公开(公告)号：CN103650173A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201180072081.0

申请日：2011-07-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩尚宪 ,  沈炫旭 ,  金制远 ,  赵周映 ,  朴成柱 ,  金晟泰 ,  金珍泰 ,  金容天 ,  李尚准

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/04 ,  H01L33/06

CPC classification number: H01L33/0025 ,  H01L33/04 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明涉及半导体发光器件，其防止电子的外溢同时增加进入有源层内部的空穴的浓度，从而改善发光效率。本发明包括：n型半导体层；有源层，其形成在所述n型半导体层上并且在其中交替层叠有至少一个量子阱层和至少一个量子势垒层；电子阻挡层，其形成在所述有源层上，并且具有至少一个多层结构，在所述多层结构中层叠有具有不同能带间隙的三层，其中在所述三层中与所述有源层相邻的层具有倾斜的能带结构；以及p型半导体层，其形成在所述电子阻挡层上。

公开(公告)号：CN102593279B

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201210001662.1

申请日：2012-01-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东柱 ,  李宪昊 ,  沈炫旭 ,  金荣善

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/02

CPC classification number: H01L33/0075 ,  H01L33/007 ,  H01L33/32

Abstract: 提供了一种制造发光二极管的方法及通过该方法制造的发光二极管。该方法包括：在第一反应室中在基底上顺序地生长第一导电类型氮化物半导体层和未掺杂氮化物半导体层；将其上生长有第一导电类型氮化物半导体层和未掺杂氮化物半导体层的基底转移至第二反应室；在第二反应室中在未掺杂氮化物半导体层上生长附加第一导电类型氮化物半导体层；在附加第一导电类型氮化物半导体层上生长有源层；以及在有源层上生长第二导电类型氮化物半导体层。

公开(公告)号：CN102330072B

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201110199158.2

申请日：2011-07-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孟钟先 ,  金荣善 ,  沈炫旭 ,  金晟泰

IPC: C23C16/455 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/0075 ,  C23C16/45502 ,  C23C16/45517 ,  C23C16/45563 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/4558 ,  C23C16/45591 ,  C23C16/458 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/4585 ,  H01L33/0066 ,  H01L2933/0016

Abstract: 本发明公开了一种化学气相沉积设备及使用其形成半导体外延薄膜的方法，所述化学气相沉积设备包括：反应室，包括具有预定体积的内部空间的内管和紧密密封内管的外管；晶片夹持件，设置在内管中，多个晶片以预定间隔堆叠在晶片夹持件上；供气单元，包括将外部反应气体供应到反应室的至少一条气体管线以及与气体管线连通以将反应气体喷射至晶片的多个喷嘴，从而在晶片的表面上生长半导体外延薄膜，其中，生长在晶片的表面上的半导体外延薄膜包括发光结构，在所述发光结构中顺序地形成有第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层。

公开(公告)号：CN103650175A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201180071914.1

申请日：2011-07-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈炫旭 ,  韩尚宪 ,  韩在雄 ,  申东澈 ,  金制远 ,  李东柱

IPC: H01L33/22

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/025 ,  H01L33/20 ,  H01L33/24

Abstract: 本发明涉及能够改善发光效率的半导体发光器件及其制造方法。根据本发明的一个实施例的半导体发光器件包括：n型半导体层，其上表面上有至少一个凹坑；形成在所述n型半导体层上的有源层，所述有源层在与所述凹坑对应的区域中具有沿所述凹坑凹进的顶表面；和形成在所述有源层上的p型半导体层，所述p型半导体层在与所述凹坑对应的区域中具有沿所述有源层的凹痕凹进的顶表面。

公开(公告)号：CN102867894A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201210082249.2

申请日：2012-03-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈炫旭 ,  李东柱 ,  申东益 ,  金荣善 ,  浅井诚 ,  孙俞利

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/14 ,  H01L33/36

CPC classification number: H01L33/025 ,  H01L29/452 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40

Abstract: 提供了一种氮化物半导体发光装置，所述氮化物半导体发光装置包括：发光结构，具有p型氮化物半导体层、n型氮化物半导体层和形成在它们之间的活性层；p侧电极和n侧电极，分别电连接至p型氮化物半导体层和n型氮化物半导体层；以及接触层，设置在p型氮化物半导体层和p侧电极之间，并包括具有第一杂质浓度以与p侧电极形成欧姆接触的第一p型氮化物层和具有第二杂质浓度的第二p型氮化物层，第二杂质浓度低于第一杂质浓度。

公开(公告)号：CN105006502A

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201510202504.6

申请日：2015-04-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东律 ,  韩尚宪 ,  金承贤 ,  金长美 ,  威廉·索拉里 ,  沈炫旭 ,  尹晳胡

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/02 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01L21/0254 ,  C23C16/34 ,  C23C16/4404 ,  H01L21/02107 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02496 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007 ,  H01J37/3288

Abstract: 本公开涉及制造半导体器件的方法和维护沉积设备的方法。制造半导体器件的方法包括：通过将铝(Al)源供应至处理室，在处理室的表面上形成铝化合物膜，所述表面接触处理室中的铝源；在形成铝化合物膜之后，将晶圆布置在设置在处理室中的承受器上；以及在晶圆上形成用于半导体器件的薄膜。

公开(公告)号：CN102154689B

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201010542800.8

申请日：2010-11-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东柱 ,  沈炫旭 ,  李宪昊 ,  金荣善 ,  金晟泰

IPC: C30B25/00 ,  C30B25/02 ,  C30B25/14 ,  C30B29/40 ,  H01L33/00 ,  H01L33/02

CPC classification number: C23C16/54 ,  C23C16/45563 ,  C30B23/02 ,  C30B25/14 ,  C30B29/40 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007

Abstract: 本发明提供了一种气相沉积系统、一种制造发光装置的方法和一种发光装置。根据本发明一方面的气相沉积系统可包括：第一室，具有第一基座和至少一个气体分配器，所述至少一个气体分配器沿与设置在所述第一基座上的基底平行的方向排放气体；第二室，具有第二基座和至少一个第二气体分配器，所述至少一个第二气体分配器布置在所述第二基座上方，以向下排放气体。当使用根据本发明一方面的气相沉积系统时，由此生长的半导体层具有优异的晶体质量，由此提高发光装置的性能。此外，在提高气相沉积系统的操作能力和产率的同时，可以防止设备的劣化。