公开(公告)号：CN112993158A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN202011097721.0

申请日：2020-10-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正敏 ,  金海龙 ,  金润洙 ,  朴影根

IPC: H01L49/02 ,  H01L27/108

Abstract: 公开了一种电容器结构和一种包括该电容器结构的半导体装置，所述电容器结构包括：下电极，位于基底上；种子层，位于下电极上；介电层，位于种子层上；以及上电极，位于介电层上，其中，介电层包括化学式为ABO3的三元金属氧化物，其中，A和B中的每个独立地为金属，并且种子层包括化学式为ABO3‑x的三元金属氧化物，化学式为ABO3‑x的三元金属氧化物中的A和B中的每个是与化学式为ABO3的三元金属氧化物中的A和B相同的金属，0

公开(公告)号：CN110504241B

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN201910121511.1

申请日：2019-02-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴瑛琳 ,  文瑄敏 ,  郑昌和 ,  朴影根 ,  徐钟汎 ,  曹圭镐

IPC: H01L23/64 ,  H01L21/67

Abstract: 集成电路(IC)器件包括电极、面向电极的介电层、以及介于电极和介电层之间并包括第一金属的多个界面层。多个界面层包括第一界面层和第二界面层。第一界面层的氧含量不同于第二界面层的氧含量。

公开(公告)号：CN113036037A

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN202011099855.6

申请日：2020-10-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正敏 ,  金海龙 ,  朴影根

IPC: H01L49/02 ,  H01L27/108

Abstract: 半导体器件包括电容器，该电容器包括下电极、上电极以及在下电极和上电极之间的介电层。下电极包括ABO3，其中“A”是第一金属元素，“B”是第二金属元素，第二金属元素的功函数大于第一金属元素的功函数。介电层包括CDO3，其中“C”是第三金属元素，并且“D”是第四金属元素。下电极包括交替且重复地堆叠的第一层和第二层。第一层包括第一金属元素和氧。第二层包括第二金属元素和氧。介电层在与第二层对应的第一接触表面处与下电极接触。

公开(公告)号：CN1674259B

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN200510062415.2

申请日：2005-03-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑淑真 ,  李承桓 ,  金晟泰 ,  金荣善 ,  林载顺 ,  朴影根

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/82 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L27/10867 ,  H01L27/10829 ,  H01L27/1087 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/945

Abstract: 本发明涉及在底切区域中具有绝缘层环的沟槽电容器及其制造方法。制造沟槽电容器的一些方法包括在衬底上形成第一层。在与衬底相对的第一层上形成第二层。在第一和第二层之上形成具有开口的掩模。通过经由掩模中的开口去除第一和第二层的一部分形成第一沟槽。去除第二层下面的第一层的一部分，从而在第二层下面形成底切区域。在第二层下面底切区域中形成绝缘层环。通过经由掩模中的开口去除衬底的一部分形成从第一沟槽延伸的第二沟槽。沿着第二沟槽在衬底中形成掩埋极板。在第二沟槽的内壁和底部上形成介电层。在介电层上第二沟槽中形成存储电极。

公开(公告)号：CN1674259A

公开(公告)日：2005-09-28

申请号：CN200510062415.2

申请日：2005-03-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑淑真 ,  李承桓 ,  金晟泰 ,  金荣善 ,  林载顺 ,  朴影根

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/82 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L27/10867 ,  H01L27/10829 ,  H01L27/1087 ,  H01L29/66181 ,  H01L29/945

Abstract: 本发明涉及在底切区域中具有绝缘层环的沟槽电容器及其制造方法。制造沟槽电容器的一些方法包括在衬底上形成第一层。在与衬底相对的第一层上形成第二层。在第一和第二层之上形成具有开口的掩模。通过经由掩模中的开口去除第一和第二层的一部分形成第一沟槽。去除第二层下面的第一层的一部分，从而在第二层下面形成底切区域。在第二层下面底切区域中形成绝缘层环。通过经由掩模中的开口去除衬底的一部分形成从第一沟槽延伸的第二沟槽。沿着第二沟槽在衬底中形成掩埋极板。在第二沟槽的内壁和底部上形成介电层。在介电层上第二沟槽中形成存储电极。

公开(公告)号：CN116583170A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202310107180.2

申请日：2023-01-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金恩善 ,  朴报恩 ,  安哲现 ,  金亨俊 ,  朴影根 ,  庞桢一

IPC: H10N97/00 ,  H01L23/64 ,  H10B12/00

Abstract: 提供了一种形成半导体装置的方法，所述方法包括：在基底上形成第一电极，基底包括单晶结构。在第一电极上形成包括第一介电层和第二介电层的介电层。在介电层上形成第二电极。形成介电层的步骤包括：在第一电极上形成具有单晶钙钛矿结构的第一介电层；以及在第一介电层上形成第二介电层。第一介电层的与第二介电层相邻的上表面具有比第二介电层的上表面大的表面粗糙度。第一介电层的上表面与第二介电层相邻设置，并且第二介电层的上表面与第二电极相邻设置。

公开(公告)号：CN116171037A

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN202211111055.0

申请日：2022-09-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴志云 ,  朴影根 ,  李豪真

IPC: H10B12/00

Abstract: 公开一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底；接触结构，穿透衬底；底电极，在衬底上并连接到接触结构；介电层，覆盖底电极；以及顶电极，在底电极上。介电层将顶电极与底电极分开。接触结构包括下导电图案和在下导电图案上的上导电图案。上导电图案包括第一金属的注入掺杂剂的氮化物。

公开(公告)号：CN114566592A

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN202111375817.3

申请日：2021-11-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李载昊 ,  赵龙僖 ,  张胜愚 ,  朴影根 ,  李周浩

IPC: H01L49/02 ,  H01L27/108 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: 本公开提供了电容器以及包括该电容器的半导体装置。一种电容器包括：第一电极；与第一电极间隔开的第二电极；以及在第一电极和第二电极之间的电介质层。电介质层可以包括：基底材料，其包括基底金属的氧化物，该基底材料具有约2至约70的介电常数；和共掺杂剂，包括3族元素和5族元素。3族元素可以包括Sc、Y、B、Al、Ga、In和/或Tl，5族元素可以包括V、Nb、Ta、N、P、As、Sb和/或Bi。

公开(公告)号：CN110504241A

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201910121511.1

申请日：2019-02-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴瑛琳 ,  文瑄敏 ,  郑昌和 ,  朴影根 ,  徐钟汎 ,  曹圭镐

IPC: H01L23/64 ,  H01L21/67

Abstract: 集成电路(IC)器件包括电极、面向电极的介电层、以及介于电极和介电层之间并包括第一金属的多个界面层。多个界面层包括第一界面层和第二界面层。第一界面层的氧含量不同于第二界面层的氧含量。