中形成深度不同的槽。

公开(公告)号：CN1501511A

公开(公告)日：2004-06-02

申请号：CN200310114903.4

申请日：2003-11-07

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 秋庭隆史 ,  及川慎 ,  岩田昌之

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/407 ,  H01L29/7811

Abstract: 现有功率MOSFET中，在有效工作区最外周的栅电极底部发生电场集中，导致漏区－源区(或集电极－发射极)间耐压恶化。本发明提供一种半导体器件及其制造方法，形成有效工作区最外周的槽使其比有效工作区的槽还要深。因此缓和在有效工作区的栅电极底部的电场集中，能够抑制漏区－源区(或集电极－发射极)间耐压恶化。进而采用扩大最外周的槽开口部的办法，就能在同一工序中形成深度不同的槽。

公开(公告)号：CN3549065D

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN200530139403.6

申请日：2005-07-19

Applicant: 三洋电机株式会社

Designer： 石田正一 ,  岩田昌之