公开(公告)号：CN115116843A

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202210908631.8

申请日：2022-07-29

Applicant: 捷捷微电(南通)科技有限公司

Inventor： 田翠霞 ,  王友伟 ,  车洪祥 ,  方合 ,  徐雷军

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  B81C1/00

Abstract: 本申请提供了一种深硅刻蚀方法，涉及半导体工艺技术领域。该方法包括：提供一硅衬底；在刻蚀环境下向硅衬底通入刻蚀气体SF6，以对硅衬底进行刻蚀，并形成沟槽；在预设时间后向硅衬底通入钝化气体O2，以在沟槽表面形成SiO2钝化层；去除沟槽底部的SiO2钝化层；重复执行通入SF6、O2以及去除底部SiO2钝化层的步骤，直至达到预设刻蚀深度；其中，SiO2钝化层的生成速率大于与SF6的反应速率。本申请提供的深硅刻蚀方法具有刻蚀速率更快的优点。

公开(公告)号：CN114975123B

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202210552715.2

申请日：2022-05-19

Applicant: 捷捷微电(南通)科技有限公司

Inventor： 方合 ,  徐雷军 ,  王友伟 ,  王维

IPC: H10D30/01 ,  H10D30/66

Abstract: 本申请提供一种Trench MOS结构及其制作方法，首先对外延层进行Body注入形成注入区并进行退火处理，再在注入区进行源极离子注入及退火处理形成源极。之后再对外延层进行刻蚀形成沟槽，于沟槽内生长形成栅氧化层，并在沟槽内填充多晶硅。本方案中，在制作中先进行Body注入和源极离子注入并退火，再进行沟槽制作和多晶硅填充，如此，可有效避免Body注入和源极离子注入后退火的高温对多晶硅产生影响，进而影响器件性能。

公开(公告)号：CN114975123A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210552715.2

申请日：2022-05-19

Applicant: 捷捷微电(南通)科技有限公司

Inventor： 方合 ,  徐雷军 ,  王友伟 ,  王维

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本申请提供一种Trench MOS结构及其制作方法，首先对外延层进行Body注入形成注入区并进行退火处理，再在注入区进行源极离子注入及退火处理形成源极。之后再对外延层进行刻蚀形成沟槽，于沟槽内生长形成栅氧化层，并在沟槽内填充多晶硅。本方案中，在制作中先进行Body注入和源极离子注入并退火，再进行沟槽制作和多晶硅填充，如此，可有效避免Body注入和源极离子注入后退火的高温对多晶硅产生影响，进而影响器件性能。

公开(公告)号：CN116053315A

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN202310125101.0

申请日：2023-02-16

Applicant: 捷捷微电(南通)科技有限公司

Inventor： 汪国军 ,  王友伟 ,  杨强 ,  方合 ,  徐雷军

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/40 ,  H01L29/49 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8234

Abstract: 本申请提供了一种SGT器件制作方法，涉及半导体技术领域。首先提供一包含沟槽的外延片，再沿外延片与沟槽的表面淀积场氧层，沿沟槽内淀积第一多晶硅并进行回刻，接着刻蚀沟槽内的部分第一多晶硅，以形成槽内多晶层，再对场氧层进行减薄，并露出槽内多晶层的头部，去除槽内多晶层的头部，以使槽内多晶层的表面低于或平行于外延片的表面，并去除减薄后剩余的场氧层，接着沿去除场氧层后的位置生长栅氧层，再沿沟槽内淀积第二多晶硅并进行回刻，以形成栅极层，制作SGT器件的电极。本申请提供的SGT器件制作方法具有提升了整个SGT器件的电学性能的优点。