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公开(公告)号：CN102315340B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201110185733.3
申请日：2011-07-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/0079 , H01L2933/0091
Abstract: 本发明公开了一种制造半导体发光器件的方法及半导体发光器件。本方法包括：提供具有彼此相对的第一主表面和第二主表面的基板，并在第一主表面中形成第一不平坦结构；在基板的第一主表面上形成牺牲层；在所述牺牲层上形成具有开口区域的掩模，从而使牺牲层的上表面的一部分暴露；通过经由开口区域蚀刻牺牲层和基板而在基板上形成第二不平坦结构；从基板上去除牺牲层和掩模；以及在基板的第一不平坦结构和第二不平坦结构上形成发光堆。
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公开(公告)号：CN102534562B
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201110448650.9
申请日：2011-12-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C16/458 , C23C16/46
CPC classification number: H01L21/68757 , H01L21/68771
Abstract: 本发明提供了一种用于化学气相沉积设备的基座、化学气相沉积设备和使用该化学气相沉积设备加热基板的方法。用于化学气相沉积(CVD)设备的基座包括：基座本体，具有与其下表面相对的上表面并且由透光材料形成，基座本体的上表面具有至少一个形成为在其内容纳基板的袋状部分；吸光单元，在基座本体的上表面上由吸光材料形成。
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公开(公告)号：CN102315350B
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201110183378.6
申请日：2011-06-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/0066 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L2933/0025 , H01L2933/0091
Abstract: 本发明公开了半导体发光二极管及其制造方法。制造半导体发光二极管(LED)的方法包括：在具有凸起和凹陷的基板上形成发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、活性层和第二导电半导体层；从发光结构去除基板，以暴露对应于凸起和凹陷的第一凹凸部；在第一凹凸部上形成保护层；去除保护层的一部分，以暴露第一凹凸部的凸部；以及在第一凹凸部的凸部上形成第二凹凸部。半导体发光二极管(LED)包括：包括第一导电型半导体层、活性层和第二导电型半导体层的发光结构；形成在发光结构上并在其凸部处具有第二凹凸部的第一凹凸部；以及填充第一凹凸部的凹部的保护层。
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公开(公告)号：CN102881792A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201210241696.8
申请日：2012-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/0262 , C30B25/14 , C30B29/406 , H01L21/0254
Abstract: 本发明提供了半导体外延薄膜生长方法以及用其制造半导体发光器件的方法。该半导体外延薄膜生长方法包括：在反应室中布置装载在晶片保持器中的多个晶片；以及通过气体供应单元向所述晶片喷射含有氯有机金属化合物的反应气体，以便在每一个所述晶片的表面上生长半导体外延薄膜，所述气体供应单元设置为在装载所述晶片的方向上延伸。
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公开(公告)号：CN103361635A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310100939.0
申请日：2013-03-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C16/458 , C23C16/46
CPC classification number: H01L21/02104 , C23C16/4584 , C23C16/46
Abstract: 本公开提供了化学气相沉积（CVD）装置和半导体制造装置。该化学气相沉积（CVD）装置包括腔室、在腔室中的基座以及加热单元。基座包括转子、耦接到转子的下部的旋转轴、耦接到旋转轴的驱动器件、以及限定在转子的上表面处的至少一个凹坑。驱动器件可旋转地驱动旋转轴。至少一个凹坑包括配置为在其上接收衬底的安装部分以及从至少一个凹坑的底表面突出的突出部分（例如，凸出部分），使得突出部分位于对应于旋转轴的区域处。加热单元围绕旋转轴并配置为加热衬底。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102888594A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201210210547.5
申请日：2012-06-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/02458 , C23C16/303 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/0062 , H01L33/32
Abstract: 本发明公开了一种化学气相沉积方法和一种利用该化学气相沉积方法制造发光器件的方法。化学气相沉积(CVD)方法包括：在第一工艺温度下在安装在附属盘上的基底上形成第一半导体层；在第二工艺温度下在第一半导体层上形成第二半导体层。另外，制造发光器件(LED)的方法包括：在第一工艺温度下在安装在附属盘上的基底上形成量子势阱层；在第二工艺温度下在量子势阱层上形成量子势垒层。
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公开(公告)号：CN1893208A
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200610090854.9
申请日：2006-06-26
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金起成
Abstract: 本发明公开了一种改进的VECSEL装置，其中每个量子势阱层的增益在所提供的周期性增益结构中可以得到增加。垂直外腔表面发射激光器(VECSEL)装置包括：基板；底部DBR镜，形成在该基板上；多重量子势阱层，形成在底部DBR镜上，并且包括多个量子势阱层和第一和第二应变补偿层，分别形成在每个量子势阱层之上和之下，以逐步释放量子势阱层的应变；顶盖层，形成在该多重量子势阱层上；光泵，发射泵浦束到该顶盖层的表面上；和外腔反射镜，与底部DBR镜分隔并且面向底部DBR镜。
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公开(公告)号：CN1638219A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410092363.9
申请日：2004-11-09
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金起成
CPC classification number: H01S5/183 , B82Y20/00 , H01S5/3211 , H01S5/32366 , H01S5/3407 , H01S5/34306 , H01S5/34313
Abstract: 提供一种具有包括多个阻挡层的GaInNAs量子阱结构的半导体装置，其中通过改变所述阻挡层中的成分和厚度来控制所述装置的发射波长，以及提供一种使用该半导体装置的半导体激光器以及其制造方法。所述半导体激光器包括：GaAs基衬底，在GaAs基衬底上形成的量子阱结构，围绕量子阱结构的包覆层，及与包覆层电连接的一对电极。所述量子阱结构包括：一量子阱层，彼此面对且有源区位于其间的一对第一阻挡层，以及与各个第一阻挡层相邻的一对第二阻挡层。可以防止在传统量子阱结构中产生的长波范围中光学质量下降，并且防止当GaInNAs量子阱结构受到热处理时所出现的发射波长朝较短波长范围移动。
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公开(公告)号：CN103748663A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201180072057.7
申请日：2011-08-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C30B25/08 , C23C16/44 , C23C16/4401 , C23C16/4411 , C23C16/45508 , C23C16/4584 , C30B25/12 , C30B25/14
Abstract: 本发明公开了一种金属有机物化学气相沉积（MOCVD）设备。根据本发明的MOCVD设备包括：反应腔室，其包括限定具有一定体积的内部空间的腔室主体和密闭地密封所述腔室主体以保持气密性的腔室盖；基座，其可旋转地设置在所述腔室主体内并且在上表面中具有用于容纳晶片的至少一个凹处；盖元件，其可拆卸地设置在所述腔室盖的内表面上，从而限定所述基座和所述盖元件之间的反应空间，并且所述盖元件由彼此耦接的多个分段元件形成；以及气体供应单元，其将反应气体提供至所述反应空间，使得所述反应气体在所述基座和所述盖元件之间流动。
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公开(公告)号：CN103426982A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310196886.7
申请日：2013-05-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0079
Abstract: 提供了一种制造半导体发光装置的方法。所述方法包括通过在半导体生长基板上顺序地生长第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层来形成发光结构。在第二导电类型半导体层上设置支撑单元，以与发光结构结合。从发光结构分离半导体生长基板。湿法蚀刻半导体生长基板和残留的发光结构之间的界面，从而使残留在分离后的半导体生长基板上的发光结构从半导体生长基板分离。清洗半导体生长基板。
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