公开(公告)号：CN109087915B

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN201810587258.4

申请日：2018-06-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵文祺 ,  金贤煜 ,  辛宗灿 ,  黄莉铃 ,  梁在锡 ,  郑臻愚

IPC: H10B10/00 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了半导体器件。一种半导体器件包括栅极结构和邻近的接触。半导体器件包括连接到接触的连接器。在一些实施方式中，半导体器件包括连接到连接器的布线图案。此外，在一些实施方式中，连接器和半导体器件的第一单元与第二单元之间的边界相邻。

公开(公告)号：CN109087915A

公开(公告)日：2018-12-25

申请号：CN201810587258.4

申请日：2018-06-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵文祺 ,  金贤煜 ,  辛宗灿 ,  黄莉铃 ,  梁在锡 ,  郑臻愚

IPC: H01L27/11 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了半导体器件。一种半导体器件包括栅极结构和邻近的接触。半导体器件包括连接到接触的连接器。在一些实施方式中，半导体器件包括连接到连接器的布线图案。此外，在一些实施方式中，连接器和半导体器件的第一单元与第二单元之间的边界相邻。