公开(公告)号：CN114613680B

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202210369030.4

申请日：2022-04-08

Applicant: 捷捷微电(南通)科技有限公司

Inventor： 汪国军 ,  王成森 ,  刘启星 ,  徐雷军 ,  王友伟 ,  王维

IPC: H10D30/01 ,  H10D30/66

Abstract: 本申请提供了一种屏蔽栅沟槽器件制作方法，涉及半导体技术领域。首先提供带有沟槽的外延层，然后基于外延层与沟槽的表面先后生长场氧化层与多晶，其中，多晶位于沟槽内与外延层的表面，再沿多晶的表面离子注入氧气，以使外延层的表层、与外延层的表层接触的多晶氧化，并形成隔离层，再利用湿法腐蚀工艺先后去除位于隔离层表面的多晶、隔离层，以形成带多晶的外延结构，最后利用所述外延结构制作屏蔽栅沟槽器件。本申请提供的屏蔽栅沟槽器件制作方法具有成本低且提升了产能的优点。

公开(公告)号：CN116053315A

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN202310125101.0

申请日：2023-02-16

Applicant: 捷捷微电(南通)科技有限公司

Inventor： 汪国军 ,  王友伟 ,  杨强 ,  方合 ,  徐雷军

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/40 ,  H01L29/49 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8234

Abstract: 本申请提供了一种SGT器件制作方法，涉及半导体技术领域。首先提供一包含沟槽的外延片，再沿外延片与沟槽的表面淀积场氧层，沿沟槽内淀积第一多晶硅并进行回刻，接着刻蚀沟槽内的部分第一多晶硅，以形成槽内多晶层，再对场氧层进行减薄，并露出槽内多晶层的头部，去除槽内多晶层的头部，以使槽内多晶层的表面低于或平行于外延片的表面，并去除减薄后剩余的场氧层，接着沿去除场氧层后的位置生长栅氧层，再沿沟槽内淀积第二多晶硅并进行回刻，以形成栅极层，制作SGT器件的电极。本申请提供的SGT器件制作方法具有提升了整个SGT器件的电学性能的优点。

公开(公告)号：CN114613680A

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN202210369030.4

申请日：2022-04-08

Applicant: 捷捷微电(南通)科技有限公司

Inventor： 汪国军 ,  王成森 ,  刘启星 ,  徐雷军 ,  王友伟 ,  王维

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 本申请提供了一种屏蔽栅沟槽器件制作方法，涉及半导体技术领域。首先提供带有沟槽的外延层，然后基于外延层与沟槽的表面先后生长场氧化层与多晶，其中，多晶位于沟槽内与外延层的表面，再沿多晶的表面离子注入氧气，以使外延层的表层、与外延层的表层接触的多晶氧化，并形成隔离层，再利用湿法腐蚀工艺先后去除位于隔离层表面的多晶、隔离层，以形成带多晶的外延结构，最后利用所述外延结构制作屏蔽栅沟槽器件。本申请提供的屏蔽栅沟槽器件制作方法具有成本低且提升了产能的优点。