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公开(公告)号：CN100501571C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200410028333.1
申请日：2004-01-03
CPC classification number: G03F7/0236 , G03F7/0048
Abstract: 本发明涉及一种用于MMN(多个微型喷嘴)涂布机的光致抗蚀剂组合物，更具体地，本发明涉及一种用于液晶显示器电路的光致抗蚀剂组合物，其包含分子量为2000～12000的酚醛清漆树脂、重氮化物光活性化合物、有机溶剂和硅基表面活性剂。本发明的用于液晶显示器电路的光致抗蚀剂组合物解决了在用于大型基底玻璃的MMN涂布机中出现的污染问题，并提高了涂层性能，因此它能够在工业上应用，并预期明显提高生产率。
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公开(公告)号：CN1550897A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN200410028333.1
申请日：2004-01-03
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G03F7/0236 , G03F7/0048
Abstract: 本发明涉及一种用于MMN(多个微型喷嘴)涂布机的光致抗蚀剂组合物，更具体地，本发明涉及一种用于液晶显示器电路的光致抗蚀剂组合物，其包含分子量为2000～12000的酚醛清漆树脂、二叠氮光活性化合物、有机溶剂和硅基表面活性剂。本发明的用于液晶显示器电路的光致抗蚀剂组合物解决了在用于大型基底玻璃的MMN涂布机中出现的污染问题，并提高了涂层性能，因此它能够在工业上应用，并预期明显提高生产率。
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公开(公告)号：CN1163797C
公开(公告)日：2004-08-25
申请号：CN00126260.2
申请日：2000-08-30
IPC: G03F7/008
CPC classification number: G03F7/0048 , G03F7/0226
Abstract: 本发明涉及一种感光速度及残膜率优秀，恶臭的发生量少，从而能够改善作业环境的正型光致抗蚀剂组合物，其包括：用以形成光致抗蚀剂层的高分子树脂、由于曝光而使光致抗蚀剂层的溶解度发生改变的感光性化合物以及作为溶剂的3-甲氧丁基乙酯、2-庚酮和4-丁内酯。
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公开(公告)号：CN1241072C
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN00817711.2
申请日：2000-12-08
Applicant: 三星电子株式会社 , AZ电子材料(日本)株式会社
IPC: G03F7/42 , H01L21/027 , C11D7/50
CPC classification number: G03F7/168 , G03F7/38 , G03F7/42 , G03F7/422 , H01L21/02052 , H01L21/0274 , H01L21/31133
Abstract: 本发明提供一种用于冲洗光致抗蚀剂的稀释剂，其包括50到80重量%的醋酸正丁酯，丙二醇烷基醚，和丙二醇烷基醚醋酸酯。该稀释剂既对人类无毒害，也不对生态带来不利影响，而且没有不适的气味。其废液和与之相关的废水容易处理，由此使得这种稀释剂对环境友好。本发明的光致抗蚀剂稀释剂具有优异的冲洗能力。
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公开(公告)号：CN1297169A
公开(公告)日：2001-05-30
申请号：CN00126840.6
申请日：2000-09-06
IPC: G03F7/16
CPC classification number: G03F7/0048 , G03F7/0226 , G03F7/162
Abstract: 本发明提供了一种阳性光致抗蚀剂层的制备方法。在该方法中,将所述光致抗蚀剂组合物滴加到形成于基片上的绝缘层或导电性金属层上。所述光致抗蚀剂组合物包含聚合物树脂、由于曝光而使光致抗蚀剂层的溶解度发生改变的感光剂及溶剂。将上述涂敷了光致抗蚀剂组合物的基片以1250至1350rpm的转速旋转4.2至4.8秒。然后,干燥上述涂覆了光致抗蚀剂组合物的基片并将上述干燥的基片进行曝光。接着,利用碱性显像液清除曝光部位。所述溶剂包括乙酸3－甲氧基丁酯和4－丁内酯,或者包括乙酸3－甲氧基丁酯、2－庚酮和4－丁内酯。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1288178A
公开(公告)日：2001-03-21
申请号：CN00126260.2
