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公开(公告)号：CN114910773A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210422378.5
申请日：2022-04-21
Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明涉及一种放大器的变温在片测试系统及测试方法，通过一套测试系统实现散射参数、功率性能、噪声系数的变温测试，测试系统主要涉及控制软件通过程控矢网、电源、探针台等仪表，实现对系统的校准，输入条件的设定，测试数据的采集，图像的绘制等功能。根据该测试方法建立完整的软硬件测试平台，用于放大芯片的在片测试。该系统避免了另外需要信号源、噪声仪等一系列仪表搭建功率测试系统及噪声测试系统的问题；同时避免了传统利用烘箱测试高低温时需要将芯片进行装架，由于测试架引入的测试误差。
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公开(公告)号：CN112596160B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202011492990.7
申请日：2020-12-16
Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高质量薄膜铌酸锂微纳光栅的制备方法，包括：对LNOI材料进行表面清洁；制备高精度的电子束标记；涂覆电子束正胶ZEP 520A，进行LNOI光栅图形以及电子束标记保护区域曝光；蒸发剥离Ni金属，作为光栅波导刻蚀掩膜；采用F基RIE干法刻蚀与NH4OH：H2O2：H2O的湿法处理，循环多次达到指定刻蚀深度；采用30％HNO3去除剩余的Ni掩膜；生长氧化硅上包层。本发明所述方法用于制备LNOI光栅，有效解决了铌酸锂刻蚀后生成物附着问题，提高了LNOI光栅的侧壁光滑度和垂直度。
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公开(公告)号：CN114038923A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111279072.0
申请日：2021-10-31
Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
IPC: H01L31/0232 , H01L31/102 , G02B6/122 , G02B6/12
Abstract: 本发明公开了一种薄膜铌酸锂光波导与InP基光电探测器异质集成结构，该结构主要包括InP基光电探测器外延层、耦合层、薄膜铌酸锂光波导、缓冲层和衬底；InP基光电探测器外延层通过耦合层集成于薄膜铌酸锂光波导正上方，缓冲层和衬底依次分布于薄膜铌酸锂光波导下方；沿薄膜铌酸锂光波导传输至InP基光电探测器的光信号通过倏逝波耦合机制，从薄膜铌酸锂光波导透过耦合层先耦合进入其正上方的InP基锥形过渡区，再进入InP基光电探测器外延层，实现薄膜铌酸锂光波导与InP基光电探测器外延层片上异质集成，满足薄膜铌酸锂光芯片和InP基光电探测器芯片的低损耗异质集成需求。
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公开(公告)号：CN114023831A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111278485.7
申请日：2021-10-30
Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/105 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种高速高响应光电探测器及其制作方法，光电探测器包括衬底、P型电极、有源层和N型电极，P型电极同时作为入射光的反射层；光电探测器的制作方法包括：在InP衬底上生长外延层；在P‑InGaAs接触层上蒸发P型电极Ti/Pt/Au，在另一衬底上蒸发金属Au，将InP片与另一衬底片通过金‑金热压键合技术集成在一起；去除InP衬底；在N‑InP接触层上制备N电极；腐蚀探测器有源层，刻蚀P型电极；沉积SiNx介质，通过刻蚀在N型电极和P型电极上形成窗口；制作Au电极，最终完成光电探测器的制备。利用本发明的制备方法制备的光电探测器具有大带宽、高响应以及易于耦合封装的优点。
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公开(公告)号：CN114023825A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111237026.4
申请日：2021-10-24
Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
IPC: H01L29/868 , H01L21/329 , H01L29/417 , H01L23/367 , H01L23/373 , H03G11/02
Abstract: 本发明涉及一种大功率限幅器及其制备方法，该方法包括：在PIN限幅二极管材料表面制备台面结构；正面旋涂粘附剂；与临时载片正面相对临时键合；衬底减薄；在完成减薄后的PIN二极管材料背面制备键合金属；在高导热导电衬底正面制备键合金属；将减薄后的PIN二极管背面和导电衬底正面进行键合；将导电衬底背面进行减薄；制备下电极金属；将临时载片与导电衬底进行分离，并清洗划片；得到由高导热导电衬底及键合到其正面的PIN二极管构成的大功率限幅器。本发明将Si PIN或GaAs PIN二极管从原始热导率较低的Si衬底或GaAs衬底上剥离下来，集成到热导率更高的衬底上，有效提升PIN限幅管的耐受功率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111092048B
