-
公开(公告)号：CN114039273B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202111279069.9
申请日：2021-10-31
Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司 , 中国电子科技集团公司第五十五研究所
Abstract: 本发明公开了一种InP基激光器与薄膜铌酸锂光波导异质集成结构，属于光电集成芯片领域；该结构主要包括InP基激光器外延层薄膜、耦合层、薄膜铌酸锂光波导和衬底。InP基激光器外延层通过耦合层集成于薄膜铌酸锂光波导正上方，激光器输出光通过倏逝波耦合机制耦合进入其正下方的铌酸锂光波导中传输，满足InP基激光器芯片与薄膜铌酸锂光芯片的低损耗异质集成需求。
-
公开(公告)号：CN114530487A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202111662487.6
申请日：2021-12-30
Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/16 , H01L21/329 , H01L29/872
Abstract: 本发明公开了一种带边缘终端的金刚石肖特基二极管的制备方法，包括：在高掺杂p型金刚石衬底上外延轻掺杂p型金刚石外延层；选择性外延掩膜的制作；轻掺杂p型金刚石外延层；n型氧化镓外延层的生长；氧化镓外延层的剥离；背面欧姆接触的制备；正面肖特基电极的制备。本发明针对现有金刚石肖特基二极管由于肖特基电极边缘的电场聚集效应导致器件击穿电压下降的问题，基于n型氧化镓选择性延生长技术，提出一种带n型保护环和场限环的金刚石肖特基二极管的制备方法，具有肖特基边缘峰值电场抑制能力强，器件击穿电压高，高温稳定性好等优点。
-
公开(公告)号：CN111585166A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010283709.2
申请日：2020-04-13
Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种半导体激光器芯片与LNOI光芯片的异构集成结构，包括镶嵌槽、激光器芯片、SiN锥形结构、LNOI锥形结构、过渡凹槽和LNOI集成光路；镶嵌槽位于SiN锥形结构和LNOI锥形结构中间，激光器芯片通过贴片材料键合在镶嵌槽中，激光器发光端面嵌入双层锥形结构并与其对准，同时实现激光器芯片光模场向LNOI光路中的尺寸转变和低损耗耦合，且在对准端面加入折射率匹配胶、增透膜以进一步降低耦合损耗，满足半导体激光器芯片与LNOI光芯片的低插损集成需求。本发明将双层的SiN锥形结构和LNOI锥形结构两侧挖空，降低锥形结构侧面辐射和散射，有效降低LNOI锥形结构与LNOI集成光路的光耦合损耗。
-
公开(公告)号：CN114023825B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202111237026.4
申请日：2021-10-24
Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
IPC: H01L29/868 , H01L21/329 , H01L29/417 , H01L23/367 , H01L23/373 , H03G11/02
Abstract: 本发明涉及一种大功率限幅器及其制备方法，该方法包括：在PIN限幅二极管材料表面制备台面结构；正面旋涂粘附剂；与临时载片正面相对临时键合；衬底减薄；在完成减薄后的PIN二极管材料背面制备键合金属；在高导热导电衬底正面制备键合金属；将减薄后的PIN二极管背面和导电衬底正面进行键合；将导电衬底背面进行减薄；制备下电极金属；将临时载片与导电衬底进行分离，并清洗划片；得到由高导热导电衬底及键合到其正面的PIN二极管构成的大功率限幅器。本发明将Si PIN或GaAs PIN二极管从原始热导率较低的Si衬底或GaAs衬底上剥离下来，集成到热导率更高的衬底上，有效提升PIN限幅管的耐受功率。
-
公开(公告)号：CN114038923B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202111279072.0
申请日：2021-10-31
Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司 , 中国电子科技集团公司第五十五研究所
IPC: H01L31/0232 , H01L31/102 , G02B6/122 , G02B6/12
Abstract: 本发明公开了一种薄膜铌酸锂光波导与InP基光电探测器异质集成结构，该结构主要包括InP基光电探测器外延层、耦合层、薄膜铌酸锂光波导、缓冲层和衬底；InP基光电探测器外延层通过耦合层集成于薄膜铌酸锂光波导正上方，缓冲层和衬底依次分布于薄膜铌酸锂光波导下方；沿薄膜铌酸锂光波导传输至InP基光电探测器的光信号通过倏逝波耦合机制，从薄膜铌酸锂光波导透过耦合层先耦合进入其正上方的InP基锥形过渡区，再进入InP基光电探测器外延层，实现薄膜铌酸锂光波导与InP基光电探测器外延层片上异质集成，满足薄膜铌酸锂光芯片和InP基光电探测器芯片的低损耗异质集成需求。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113871378B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202111065370.X
