公开(公告)号：CN105023829A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201510202044.7

申请日：2015-04-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 威廉·索拉里 ,  金敏浩 ,  李宪昊

IPC: H01L21/02 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0066 ,  H01L33/0075

Abstract: 本发明提供了生长氮化物单晶体的方法和制造氮化物半导体器件的方法。一种生长III族氮化物晶体的方法包括以下步骤：在硅基底上形成缓冲层以及在缓冲层上生长III族氮化物晶体。通过其中提供III族金属源和氮源气体的金属有机化学气相沉积(MOCVD)来执行生长III族氮化物晶体的方法。氮源气体包括氢(H2)以及包括氨(NH3)和氮(N2)中的至少一种。可在其中氢在氮源气体中的体积分数的范围为20％至40％并且硅基底的温度范围为950℃至1040℃的条件下执行生长III族氮化物晶体的操作的至少一部分阶段。

公开(公告)号：CN102154689B

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201010542800.8

申请日：2010-11-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东柱 ,  沈炫旭 ,  李宪昊 ,  金荣善 ,  金晟泰

IPC: C30B25/00 ,  C30B25/02 ,  C30B25/14 ,  C30B29/40 ,  H01L33/00 ,  H01L33/02

CPC classification number: C23C16/54 ,  C23C16/45563 ,  C30B23/02 ,  C30B25/14 ,  C30B29/40 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007

Abstract: 本发明提供了一种气相沉积系统、一种制造发光装置的方法和一种发光装置。根据本发明一方面的气相沉积系统可包括：第一室，具有第一基座和至少一个气体分配器，所述至少一个气体分配器沿与设置在所述第一基座上的基底平行的方向排放气体；第二室，具有第二基座和至少一个第二气体分配器，所述至少一个第二气体分配器布置在所述第二基座上方，以向下排放气体。当使用根据本发明一方面的气相沉积系统时，由此生长的半导体层具有优异的晶体质量，由此提高发光装置的性能。此外，在提高气相沉积系统的操作能力和产率的同时，可以防止设备的劣化。

公开(公告)号：CN103872200A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201310675942.5

申请日：2013-12-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李成淑 ,  金沃炫 ,  李东律 ,  李东柱 ,  李庭旭 ,  李宪昊

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/12 ,  H01L33/22 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/32

Abstract: 本公开提供了形成半导体层的方法、半导体发光器件及其制造方法。形成半导体层的方法包括：在衬底上形成多个纳米柱；在衬底上形成下部半导体层，以暴露至少部分的纳米柱；去除纳米柱，以在下部半导体层中形成空隙；以及在下部半导体层和空隙的上部上形成上部半导体层。

公开(公告)号：CN103872200B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201310675942.5

申请日：2013-12-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李成淑 ,  金沃炫 ,  李东律 ,  李东柱 ,  李庭旭 ,  李宪昊

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/12 ,  H01L33/22

Abstract: 本公开提供了形成半导体层的方法、半导体发光器件及其制造方法。形成半导体层的方法包括：在衬底上形成多个纳米柱；在衬底上形成下部半导体层，以暴露至少部分的纳米柱；去除纳米柱，以在下部半导体层中形成空隙；以及在下部半导体层和空隙的上部上形成上部半导体层。

公开(公告)号：CN102593279B

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201210001662.1

申请日：2012-01-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东柱 ,  李宪昊 ,  沈炫旭 ,  金荣善

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/02

CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L33/007 ,  H01L33/32

Abstract: 提供了一种制造发光二极管的方法及通过该方法制造的发光二极管。该方法包括：在第一反应室中在基底上顺序地生长第一导电类型氮化物半导体层和未掺杂氮化物半导体层；将其上生长有第一导电类型氮化物半导体层和未掺杂氮化物半导体层的基底转移至第二反应室；在第二反应室中在未掺杂氮化物半导体层上生长附加第一导电类型氮化物半导体层；在附加第一导电类型氮化物半导体层上生长有源层；以及在有源层上生长第二导电类型氮化物半导体层。