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201911209192.6
申请日：2019-11-30
Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种三维集成芯片的空气桥结构保护方法，其主要步骤有：清洗待键合芯片；在待键合芯片正面制作电镀种子层；在待键合芯片种子层上光刻出保护阵列图形；利用光刻好的图形电镀出空气桥结构保护阵列；去除光刻胶，清洗待键合芯片；去除电镀种子层；再次清洗待键合芯片；进行键合集成工艺。本发明在不影响芯片性能的前提下，通过二次电镀工艺在微波芯片正面制备一层微凸点阵列，形成空气桥的保护结构，使得键合过程中对芯片正面施加的压力不会作用在空气桥结构上，避免其被压断，有效提高三维集成芯片的成品率和可靠性。
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公开(公告)号：CN109494182B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201811413696.5
申请日：2018-11-26
Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明公开了一种用于半导体集成工艺中超薄半导体晶圆的拿持方法，主要步骤有：1)在第一临时载片正面旋涂第一临时键合粘附剂；2)将超薄半导体晶圆与第一临时载片正面相对键合；3)在第二临时载片正面旋涂第二临时键合粘附剂；4)将超薄半导体晶圆背面与第二临时载片正面相对键合；5)将超薄半导体晶圆与第一临时载片分离；6)制备集成互连结构；7)进行键合集成工艺；8)将集成后的晶圆与第二载片分离。本发明通过两种不同软化温度的临时键合粘附剂以及两片临时载片的搭配使用，利用临时键合和解键合工艺，保证超薄半导体晶圆在传输、夹取、互连结构制作以及键合等三维集成工艺过程中均有临时载片支撑，有效降低集成工艺中裂片的风险。
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公开(公告)号：CN109581259A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811395768.8
申请日：2018-11-22
Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
Inventor： 陆海燕
IPC: G01R35/00
Abstract: 本发明涉及一种器件在片负载牵引测试的校准结构，包括开路、短路、负载和直通四部分，所述负载、开路、短路、直通四部分结构与待测器件焊盘结构完全一致。适用于器件在片负载牵引测试的校准结构的测试方法，包括：1）矢量网络分析仪双端口校准；2）阻抗调谐器校准并测量负载的1端口散射参数(S参数)；3）输入参数；4）器件端面校准；5）功率校准、验证。优点：1）保证校准结构与待测芯片电特性一致,避免由于校准结构与待测件材料、制备工艺不一致而导致的校准误差；2）有效剥离焊盘和互联线寄生，提高器件测试精度，提高功放设计成品率。
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公开(公告)号：CN117191866A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311186072.5
申请日：2023-09-14
Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于3ω电学法的金刚石晶体片热导率测试方法及系统，测试方法包括金刚石晶体片的热电信号电极设计与制备、测试频率设计与控制、3ω电学法参数控制与测试、金刚石晶体片热导率高精度拟合分析。本发明基于3ω电学法，通过对热电信号电极的设计、测试参数的设计、制备技术和测试技术的控制，实现对微米和毫米量级厚度的金刚石晶体片热导率的高精度测试，解决了目前测试方法难以实现对高导热、厚度百微米量级至毫米量级自支撑金刚石晶体片热导率的高精度表征与评估，满足基于金刚石材料的半导体器件研制及其热管理技术开发需求。
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公开(公告)号：CN115622522A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211232225.0
申请日：2022-10-10
Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
IPC: H03H3/02
Abstract: 本发明公开了一种基于外延层剥离转移的单晶压电薄膜体声波谐振器的制备方法，包括：制备单晶压电薄膜和上电极；构成分立的谐振器区域；衬底正面相对临时键合到支撑载片上；将压电薄膜衬底减薄并完全去除；压电薄膜背面刻蚀通孔；在压电薄膜背面制作谐振器的下电极金属；在另一高阻衬底上表面制备空腔结构；高阻衬底表面旋涂永久键合材料；压电薄膜背面与高阻衬底上表面相对，永久键合；将支撑载片与压电薄膜和高阻衬底分离，得到在高阻衬底上带有空腔结构的谐振器。本发明通过外延层剥离技术将AlN单晶薄膜和电极从外延衬底分离，通过低温晶圆键合的方式将AlN单晶薄膜和上下电极转移到具有空腔结构的衬底上，具有高性能、小型化的特点。
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