公开(公告)号：CN115116843A

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202210908631.8

申请日：2022-07-29

Applicant: 捷捷微电(南通)科技有限公司

Inventor： 田翠霞 ,  王友伟 ,  车洪祥 ,  方合 ,  徐雷军

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  B81C1/00

Abstract: 本申请提供了一种深硅刻蚀方法，涉及半导体工艺技术领域。该方法包括：提供一硅衬底；在刻蚀环境下向硅衬底通入刻蚀气体SF6，以对硅衬底进行刻蚀，并形成沟槽；在预设时间后向硅衬底通入钝化气体O2，以在沟槽表面形成SiO2钝化层；去除沟槽底部的SiO2钝化层；重复执行通入SF6、O2以及去除底部SiO2钝化层的步骤，直至达到预设刻蚀深度；其中，SiO2钝化层的生成速率大于与SF6的反应速率。本申请提供的深硅刻蚀方法具有刻蚀速率更快的优点。

公开(公告)号：CN116884834A

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN202310878225.6

申请日：2023-07-17

Applicant: 捷捷微电(南通)科技有限公司

Inventor： 车洪祥 ,  王友伟 ,  张焜 ,  顾鹏程

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

Abstract: 本申请实施例提供一种栅极制作方法和栅极结构，涉及半导体制造技术领域。该方法包括：提供包括沟槽的外延片；基于沟槽的表面生长栅氧化层；基于栅氧化层的表面制作硅层；基于硅层的表面淀积钛，以填充沟槽；对外延片进行退火，并在硅层与钛层的接触面形成硅化钛层。在沟槽中淀积金属钛代替传统多晶硅降低了导通电阻和功耗；同时由于沟槽中覆盖了一层硅，钛仅仅接触硅层而不会接触氧化层，避免了TiO 2的生成，防止电阻增大。

公开(公告)号：CN116864446A

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN202310886781.8

申请日：2023-07-19

Applicant: 捷捷微电(南通)科技有限公司

Inventor： 车洪祥 ,  王友伟 ,  张焜

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明实施方式提出一种半导体金属化方法及半导体器件，属于半导体技术领域，通过在待金属化的半导体器件的金属硅化物制作金属阻挡层，并通过该金属阻挡层形成第一通槽，从而将第一通槽作为待填充通槽，在待填充通槽内制作金属阻挡层，进而采用电镀的方式在待填充通槽内制作金属塞，之后进行平坦化，并在半导体器件上淀积第一介质层，继续在金属塞上制作金属层，并制作金属图形导线，进而淀积层间介质层，并在层间介质层上制作第二通槽，继续工艺流程直至金属化结束，实现采用电镀制作金属塞的方式，能够在待填充通槽完全塞满金属的前提下，极大地减小金属塞表面金属的厚度，从而能够降低工艺时长和工艺成本。