公开(公告)号：CN105489715A

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201510612160.6

申请日：2015-09-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩尚宪 ,  李东律 ,  金承贤 ,  金长美 ,  尹晳胡 ,  李尚准

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/06

CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/007 ,  H01L33/06 ,  H01L33/145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48237 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L33/005 ,  H01L2933/0008 ,  H01L2933/0025

Abstract: 本发明提供了一种制造半导体发光器件的方法，包括：形成第一导电类型的半导体层；通过在第一导电类型的半导体层上交替地形成多个量子阱层和多个量子势垒层来形成有源层；以及在有源层上形成第二导电类型的半导体层。所述多个量子势垒层包括邻近第一导电类型的半导体层的至少一个第一量子势垒层和邻近第二导电类型的半导体层的至少一个第二量子势垒层。有源层的形成包括：允许在第一温度下生长所述至少一个第一量子势垒层；以及允许在低于第一温度的第二温度下生长所述至少一个第二量子势垒层。本发明还提供了一种发光模块和一种照明设备。

公开(公告)号：CN105006502A

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201510202504.6

申请日：2015-04-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东律 ,  韩尚宪 ,  金承贤 ,  金长美 ,  威廉·索拉里 ,  沈炫旭 ,  尹晳胡

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/02 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/0254 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4404 ,  H01L21/02107 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02496 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007 ,  H01J37/3288

Abstract: 本公开涉及制造半导体器件的方法和维护沉积设备的方法。制造半导体器件的方法包括：通过将铝(Al)源供应至处理室，在处理室的表面上形成铝化合物膜，所述表面接触处理室中的铝源；在形成铝化合物膜之后，将晶圆布置在设置在处理室中的承受器上；以及在晶圆上形成用于半导体器件的薄膜。

公开(公告)号：CN103996753A

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201410051132.7

申请日：2014-02-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩尚宪 ,  金南星 ,  金东俊 ,  司空坦 ,  申东益 ,  李焘英 ,  李庭旭

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/205 ,  C23C16/34

CPC classification number: H01L33/007 ,  C23C16/4583 ,  C23C16/54 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/67326 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明公开了一种制造半导体发光器件的方法以及化学气相沉积设备，该方法包括步骤：在衬底上顺序地生长第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层，以形成发光层。形成发光层的步骤包括第一生长工序、第二生长工序和转移工序。第一生长工序使用具有第一曲率安装表面的第一基座。第二生长工序使用具有第二曲率安装表面的第二基座，所述第二曲率不同于所述第一曲率。转移工序在所述第一生长工序与所述第二生长工序之间将所述衬底从所述第一基座转移至所述第二基座。

公开(公告)号：CN103811603A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201310567368.1

申请日：2013-11-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李相沌 ,  徐钟旭 ,  韩尚宪

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/007 ,  H01L33/02 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/025

Abstract: 本公开提供了半导体发光器件及其制造方法。半导体发光器件包括由III族氮化物半导体配置的基底层、形成在基底层的III族元素极性表面上的极性修改层、以及形成在极性修改层上的具有多层结构的III族氮化物半导体的发光叠层，该多层结构中的至少一层的上表面由N极性表面形成。

公开(公告)号：CN103887383A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201310713410.6

申请日：2013-12-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩尚宪 ,  洪锺波 ,  金承贤 ,  申仑熺 ,  李庭旭

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/02

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L33/20 ,  H01L2933/0091 ,  H01L33/22 ,  H01L33/12 ,  H01L33/32

Abstract: 本公开提供了半导体发光器件及其制造方法。制造半导体发光器件的方法包括：在衬底上形成多个凹部；将二氧化硅粒子注入多个凹部；以及在衬底上形成半导体层，半导体层包括在半导体层的位于多个凹部的上方的部分中形成的空隙。

公开(公告)号：CN103748663A

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：CN201180072057.7

申请日：2011-08-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李寿英 ,  金荣善 ,  金晟泰 ,  韩尚宪 ,  金起成

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C30B25/08 ,  C23C16/44 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4411 ,  C23C16/45508 ,  C23C16/4584 ,  C30B25/12 ,  C30B25/14

