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公开(公告)号：CN118352229A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410512979.4
申请日：2024-04-26
Applicant: 捷捷微电(南通)科技有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/02 , H01L21/67 , H01L29/423
Abstract: 本发明的实施例提供一种原位掺杂层制备方法及半导体器件，涉及半导体器件技术领域。该原位掺杂层制备方法包括：提供一带有沟槽的衬底；沿沟槽的表面生长氧化层；在沟槽内生长预设厚度的多晶硅层时，按照预设的掺杂气体浓度、预设的掺杂气体流量通入掺杂气体，得到原位掺杂多晶硅；其中，当掺杂气体浓度一定时，掺杂气体流量与原位掺杂多晶硅的均匀性满足第一比例关系；当掺杂气体流量一定时，掺杂气体浓度与原位掺杂多晶硅的均匀性满足第二比例关系；第一比例关系、第二比例关系用于改善均匀性。本发明通过调整掺杂气体浓度和/或掺杂气体流量，以在满足制备要求的同时，大大提高多晶硅膜厚及方块电阻的均匀性。
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