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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118315399A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410006242.5
申请日：2024-01-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括衬底，其包括多个像素和在衬底的内部中的光电转换区；像素隔离结构，其隔离多个像素；以及隔离层，其限定衬底中的多个有源区，其中，多个有源区包括：中心部分，其具有从中心朝着多个像素延伸的多个分支段，中心邻近于多个像素中的每一个，以及延伸部分，其在多个像素中，并且在水平方向上从中心部分延伸。在平面图中，延伸部分的侧壁与在第一方向上延伸的像素隔离结构之间的第一角超过约45度，或者多个分支段中的两个相邻的分支段之间的第二角小于约90度。
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公开(公告)号：CN108695391B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN201810288244.2
申请日：2018-04-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括第一鳍型图案，该第一鳍型图案包括在第一方向上延伸的第一长侧和在第二方向上延伸的第一短侧。第二鳍型图案基本上平行于第一鳍型图案布置。第一栅电极交叉第一鳍型图案和第二鳍型图案。第二鳍型图案包括突出超过第一鳍型图案的第一短侧的突出部分。第一栅电极与包括第一鳍型图案的第一短侧的第一鳍型图案的端部分重叠。限定第一鳍型图案的第一短侧的第一鳍型图案的第一侧壁的至少部分由具有第一深度的第一沟槽限定。第一沟槽直接邻接具有更大的第二深度的第二沟槽。
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公开(公告)号：CN113270498A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110126121.0
申请日：2021-01-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体装置，包括：基板；防护环，其设置在基板上并且与基板的边缘相邻；集成电路结构，其被防护环围绕并且设置在基板上；以及绝缘材料结构，其设置在防护环的侧表面上，其中，防护环包括在基板上的多个防护有源结构、设置在多个防护有源结构中的每一个上的多个防护接触结构、和设置在多个防护接触结构当中的彼此相邻的一对防护接触结构上的防护互连结构，其中，多个防护有源结构中的每一个包括彼此间隔开的多个防护有源鳍。
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公开(公告)号：CN112447706A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010886321.1
申请日：2020-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L29/78 , H01L27/11 , G06F30/392
Abstract: 公开了一种半导体装置及布局设计方法，所述半导体装置包括第一单位单元和第二单位单元，第一单位单元包括沿第一方向延伸的第一鳍图案、沿第二方向延伸的第一栅极图案以及设置在第一栅极图案的一侧上且接触第一鳍图案的第一接触件，第二单位单元包括沿第一方向延伸的第二鳍图案、沿第二方向延伸的第二栅极图案以及设置在第二栅极图案的一侧上且接触第二鳍图案的第二接触件，其中，第一栅极图案和第二栅极图案间隔开并且位于沿第二方向延伸的第一直线上，第一接触件和第二接触件间隔开并且位于沿第二方向延伸的第二直线上，并且第一中间接触件设置在第一接触件和第二接触件上并将第一接触件和第二接触件连接。
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公开(公告)号：CN108695391A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810288244.2
申请日：2018-04-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括第一鳍型图案，该第一鳍型图案包括在第一方向上延伸的第一长侧和在第二方向上延伸的第一短侧。第二鳍型图案基本上平行于第一鳍型图案布置。第一栅电极交叉第一鳍型图案和第二鳍型图案。第二鳍型图案包括突出超过第一鳍型图案的第一短侧的突出部分。第一栅电极与包括第一鳍型图案的第一短侧的第一鳍型图案的端部分重叠。限定第一鳍型图案的第一短侧的第一鳍型图案的第一侧壁的至少部分由具有第一深度的第一沟槽限定。第一沟槽直接邻接具有更大的第二深度的第二沟槽。
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