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公开(公告)号：CN115116843A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210908631.8
申请日：2022-07-29
Applicant: 捷捷微电(南通)科技有限公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/308 , B81C1/00
Abstract: 本申请提供了一种深硅刻蚀方法，涉及半导体工艺技术领域。该方法包括：提供一硅衬底；在刻蚀环境下向硅衬底通入刻蚀气体SF6，以对硅衬底进行刻蚀，并形成沟槽；在预设时间后向硅衬底通入钝化气体O2，以在沟槽表面形成SiO2钝化层；去除沟槽底部的SiO2钝化层；重复执行通入SF6、O2以及去除底部SiO2钝化层的步骤，直至达到预设刻蚀深度；其中，SiO2钝化层的生成速率大于与SF6的反应速率。本申请提供的深硅刻蚀方法具有刻蚀速率更快的优点。
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