Patent search ap:("三星电子株式会社") AND inv:"吴受珍" Page 1

1.

发明公开
掩模制造方法审中-公开

公开(公告)号：CN119335807A

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202410236119.2

申请日：2024-03-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吴兴锡 , 姜勋 , 金尚昱 , 金相勋 , 吴受珍 , 吴真锡

IPC: G03F1/36 , G03F1/70

Abstract: 提供了掩模制造方法。所述掩模制造方法包括：通过对光学邻近校正(OPC)目标设计布局实施第一OPC来获得第一光学邻近校正后的(OPCed)设计布局；基于所述第一OPCed设计布局对所述OPC目标设计布局执行反向剖分以生成第一段；执行反向校正以将所述第一OPCed设计布局的第一偏差分配给所述OPC目标设计布局的所述第一段；基于所述第一段的段分组确定全芯片代表性偏差；将所述全芯片代表性偏差应用于整个芯片区域；基于已经应用于所述整个芯片区域的所述全芯片代表性偏差来准备掩模数据；以及基于所述掩模数据使掩模衬底曝光。

Patent Agency Ranking