申请日：2000-08-30
IPC: G03F7/008
CPC classification number: G03F7/0048 , G03F7/0226
Abstract: 本发明涉及一种感光速度及残膜率优秀,恶臭的发生量少,从而能够改善作业环境的正型光致抗蚀剂组合物,其包括:用以形成光致抗蚀剂层的高分子树脂、由于曝光而使光致抗蚀剂层的溶解度发生改变的感光性化合物以及作为溶剂的3－甲氧丁基乙酯、2－庚酮和4－丁内酯。
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公开(公告)号：CN1288501C
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN02825525.9
申请日：2002-02-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G03F7/0226
Abstract: 本发明涉及具有用于LCD生产方法的耐高温性的光致抗蚀剂组合物，且更具体地说，本发明涉及具有耐高温性的能够减少工艺的策略(一种方式)、工艺简化和节约费用的光致抗蚀剂组合物。本发明的组合物通过使跳过5步工艺成为可能而有利于这一特性，诸如形成金属薄膜的Cr金属沉积和整个金属表面的光/蚀刻/PR剥离/蚀刻步骤；通过用本发明的组合物取代常用的金属薄膜，使得TFT-LCD生产过程中的N+离子掺入可以因其耐高温性而进行。
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公开(公告)号：CN1184534C
公开(公告)日：2005-01-12
申请号：CN00126840.6
申请日：2000-09-06
CPC classification number: G03F7/0048 , G03F7/0226 , G03F7/162
Abstract: 本发明提供了一种正型光致抗蚀剂层的制备方法。在该方法中，将所述光致抗蚀剂组合物滴加到形成于基片上的绝缘层或导电性金属层上。所述光致抗蚀剂组合物包含聚合物树脂、由于曝光而使光致抗蚀剂层的溶解度发生改变的感光剂及溶剂。将上述涂敷了光致抗蚀剂组合物的基片以1250至1350rpm的转速旋转4.2至4.8秒。然后，干燥上述涂覆了光致抗蚀剂组合物的基片并将上述干燥的基片进行曝光。接着，利用碱性显像液清除曝光部位。所述溶剂包括乙酸3-甲氧基丁酯和γ-丁内酯，或者包括乙酸3-甲氧基丁酯、2-庚酮和γ-丁内酯。
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公开(公告)号：CN1432872A
公开(公告)日：2003-07-30
申请号：CN02150451.2
申请日：2002-11-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/012 , G03F7/038 , G03F7/16 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0236 , G03F7/0226 , G03F7/40
Abstract: 本发明公开一种具有良好灵敏度和余层特性的光致抗蚀剂组合物和用该组合物形成图案的方法。该光致抗蚀剂组合物包括约5％重量至约30％重量的聚合树脂、约2％重量至约10％重量的光敏化合物、约0.1％至约10％重量的灵敏度提高剂、约0.1％重量至约10％重量的灵敏度抑制剂和约60％重量至约90％重量的有机溶剂。在基板上涂覆光致抗蚀剂组合物，然后干燥涂覆的光致抗蚀剂组合物，形成光致抗蚀剂层。然后，通过使用具有预定形状的掩模使所述光致抗蚀剂层曝光。接下来，通过使曝光的光致抗蚀剂层显影而形成光致抗蚀剂图案。光致抗蚀剂图案具有均匀的涂层厚度和临界尺寸。
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公开(公告)号：CN1432871A
公开(公告)日：2003-07-30
申请号：CN02145838.3
申请日：2002-10-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/008 , G03F7/012 , G03F7/00 , G02F1/1333
CPC classification number: G03F7/0233 , G03F7/40
Abstract: 本发明公开一种包括热致酸生成剂的光致抗蚀剂组合物和用其形成图案的方法。该光致抗蚀剂组合物包括约100重量份的碱溶性丙烯酰基共聚物，约5－100重量份的1，2－醌二叠氮化合物，约2－35重量份的含氮交联剂，约0.1－10重量份的加热能产生酸的热致酸生成剂。在基底上涂覆光致抗蚀剂组合物并干燥，形成光致抗蚀剂层。通过使用具有预定形状的掩模使光致抗蚀剂层曝光。通过使用含水碱性溶液使曝光的光致抗蚀剂层显影，形成光致抗蚀剂图案。加热这样得到的光致抗蚀剂图案，使其固化，不会产生热回流。
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