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公开(公告)号：CN101355056A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200810134043.3
申请日：2008-07-22
CPC classification number: H01L27/1288 , H01L27/1214
Abstract: 本发明涉及制造薄膜晶体管基板的方法和用在该基板中的感光组合物。公开了一种制造具有高的感光度、耐热性、抗冲击性的薄膜晶体管基板的方法以及为其所用的感光组合物，该方法包括在绝缘基板上形成数据线路，通过涂布感光组合物而在数据线路上形成有机绝缘膜，该感光组合物包含三元共聚物，其中该三元共聚物得自以下单体：不饱和羧酸、不饱和羧酸酐、或其混合物，不饱和的含有环氧基团的化合物、以及烯属化合物。
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公开(公告)号：CN101355056B
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN200810134043.3
申请日：2008-07-22
CPC classification number: H01L27/1288 , H01L27/1214
Abstract: 本发明涉及制造薄膜晶体管基板的方法和用在该基板中的感光组合物。公开了一种制造具有高的感光度、耐热性、抗冲击性的薄膜晶体管基板的方法以及为其所用的感光组合物，该方法包括在绝缘基板上形成数据线路，通过涂布感光组合物而在数据线路上形成有机绝缘膜，该感光组合物包含三元共聚物，其中该三元共聚物得自以下单体：不饱和羧酸、不饱和羧酸酐、或其混合物，不饱和的含有环氧基团的化合物、以及烯属化合物。
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公开(公告)号：CN1721989B
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200510080628.8
申请日：2005-07-04
Applicant: 株式会社东进世美肯
IPC: G03F7/022
CPC classification number: G03F7/0048 , G03F7/0007 , G03F7/022
Abstract: 本发明提供一种光致抗蚀剂组合物，更具体地，本发明提供了包含以下物质的光致抗蚀剂组合物：a)酚醛清漆树脂、b)二叠氮化合物和c)包含丙二醇甲基醚乙酸酯(PGMEA)和2，2，4-三甲基-1，3-戊二醇单异丁基酯(TMPMB)的溶剂。本发明的光致抗蚀剂组合物在涂布后具有优异的涂布均匀性和污染抑制性能，使得它容易适用于实际工业场合，并且在大规模生产时，由于消耗量的降低和生产所需时间的缩短等，该光致抗蚀剂组合物可以改善作业环境。
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公开(公告)号：CN102540560A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110432302.2
申请日：2011-12-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1333 , G02B5/20
CPC classification number: G02B5/201 , G02B5/003 , G02F1/133512 , G02F1/133514
Abstract: 本发明公开一种显示基板及其制造方法和具有其的显示面板。显示面板包括：基底基板，具有多个像素区域，其中每个像素区域包括多个子像素区域；光阻挡层图案，大体上定义子像素区域；和多个滤色器图案。光阻挡层图案和多个滤色器图案的上表面共同形成大体上平的表面。
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公开(公告)号：CN102002334A
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN201010159530.2
申请日：2010-04-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C09J133/02 , C09J133/12 , C09J133/14 , C09J133/10 , C09J125/08 , C09J179/08 , C09J145/00 , C09J183/04 , G02F1/1333
CPC classification number: C08F220/06 , C08F220/26 , C08F222/04 , C08F224/00 , C08G73/1067 , G02F1/133707 , G02F1/133719 , G02F1/133753 , G02F1/133788 , G02F1/136209 , G02F1/13624 , G02F2001/133726 , G02F2001/133746 , G02F2001/133757 , G02F2001/136222 , G02F2201/086 , G02F2202/022 , G02F2202/103 , G02F2202/104
Abstract: 本发明提供了一种有机层组合物以及包括该有机层组合物的液晶显示器。根据一种示例性实施方式的有机层组合物包括通过使包括在第一组和第二组中的化合物共聚合而形成的粘合剂，其中第一组包括基于丙烯酰基的化合物，而第二组包括没有-COO-基团的化合物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1432872A