Abstract: 本发明公开了一种金属有机物化学气相沉积（MOCVD）设备。根据本发明的MOCVD设备包括：反应腔室，其包括限定具有一定体积的内部空间的腔室主体和密闭地密封所述腔室主体以保持气密性的腔室盖；基座，其可旋转地设置在所述腔室主体内并且在上表面中具有用于容纳晶片的至少一个凹处；盖元件，其可拆卸地设置在所述腔室盖的内表面上，从而限定所述基座和所述盖元件之间的反应空间，并且所述盖元件由彼此耦接的多个分段元件形成；以及气体供应单元，其将反应气体提供至所述反应空间，使得所述反应气体在所述基座和所述盖元件之间流动。

公开(公告)号：CN103650173A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201180072081.0

申请日：2011-07-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩尚宪 ,  沈炫旭 ,  金制远 ,  赵周映 ,  朴成柱 ,  金晟泰 ,  金珍泰 ,  金容天 ,  李尚准

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/04 ,  H01L33/06

CPC classification number: H01L33/0025 ,  H01L33/04 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明涉及半导体发光器件，其防止电子的外溢同时增加进入有源层内部的空穴的浓度，从而改善发光效率。本发明包括：n型半导体层；有源层，其形成在所述n型半导体层上并且在其中交替层叠有至少一个量子阱层和至少一个量子势垒层；电子阻挡层，其形成在所述有源层上，并且具有至少一个多层结构，在所述多层结构中层叠有具有不同能带间隙的三层，其中在所述三层中与所述有源层相邻的层具有倾斜的能带结构；以及p型半导体层，其形成在所述电子阻挡层上。

公开(公告)号：CN103650175A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201180071914.1

申请日：2011-07-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈炫旭 ,  韩尚宪 ,  韩在雄 ,  申东澈 ,  金制远 ,  李东柱

IPC: H01L33/22

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/025 ,  H01L33/20 ,  H01L33/24

Abstract: 本发明涉及能够改善发光效率的半导体发光器件及其制造方法。根据本发明的一个实施例的半导体发光器件包括：n型半导体层，其上表面上有至少一个凹坑；形成在所述n型半导体层上的有源层，所述有源层在与所述凹坑对应的区域中具有沿所述凹坑凹进的顶表面；和形成在所述有源层上的p型半导体层，所述p型半导体层在与所述凹坑对应的区域中具有沿所述有源层的凹痕凹进的顶表面。

公开(公告)号：CN105489715B

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201510612160.6

申请日：2015-09-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩尚宪 ,  李东律 ,  金承贤 ,  金长美 ,  尹晳胡 ,  李尚准

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/06

CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/007 ,  H01L33/06 ,  H01L33/145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48237 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供了一种制造半导体发光器件的方法，包括：形成第一导电类型的半导体层；通过在第一导电类型的半导体层上交替地形成多个量子阱层和多个量子势垒层来形成有源层；以及在有源层上形成第二导电类型的半导体层。所述多个量子势垒层包括邻近第一导电类型的半导体层的至少一个第一量子势垒层和邻近第二导电类型的半导体层的至少一个第二量子势垒层。有源层的形成包括：允许在第一温度下生长所述至少一个第一量子势垒层；以及允许在低于第一温度的第二温度下生长所述至少一个第二量子势垒层。本发明还提供了一种发光模块和一种照明设备。

公开(公告)号：CN102534562B

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201110448650.9

申请日：2011-12-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李焘英 ,  林珍永 ,  韩尚宪 ,  金起成 ,  金荣善 ,  金晟泰

IPC: C23C16/458 ,  C23C16/46

CPC classification number: H01L21/68757 ,  H01L21/68771

Abstract: 本发明提供了一种用于化学气相沉积设备的基座、化学气相沉积设备和使用该化学气相沉积设备加热基板的方法。用于化学气相沉积(CVD)设备的基座包括：基座本体，具有与其下表面相对的上表面并且由透光材料形成，基座本体的上表面具有至少一个形成为在其内容纳基板的袋状部分；吸光单元，在基座本体的上表面上由吸光材料形成。