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公开(公告)号：CN102760661B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201210132762.8
申请日：2012-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02178 , H01L21/02164 , H01L21/02181 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/022 , H01L21/0228 , H01L21/02304 , H01L21/02312 , H01L21/28282 , H01L27/10817 , H01L27/10852 , H01L27/1157 , H01L27/11582 , H01L28/91 , H01L29/66795 , H01L29/7926
Abstract: 形成氧化物层的方法。所述方法包括：在基底表面上形成反应-抑制官能团的层；在所述反应-抑制官能团的层上形成金属或半导体的前体的层；和氧化所述金属或半导体的前体以获得金属氧化物或半导体氧化物的层。根据所述方法，可形成具有高的厚度均匀性的氧化物层并且可制造具有优异的电特性的半导体器件。
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公开(公告)号：CN102760661A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201210132762.8
申请日：2012-04-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02178 , H01L21/02164 , H01L21/02181 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/022 , H01L21/0228 , H01L21/02304 , H01L21/02312 , H01L21/28282 , H01L27/10817 , H01L27/10852 , H01L27/1157 , H01L27/11582 , H01L28/91 , H01L29/66795 , H01L29/7926
Abstract: 形成氧化物层的方法。所述方法包括：在基底表面上形成反应-抑制官能团的层；在所述反应-抑制官能团的层上形成金属或半导体的前体的层；和氧化所述金属或半导体的前体以获得金属氧化物或半导体氧化物的层。根据所述方法，可形成具有高的厚度均匀性的氧化物层并且可制造具有优异的电特性的半导体器件。
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公开(公告)号：CN119947127A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202411069213.X
申请日：2024-08-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10D1/68
Abstract: 提供了一种集成电路器件，所述集成电路器件包括：下电极；位于所述下电极上的电介质层；面向所述下电极的上电极，所述电介质层位于所述上电极与所述下电极之间；以及位于所述电介质层与所述上电极之间的界面结构，其中，所述界面结构包括：第一界面层和第二界面层以及位于所述第一界面层与所述第二界面层之间的高带隙界面层，其中，所述高带隙界面层的第三带隙大于所述第一界面层的第一带隙并且大于所述第二界面层的第二带隙。
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公开(公告)号：CN109411388A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201810903569.7
申请日：2018-08-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
CPC classification number: C23C16/4408 , C23C16/4404 , C23C16/4405 , C23C16/45578 , C23C16/4584 , H01L21/67 , H01L21/67017 , H01L21/683
Abstract: 公开了一种衬底处理设备和清洁该设备的方法。该设备包括：处理室；支撑单元，其位于处理室中并且构造为支撑衬底；以及气体注入单元，其位于处理室中。气体注入单元包括：第一注入部，其构造为注入源气体；第二注入部，其面向第一注入部并构造为注入与源气体反应的反应气体；以及第三注入部，其构造为注入去除源气体和反应气体产生的反应物的清洁气体。
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公开(公告)号：CN1674259B
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN200510062415.2
申请日：2005-03-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8242 , H01L21/82 , H01L27/108
CPC classification number: H01L27/10867 , H01L27/10829 , H01L27/1087 , H01L29/66181 , H01L29/945
Abstract: 本发明涉及在底切区域中具有绝缘层环的沟槽电容器及其制造方法。制造沟槽电容器的一些方法包括在衬底上形成第一层。在与衬底相对的第一层上形成第二层。在第一和第二层之上形成具有开口的掩模。通过经由掩模中的开口去除第一和第二层的一部分形成第一沟槽。去除第二层下面的第一层的一部分，从而在第二层下面形成底切区域。在第二层下面底切区域中形成绝缘层环。通过经由掩模中的开口去除衬底的一部分形成从第一沟槽延伸的第二沟槽。沿着第二沟槽在衬底中形成掩埋极板。在第二沟槽的内壁和底部上形成介电层。在介电层上第二沟槽中形成存储电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1674259A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN200510062415.2
申请日：2005-03-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8242 , H01L21/82 , H01L27/108
CPC classification number: H01L27/10867 , H01L27/10829 , H01L27/1087 , H01L29/66181 , H01L29/945
Abstract: 本发明涉及在底切区域中具有绝缘层环的沟槽电容器及其制造方法。制造沟槽电容器的一些方法包括在衬底上形成第一层。在与衬底相对的第一层上形成第二层。在第一和第二层之上形成具有开口的掩模。通过经由掩模中的开口去除第一和第二层的一部分形成第一沟槽。去除第二层下面的第一层的一部分，从而在第二层下面形成底切区域。在第二层下面底切区域中形成绝缘层环。通过经由掩模中的开口去除衬底的一部分形成从第一沟槽延伸的第二沟槽。沿着第二沟槽在衬底中形成掩埋极板。在第二沟槽的内壁和底部上形成介电层。在介电层上第二沟槽中形成存储电极。
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公开(公告)号：CN106637136B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201610884328.3
申请日：2016-10-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C16/455
Abstract: 公开了一种气体供应单元和基底处理系统，所述基底处理系统可以包括：工艺室，在工艺室中执行对基底的工艺；支撑单元，在工艺室中用于支撑基底；气体供应单元，包括具有气体供应孔的气体供应部，并且气体供应孔被构造为将工艺气体供应到基底上；排放单元，被构造为将工艺气体从工艺室排出。气体供应部可以包括设置有气体供应孔的气体供应区域和在气体供应区域与排放单元之间的气体扩散区域。气体扩散区域可以没有气体供应孔。
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公开(公告)号：CN108070845A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201711104240.6
申请日：2017-11-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/458
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/45534 , C23C16/45551 , C23C16/458 , C23C16/4584 , H01L21/68771 , C23C16/45574 , C23C16/4581
Abstract: 本发明提供了朝基板注入工艺气体的气体注入装置以及包括该气体注入装置的基板处理装置。该气体注入装置包括：基部；在基部上的第一气体注入部，第一气体注入部用于注入包括反应抑制官能团的第一气体；在基部上在一个方向上与第一气体注入部间隔开的第二气体注入部，第二气体注入部用于注入包括特定材料的前驱体的第二气体；以及在基部上在所述一个方向上与第二气体注入部间隔开的第三气体注入部，第三气体注入部用于注入与特定材料的前驱体反应的第三气体。
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