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公开(公告)号：CN114752911B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202210430415.7
申请日：2022-04-22
Applicant: 捷捷微电(南通)科技有限公司
Abstract: 本发明的实施例提供了一种行星式穹顶安装架和真空镀膜机，涉及半导体技术领域。行星式穹顶安装架包括行星轨道、行星支架、传动齿轮组、传动杆、万向节和穹顶插口组件，行星轨道为圆环形状，行星轨道的内壁上设置有内齿；行星支架可滑动地安装在行星轨道的内部；传动齿轮组安装在行星支架上，且与内齿啮合；传动杆安装在行星支架上，传动杆的一端与传动齿轮组连接；万向节安装在传动杆上；穹顶插口组件连接在万向节上。行星式穹顶安装架可以实现更平稳的传动，相对传统行星导轨磨损大幅度降低，而且，可以实现穹顶公转和自转的效果，而且可以实现穹顶多角度转动。
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公开(公告)号：CN116053315A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310125101.0
申请日：2023-02-16
Applicant: 捷捷微电(南通)科技有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/40 , H01L29/49 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/8234
Abstract: 本申请提供了一种SGT器件制作方法，涉及半导体技术领域。首先提供一包含沟槽的外延片，再沿外延片与沟槽的表面淀积场氧层，沿沟槽内淀积第一多晶硅并进行回刻，接着刻蚀沟槽内的部分第一多晶硅，以形成槽内多晶层，再对场氧层进行减薄，并露出槽内多晶层的头部，去除槽内多晶层的头部，以使槽内多晶层的表面低于或平行于外延片的表面，并去除减薄后剩余的场氧层，接着沿去除场氧层后的位置生长栅氧层，再沿沟槽内淀积第二多晶硅并进行回刻，以形成栅极层，制作SGT器件的电极。本申请提供的SGT器件制作方法具有提升了整个SGT器件的电学性能的优点。
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公开(公告)号：CN114927575A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210617488.7
申请日：2022-06-01
Applicant: 捷捷微电(南通)科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本申请提供了一种屏蔽栅器件结构及其制作方法，涉及半导体技术领域。该屏蔽栅器件结构包括第一掺杂类型的衬底，位于衬底一侧且为第一掺杂类型的外延层，位于外延层内的沟槽，位于沟槽内壁的第一介电层，位于沟槽内的栅电极与屏蔽电极，其中，屏蔽电极位于栅电极之下，位于屏蔽电极与第一介电层之间的第二介电层，以及位于栅电极与屏蔽电极之间的电介质层。本申请提供的屏蔽栅器件结构及其制作方法具有工艺更加简单、降低了生产成本的优点。
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公开(公告)号：CN114752911A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202210430415.7
申请日：2022-04-22
Applicant: 捷捷微电(南通)科技有限公司
Abstract: 本发明的实施例提供了一种行星式穹顶安装架和真空镀膜机，涉及半导体技术领域。行星式穹顶安装架包括行星轨道、行星支架、传动齿轮组、传动杆、万向节和穹顶插口组件，行星轨道为圆环形状，行星轨道的内壁上设置有内齿；行星支架可滑动地安装在行星轨道的内部；传动齿轮组安装在行星支架上，且与内齿啮合；传动杆安装在行星支架上，传动杆的一端与传动齿轮组连接；万向节安装在传动杆上；穹顶插口组件连接在万向节上。行星式穹顶安装架可以实现更平稳的传动，相对传统行星导轨磨损大幅度降低，而且，可以实现穹顶公转和自转的效果，而且可以实现穹顶多角度转动。
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公开(公告)号：CN119297066A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411366749.8
申请日：2024-09-29
Applicant: 捷捷微电(南通)科技有限公司
IPC: H01J37/32
Abstract: 本申请提供了一种控制电路以及刻蚀真空系统，其中，该控制电路，包括：电源模块、互锁控制模块以及开关模块；互锁控制模块包括：供电控制单元以及连接控制单元；连接控制单元的输出端分别与等离子刻蚀机的入口载锁以及等离子刻蚀机的出口载锁连接；供电控制单元用于在开关模块导通时上电，并向连接控制单元发出电磁信号；连接控制单元用于在电磁信号的作用下，在连接控制单元的输出端与入口载锁以及等离子刻蚀机的真空抽取装置之间形成回路，以将入口载锁与等离子刻蚀机的真空抽取装置导通，且将出口载锁与等离子刻蚀机的真空抽取装置断开。本申请能够对等离子刻蚀机的真空抽取过程进行控制，从而有效避免了大气回灌现象的产生。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118352229A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410512979.4
