公开(公告)号：CN114899097A

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202210511012.5

申请日：2022-05-11

Applicant: 捷捷微电(南通)科技有限公司

Inventor： 刘志文 ,  徐雷军 ,  王友伟 ,  龚飞

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/8234

Abstract: 本申请提供了一种屏蔽栅沟槽器件场氧及屏蔽栅沟槽器件制作方法，涉及半导体工艺技术领域。首先提供一包含沟槽的外延片，然后基于外延片与沟槽的表面生长多晶硅层；其中，多晶硅层的厚度小于目标场氧层的厚度，最后利用氧化工艺将多晶硅层氧化，以形成目标场氧层。本申请提供的屏蔽栅沟槽器件场氧及屏蔽栅沟槽器件制作方法具有生产效率更高且降低了生产成本的优点。

公开(公告)号：CN114843177A

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN202210394894.1

申请日：2022-04-14

Applicant: 捷捷微电(南通)科技有限公司

Inventor： 王友伟 ,  徐雷军 ,  王维 ,  龚飞

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/47

Abstract: 本申请提供了一种沟槽肖特基结构制作方法，涉及半导体工艺技术领域。首先利用图像化光刻板层在外延层上刻蚀沟槽，再基于沟槽的内壁生长介质层，然后沿外延层的表面沉积多晶硅，其中，多晶硅位于外延层的表面与沟槽内，再将位于外延层表面的多晶硅氧化，以形成氧化层，然后基于氧化层刻蚀接触孔，并露出沟槽，最后基于接触孔沉积势垒金属与正面金属，以形成沟槽肖特基结构。本申请提供的沟槽肖特基结构制作方法具有制作了工艺、节省了制作成本的优点。

公开(公告)号：CN114927575A

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202210617488.7

申请日：2022-06-01

Applicant: 捷捷微电(南通)科技有限公司

Inventor： 王维 ,  徐雷军 ,  王友伟 ,  龚飞

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本申请提供了一种屏蔽栅器件结构及其制作方法，涉及半导体技术领域。该屏蔽栅器件结构包括第一掺杂类型的衬底，位于衬底一侧且为第一掺杂类型的外延层，位于外延层内的沟槽，位于沟槽内壁的第一介电层，位于沟槽内的栅电极与屏蔽电极，其中，屏蔽电极位于栅电极之下，位于屏蔽电极与第一介电层之间的第二介电层，以及位于栅电极与屏蔽电极之间的电介质层。本申请提供的屏蔽栅器件结构及其制作方法具有工艺更加简单、降低了生产成本的优点。