公开(公告)号：CN106688079B

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201580047087.0

申请日：2015-06-24

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 藤仓序章

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  C30B25/14

CPC classification number: C23C16/4401 ,  B08B5/02 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46 ,  C23C16/54 ,  C30B25/14 ,  C30B25/165 ,  C30B29/40 ,  C30B29/406 ,  C30B35/00 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/205 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/68714 ,  H01L21/68785

Abstract: 半导体制造装置具有：处理容器；隔壁，其将处理容器内的空间的至少一部分划分为生长部和清洁部；基板保持构件，其配置于生长部内；原料气体供给系统，其向生长部内供给原料气体；清洁气体供给系统，其向清洁部内供给清洁气体；以及加热器，其对生长部以及所述清洁部进行加热。

公开(公告)号：CN109629003A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201811652934.8

申请日：2018-12-29

Applicant: 珠海鼎泰芯源晶体有限公司

Inventor： 刘京明 ,  赵有文

IPC: C30B29/40 ,  C30B11/00

CPC classification number: C30B29/40 ,  C30B11/00 ,  C30B11/002 ,  C30B11/006

Abstract: 本发明公开了一种低浓度P型磷化铟单晶的制备方法，包括以下步骤：S1，对采用VGF法生长单晶时使用的石英管、封帽及氮化硼坩埚进行高温退火处理；S2，采用VGF法生长低浓度P型磷化铟单晶；本发明通过对石英管、封帽及氮化硼坩埚进行高温退火处理，充分去除了石英管、封帽及氮化硼坩埚中的羟基(OH)杂质，从而降低了磷化铟单晶中的氢含量，进而降低了磷化铟单晶中VInH4施主缺陷的浓度。

公开(公告)号：CN107747125A

公开(公告)日：2018-03-02

申请号：CN201710854756.6

申请日：2017-09-20

Applicant: 广东先导先进材料股份有限公司

Inventor： 白平平 ,  朱刘

IPC: C30B28/14 ,  C30B29/40

CPC classification number: C30B28/14 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明涉及一种磷化铟多晶合成的压力控制装置，所述压力控制装置包括一压力容器、置于压力容器内的一石英管、位于压力容器内用于供石英管加热的多温区加热器、连接于石英管一端的一膜片、用于测量膜片形变量的一位移传感器、一控制系统以及用于压力容器抽真空的一真空泵，所述压力容器设有一充气阀组、一放气阀组和一压力传感器，所述位移传感器位于石英管外并与膜片紧贴，所述控制系统与位移传感器电性连接。本发明一种磷化铟多晶合成的压力控制装置及方法，能够安全、精确的控制石英管内外的压力差小于0.1MPa，解决饱和蒸汽压方程中压力和温度对应关系在实际应用时的缺陷，适于规模化工业化生产。

公开(公告)号：CN107429423A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201680017053.1

申请日：2016-03-18

Applicant: 弗赖贝格化合物原料有限公司

Inventor： B·韦纳特 ,  F·哈贝尔 ,  G·莱比格

IPC: C30B25/02 ,  C30B29/40

CPC classification number: C30B25/08 ,  C30B25/02 ,  C30B25/183 ,  C30B29/40 ,  C30B29/406

Abstract: 本发明涉及用于制备III-V-、IV-IV-或II-VI-复合半导体晶体的方法。所述方法始于提供任选具有晶体层(缓冲层)的基材。然后提供气相，所述气相具有至少两种用于复合半导体的元素(II、III、IV、V、VI)的反应试剂，所述反应试剂在晶体生长反应器的反应器温度下为气态并且在选定的反应器条件下可彼此反应。设置所述两种反应试剂的浓度的比例，使得复合半导体晶体可以从气相中结晶，其中选择足够高的浓度从而实现晶体形成，其中通过加入或设置还原剂以及降低气相中的III-、IV-或II-化合物的活性的共反应试剂，使得晶体的生长速度相比于不具有共反应试剂的状态更低。在基材的表面上沉积复合半导体晶体，同时可以在生长的晶体上形成液相。此外可以加入助剂，所述助剂也可以包含在液相中但是仅以少量嵌入复合半导体晶体。在此可以针对性地控制3D-和2D-生长模式。助剂的加入以及液相的存在有利于这些手段。产物为各种III-V-、IV-IV-或II-VI-复合半导体晶体的单晶，所述III-V-、IV-IV-或II-VI-复合半导体晶体相比于各个常规复合半导体晶体具有更低的夹杂物或沉淀物浓度，因此不具有或仅具有极小曲率。

公开(公告)号：CN104364879B

公开(公告)日：2017-06-06

申请号：CN201380015538.3

申请日：2013-03-21

Applicant: 弗赖贝格化合物原料有限公司

Inventor： F·利普斯基 ,  F·肖尔茨 ,  M·克莱恩 ,  F·哈贝尔

IPC: H01L21/02

CPC classification number: C30B25/16 ,  C30B25/04 ,  C30B25/10 ,  C30B25/18 ,  C30B29/40 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02436 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/2003 ,  Y10T428/24851

Abstract: 本发明涉及制备III‑N‑模板和制备III‑N‑单晶，其中III表示元素周期表第三主族中选自Al、Ga和In的至少一种元素。通过在晶体生长过程中调节确定的参数可以获得III‑N‑模板，所述模板赋予在异质衬底上生长的晶体层特性，所述特性使得能够获得模板形式的或甚至具有大的III‑N‑层厚的无裂纹的III‑N单晶。