申请日：2024-04-26
Applicant: 捷捷微电(南通)科技有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/02 , H01L21/67 , H01L29/423
Abstract: 本发明的实施例提供一种原位掺杂层制备方法及半导体器件，涉及半导体器件技术领域。该原位掺杂层制备方法包括：提供一带有沟槽的衬底；沿沟槽的表面生长氧化层；在沟槽内生长预设厚度的多晶硅层时，按照预设的掺杂气体浓度、预设的掺杂气体流量通入掺杂气体，得到原位掺杂多晶硅；其中，当掺杂气体浓度一定时，掺杂气体流量与原位掺杂多晶硅的均匀性满足第一比例关系；当掺杂气体流量一定时，掺杂气体浓度与原位掺杂多晶硅的均匀性满足第二比例关系；第一比例关系、第二比例关系用于改善均匀性。本发明通过调整掺杂气体浓度和/或掺杂气体流量，以在满足制备要求的同时，大大提高多晶硅膜厚及方块电阻的均匀性。
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公开(公告)号：CN115116843A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210908631.8
申请日：2022-07-29
Applicant: 捷捷微电(南通)科技有限公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/308 , B81C1/00
Abstract: 本申请提供了一种深硅刻蚀方法，涉及半导体工艺技术领域。该方法包括：提供一硅衬底；在刻蚀环境下向硅衬底通入刻蚀气体SF6，以对硅衬底进行刻蚀，并形成沟槽；在预设时间后向硅衬底通入钝化气体O2，以在沟槽表面形成SiO2钝化层；去除沟槽底部的SiO2钝化层；重复执行通入SF6、O2以及去除底部SiO2钝化层的步骤，直至达到预设刻蚀深度；其中，SiO2钝化层的生成速率大于与SF6的反应速率。本申请提供的深硅刻蚀方法具有刻蚀速率更快的优点。
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公开(公告)号：CN114927421A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210547545.9
申请日：2022-05-18
Applicant: 捷捷微电(南通)科技有限公司
Inventor： 王友伟
IPC: H01L21/329 , H01L21/768 , H01L29/40 , H01L29/872
Abstract: 本申请提供了一种沟槽肖特基器件及其制作方法，涉及半导体技术领域。首先提供一外延片，其中，外延片包括沟槽，然后基于沟槽的侧壁与外延片的台面生长多层场板结构；其中，多层场板结构中包括刻蚀停止层，再基于多层场板结构的表面沉积多晶硅与介质层，再对介质层进行刻蚀，直至刻蚀至刻蚀停止层，以形成接触孔，然后去除接触孔中位于外延片台面的场板结构，最后沿接触孔的表面沉积势垒金属与正面金属。本申请提供的沟槽肖特基器件及其制作方法具有降低了成本，提升了接触孔刻蚀的均匀性。
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公开(公告)号：CN114613680A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210369030.4
申请日：2022-04-08
Applicant: 捷捷微电(南通)科技有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本申请提供了一种屏蔽栅沟槽器件制作方法，涉及半导体技术领域。首先提供带有沟槽的外延层，然后基于外延层与沟槽的表面先后生长场氧化层与多晶，其中，多晶位于沟槽内与外延层的表面，再沿多晶的表面离子注入氧气，以使外延层的表层、与外延层的表层接触的多晶氧化，并形成隔离层，再利用湿法腐蚀工艺先后去除位于隔离层表面的多晶、隔离层，以形成带多晶的外延结构，最后利用所述外延结构制作屏蔽栅沟槽器件。本申请提供的屏蔽栅沟槽器件制作方法具有成本低且提升了产能的优点。
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公开(公告)号：CN114613680B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202210369030.4
申请日：2022-04-08
Applicant: 捷捷微电(南通)科技有限公司
Abstract: 本申请提供了一种屏蔽栅沟槽器件制作方法，涉及半导体技术领域。首先提供带有沟槽的外延层，然后基于外延层与沟槽的表面先后生长场氧化层与多晶，其中，多晶位于沟槽内与外延层的表面，再沿多晶的表面离子注入氧气，以使外延层的表层、与外延层的表层接触的多晶氧化，并形成隔离层，再利用湿法腐蚀工艺先后去除位于隔离层表面的多晶、隔离层，以形成带多晶的外延结构，最后利用所述外延结构制作屏蔽栅沟槽器件。本申请提供的屏蔽栅沟槽器件制作方法具有成本低且提升了产能的优点。
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