公开(公告)日：2003-07-30
申请号：CN02150451.2
申请日：2002-11-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/012 , G03F7/038 , G03F7/16 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0236 , G03F7/0226 , G03F7/40
Abstract: 本发明公开一种具有良好灵敏度和余层特性的光致抗蚀剂组合物和用该组合物形成图案的方法。该光致抗蚀剂组合物包括约5％重量至约30％重量的聚合树脂、约2％重量至约10％重量的光敏化合物、约0.1％至约10％重量的灵敏度提高剂、约0.1％重量至约10％重量的灵敏度抑制剂和约60％重量至约90％重量的有机溶剂。在基板上涂覆光致抗蚀剂组合物，然后干燥涂覆的光致抗蚀剂组合物，形成光致抗蚀剂层。然后，通过使用具有预定形状的掩模使所述光致抗蚀剂层曝光。接下来，通过使曝光的光致抗蚀剂层显影而形成光致抗蚀剂图案。光致抗蚀剂图案具有均匀的涂层厚度和临界尺寸。
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公开(公告)号：CN101477308A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200810190664.3
申请日：2008-12-26
Applicant: 三星电子株式会社 , 高科技实美化学株式公社
CPC classification number: H01L27/1288 , G03F7/0007 , G03F7/027 , G03F7/033 , H01L27/1214 , Y10S430/111
Abstract: 本发明提供负型光刻胶组合物及使用其制造阵列基板的方法。负型光刻胶组合物包括：包含含有乙烯不饱和键的乙烯不饱和化合物和光聚合引发剂的能光固化组合物；包含通过热交联的碱溶性树脂的热固性组合物；和有机溶剂。该负型光刻胶组合物改善稳定性、感光度、在进行显影操作后的可分离性，并减少残留物以改善有机绝缘层的可靠性。此外，负型光刻胶组合物改善有机绝缘层的透射率并减小色坐标的变化以改善显示装置的显示质量。
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公开(公告)号：CN1296772C
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN02150451.2
申请日：2002-11-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/012 , G03F7/038 , G03F7/16 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0236 , G03F7/0226 , G03F7/40
Abstract: 本发明公开一种具有良好灵敏度和余层特性的光致抗蚀剂组合物和用该组合物形成图案的方法。该光致抗蚀剂组合物包括约5%重量至约30%重量的聚合树脂、约2%重量至约10%重量的光敏化合物、约0.1%至约10%重量的灵敏度提高剂、约0.1%重量至约10%重量的灵敏度抑制剂和约60%重量至约90%重量的有机溶剂。在基板上涂覆光致抗蚀剂组合物，然后干燥涂覆的光致抗蚀剂组合物，形成光致抗蚀剂层。然后，通过使用具有预定形状的掩模使所述光致抗蚀剂层曝光。接下来，通过使曝光的光致抗蚀剂层显影而形成光致抗蚀剂图案。光致抗蚀剂图案具有均匀的涂层厚度和临界尺寸。
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公开(公告)号：CN100501571C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200410028333.1
申请日：2004-01-03
CPC classification number: G03F7/0236 , G03F7/0048
Abstract: 本发明涉及一种用于MMN(多个微型喷嘴)涂布机的光致抗蚀剂组合物，更具体地，本发明涉及一种用于液晶显示器电路的光致抗蚀剂组合物，其包含分子量为2000～12000的酚醛清漆树脂、重氮化物光活性化合物、有机溶剂和硅基表面活性剂。本发明的用于液晶显示器电路的光致抗蚀剂组合物解决了在用于大型基底玻璃的MMN涂布机中出现的污染问题，并提高了涂层性能，因此它能够在工业上应用，并预期明显提高生产率。
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公开(公告)号：CN119335807A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202410236119.2
申请日：2024-03-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了掩模制造方法。所述掩模制造方法包括：通过对光学邻近校正(OPC)目标设计布局实施第一OPC来获得第一光学邻近校正后的(OPCed)设计布局；基于所述第一OPCed设计布局对所述OPC目标设计布局执行反向剖分以生成第一段；执行反向校正以将所述第一OPCed设计布局的第一偏差分配给所述OPC目标设计布局的所述第一段；基于所述第一段的段分组确定全芯片代表性偏差；将所述全芯片代表性偏差应用于整个芯片区域；基于已经应用于所述整个芯片区域的所述全芯片代表性偏差来准备掩模数据；以及基于所述掩模数据使掩模衬底曝光。
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