光致抗蚀剂组合物及用该组合物形成图案的方法

    公开(公告)号:CN1432872A

    公开(公告)日:2003-07-30

    申请号:CN02150451.2

    申请日:2002-11-12

    CPC classification number: G03F7/0236 G03F7/0226 G03F7/40

    Abstract: 本发明公开一种具有良好灵敏度和余层特性的光致抗蚀剂组合物和用该组合物形成图案的方法。该光致抗蚀剂组合物包括约5%重量至约30%重量的聚合树脂、约2%重量至约10%重量的光敏化合物、约0.1%至约10%重量的灵敏度提高剂、约0.1%重量至约10%重量的灵敏度抑制剂和约60%重量至约90%重量的有机溶剂。在基板上涂覆光致抗蚀剂组合物,然后干燥涂覆的光致抗蚀剂组合物,形成光致抗蚀剂层。然后,通过使用具有预定形状的掩模使所述光致抗蚀剂层曝光。接下来,通过使曝光的光致抗蚀剂层显影而形成光致抗蚀剂图案。光致抗蚀剂图案具有均匀的涂层厚度和临界尺寸。

    光致抗蚀剂组合物及用该组合物形成图案的方法

    公开(公告)号:CN1296772C

    公开(公告)日:2007-01-24

    申请号:CN02150451.2

    申请日:2002-11-12

    CPC classification number: G03F7/0236 G03F7/0226 G03F7/40

    Abstract: 本发明公开一种具有良好灵敏度和余层特性的光致抗蚀剂组合物和用该组合物形成图案的方法。该光致抗蚀剂组合物包括约5%重量至约30%重量的聚合树脂、约2%重量至约10%重量的光敏化合物、约0.1%至约10%重量的灵敏度提高剂、约0.1%重量至约10%重量的灵敏度抑制剂和约60%重量至约90%重量的有机溶剂。在基板上涂覆光致抗蚀剂组合物,然后干燥涂覆的光致抗蚀剂组合物,形成光致抗蚀剂层。然后,通过使用具有预定形状的掩模使所述光致抗蚀剂层曝光。接下来,通过使曝光的光致抗蚀剂层显影而形成光致抗蚀剂图案。光致抗蚀剂图案具有均匀的涂层厚度和临界尺寸。

    掩模制造方法
    8.
    发明公开
    掩模制造方法 审中-公开

    公开(公告)号:CN119335807A

    公开(公告)日:2025-01-21

    申请号:CN202410236119.2

    申请日:2024-03-01

    Abstract: 提供了掩模制造方法。所述掩模制造方法包括:通过对光学邻近校正(OPC)目标设计布局实施第一OPC来获得第一光学邻近校正后的(OPCed)设计布局;基于所述第一OPCed设计布局对所述OPC目标设计布局执行反向剖分以生成第一段;执行反向校正以将所述第一OPCed设计布局的第一偏差分配给所述OPC目标设计布局的所述第一段;基于所述第一段的段分组确定全芯片代表性偏差;将所述全芯片代表性偏差应用于整个芯片区域;基于已经应用于所述整个芯片区域的所述全芯片代表性偏差来准备掩模数据;以及基于所述掩模数据使掩模衬底曝光。

    光学邻近校正方法和使用其的半导体制作方法

    公开(公告)号:CN119225111A

    公开(公告)日:2024-12-31

    申请号:CN202410290458.9

    申请日:2024-03-14

    Abstract: 公开了光学邻近校正方法和使用其的半导体制作方法。所述半导体制作方法包括:对布局的设计图案执行光学邻近校正以生成校正后的布局;以及通过使用用所述校正后的布局制造的光掩模来在衬底上形成光刻胶图案。执行所述光学邻近校正包括:在所述设计图案的轮廓上生成形状点;产生所述形状点的散列值;选择代表第一形状点的第一独特形状点;确定所述第一独特形状点的第一校正偏置;以及通过将所述第一校正偏置共同应用于所述第一形状点来创建校正图案。产生所述散列值包括:生成目标形状点周围的查询范围;以及基于所述查询范围内的几何分析,产生所述散列值。

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