公开(公告)号：CN103650173A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201180072081.0

申请日：2011-07-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩尚宪 ,  沈炫旭 ,  金制远 ,  赵周映 ,  朴成柱 ,  金晟泰 ,  金珍泰 ,  金容天 ,  李尚准

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/04 ,  H01L33/06

CPC classification number: H01L33/0025 ,  H01L33/04 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明涉及半导体发光器件，其防止电子的外溢同时增加进入有源层内部的空穴的浓度，从而改善发光效率。本发明包括：n型半导体层；有源层，其形成在所述n型半导体层上并且在其中交替层叠有至少一个量子阱层和至少一个量子势垒层；电子阻挡层，其形成在所述有源层上，并且具有至少一个多层结构，在所述多层结构中层叠有具有不同能带间隙的三层，其中在所述三层中与所述有源层相邻的层具有倾斜的能带结构；以及p型半导体层，其形成在所述电子阻挡层上。