公开(公告)号：CN106381525A

公开(公告)日：2017-02-08

申请号：CN201610937760.4

申请日：2016-10-25

Applicant: 北京鼎泰芯源科技发展有限公司

Inventor： 杨翠柏 ,  方聪 ,  杨光辉

IPC: C30B29/40 ,  C30B11/00

CPC classification number: C30B29/40 ,  C30B11/003 ,  C30B11/006

Abstract: 本发明公开了一种基于VGF法的减少InP晶体孪晶的装置，包括，外部的炉体以及内部的同轴坩埚，隔热屏，同轴放置于坩埚与隔热屏之间的单段式加热器，以及同轴放置于坩埚与单段式加热器之间的变截面筒状结构，用于在传导过程中沿轴线方向产生由上至下逐渐增大的热阻，进而形成均匀的轴向温度梯度，使底部的籽晶开始逐渐向上生长晶体。本发明避免了使用多段式加热时，段与段之间轴向温度与段内部轴向温度不连续、不均匀，减少此处温度起伏，进而减少孪晶的生长，且控制系统和方法简单。

公开(公告)号：CN103548124B

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201280024597.2

申请日：2012-05-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 尤里·梅尔尼克 ,  陈璐 ,  湖尻英彦

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/205

CPC classification number: C30B25/14 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  C30B25/183 ,  C30B29/40 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406

Abstract: 本发明公开以先进缓冲层技术生长III族氮化物半导体化合物的方法。在实施例中，本发明的方法包括于氢化物气相外延处理系统的处理腔室中提供合适的衬底。所述方法包括通过下列步骤形成AlN缓冲层：将氨气流入处理腔室的生长区内，将含卤化铝前驱物流至所述生长区，并同时将额外的卤化氢或卤素气体流入处理腔室的生长区内。流入生长区内的额外卤化氢或卤素气体在缓冲层沉积期间抑制均质AlN颗粒形成。在终止含卤化铝前驱物的流动的同时，可持续使卤化氢或卤素气体流入达一时间段。

公开(公告)号：CN103541000B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201310543084.9

申请日：2013-11-06

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 黄俊 ,  徐科 ,  王建峰 ,  任国强

IPC: C30B25/08 ,  C30B25/10 ,  C30B29/38

CPC classification number: C30B25/08 ,  C30B25/10 ,  C30B25/16 ,  C30B25/183 ,  C30B29/40

Abstract: 本发明提供一种制备氮化硼单晶的设备及方法，所述方法包括如下步骤（1）提供一衬底，所述衬底放置在反应部内部的支撑部上；（2）启动加热部，将衬底加热至一第二温度；（3）将反应气体及载气通入所述反应部中，以在衬底上生长氮化硼单晶；其中，所述反应气体为三氯化硼和氨气。本发明的优点在于：1、三氯化硼和氨气作为反应气体以制备氮化硼单晶，以氮化硼多晶或刚玉作为反应部的材料，避免三氯化硼对反应部的腐蚀。2、采用感应加热，可得到晶格质量高的氮化硼单晶。3、使用气相外延技术，可以在较大衬底生长氮化硼单晶，能够制备大尺寸的氮化硼单晶且生长速度快。4、生长设备简单，用材料易得，成本较低，可用于大规模生产。

公开(公告)号：CN105493240A

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201480031683.5

申请日：2014-07-21

Applicant: 艾力克西·安德里维奇·亚伦达伦柯 ,  法拉利·阿纳托尔厄维奇·布若宾 ,  安德利·弗拉基米洛维奇·泽里夫

Inventor： 艾力克西·安德里维奇·亚伦达伦柯 ,  法拉利·阿纳托尔厄维奇·布若宾 ,  安德利·弗拉基米洛维奇·泽里夫

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/0262 ,  C23C16/301 ,  C23C16/45504 ,  C23C16/45508 ,  C23C16/45548 ,  C23C16/4558 ,  C23C16/45591 ,  C23C16/4584 ,  C30B25/02 ,  C30B25/08 ,  C30B29/40 ,  C30B29/48 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579

Abstract: 本发明有关微电子学领域，可通过金属-有机化合物及氢化物之化学气相沉积产生III-V化合物半导体材料及II-VI化合物半导体材料的磊晶结构。申请专利范围是有关一种通过金属-有机化学气相沉积法（MOCVD）于单晶基材上产生二元半导体材料的磊晶层之方法。此技术使异质磊晶结构之质量得到改善。

公开(公告)号：CN105225931A

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201510637933.6

申请日：2015-09-30

Applicant: 中国电子科技集团公司第四十八研究所

Inventor： 巩小亮 ,  陈锋武 ,  罗才旺 ,  刘欣 ,  林伯奇 ,  肖慧 ,  魏唯 ,  彭立波

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 ,  C23C16/44 ,  C30B29/40

CPC classification number: H01L21/0254 ,  C23C16/44 ,  C30B29/40 ,  C30B29/406 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0075

Abstract: 一种本发明的AlN模板及其生长方法、基于AlN模板的Si基GaN外延结构及其生长方法。该AlN模板无微裂纹，表面粗糙度在2nm以下，无柱状晶或孔洞型缺陷。生长方法包括在硅衬底上先沉积Al岛、原位退火，再沉积AlN。基于AlN模板的Si基GaN外延结构包括由下至上依次层叠的Si基体、AlN模板层、AlxGa1-xN应力缓冲层、超晶格过渡层和周期性交替排列的GaN生长层与插入层，生长方法包括在Si衬底上依次生长前述各层。AlN模板具有较低的表面粗糙度和缺陷密度，基于AlN模板的Si基GaN外延结构及其生长方法可强化应力调控和位错控制作用、稳定地实现大尺寸Si基GaN的无裂纹外延生长。