申请日：2021-09-12
Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L21/50 , H01L31/105 , H01L31/0304 , H01L29/73 , H01L29/20
Abstract: 本发明公开了一种片上光电集成接收前端芯片的制备方法，该方法通过将光电探测器从原衬底上剥离转移至跨阻放大器芯片所在衬底表面，并通过片上布线的方式实现探测器与跨阻放大器之间信号的互联；本发明充分发挥磷化铟(InP)PIN+HBT光电集成接收前端芯片的器件组合优势，又可以解决传统单片集成PIN+HBT共享生长法所面临的性能折中的瓶颈，提升芯片的整体性能：本方法采用剥离转移方法将非同衬底上生长并完成工艺的探测器集成在已完成工艺的跨阻放大器衬底上，实现最优性能下二者器件之间的近距离集成，提升最终光电集成接收前端芯片的性能。本发明有望推广至其他光电集成芯片的制造领域，具有较好的通用性。
-
公开(公告)号：CN114039273A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111279069.9
申请日：2021-10-31
Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种InP基激光器与薄膜铌酸锂光波导异质集成结构，属于光电集成芯片领域；该结构主要包括InP基激光器外延层薄膜、耦合层、薄膜铌酸锂光波导和衬底。InP基激光器外延层通过耦合层集成于薄膜铌酸锂光波导正上方，激光器输出光通过倏逝波耦合机制耦合进入其正下方的铌酸锂光波导中传输，满足InP基激光器芯片与薄膜铌酸锂光芯片的低损耗异质集成需求。
-
公开(公告)号：CN117191866A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311186072.5
申请日：2023-09-14
Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于3ω电学法的金刚石晶体片热导率测试方法及系统，测试方法包括金刚石晶体片的热电信号电极设计与制备、测试频率设计与控制、3ω电学法参数控制与测试、金刚石晶体片热导率高精度拟合分析。本发明基于3ω电学法，通过对热电信号电极的设计、测试参数的设计、制备技术和测试技术的控制，实现对微米和毫米量级厚度的金刚石晶体片热导率的高精度测试，解决了目前测试方法难以实现对高导热、厚度百微米量级至毫米量级自支撑金刚石晶体片热导率的高精度表征与评估，满足基于金刚石材料的半导体器件研制及其热管理技术开发需求。
-
公开(公告)号：CN115580253A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211232171.8
申请日：2022-10-10
Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
IPC: H03H3/02
Abstract: 本发明公开了一种单晶压电薄膜体声波谐振器的制备方法，其步骤有：在衬底上生长单晶压电薄膜，压电薄膜上方制备上电极；图形化，构成分立的谐振器器件区域；在器件上方光刻通孔，并分别刻蚀上电极和压电薄膜；通过通孔在器件区域下方形成一个空腔；通过ALD在上电极上方、通孔内部、压电薄膜背面和空腔内部沉积金属；对上电极上方进行图形化，得到由上电极、单晶压电薄膜、下电极组成的单晶压电薄膜体声波谐振器。本发明不用通过晶圆键合工艺即可实现带有空腔的谐振器结构，有效避免了复杂的晶圆键合工艺过程，对异质衬底上晶格失配和热失配的外延单晶AlN薄膜的潜在破坏，以及因此导致的谐振器失效问题。并且工艺简单，易于批量加工。
-
公开(公告)号：CN114497186A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111669320.2
申请日：2021-12-30
Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/267 , H01L21/329 , H01L29/861
Abstract: 本发明公开了一种金刚石/氧化镓异质pn结二极管的制备方法，包括如下步骤：在高掺杂p型金刚石衬底上外延轻掺杂p型金刚石外延层；选择性外延掩膜的制作；轻掺杂n型氧化镓和高掺杂n型氧化镓外延层的生长；氧化镓外延层的剥离；正面和背面欧姆接触的制备。本发明针对现有pn结型金刚石二极管由于n型掺杂激活率低导致的n型掺杂区域电阻高、器件导通电阻大的问题，基于氧化镓选择性延生长技术，开发了一种金刚石异/氧化镓超宽禁带异质pn结二极管的制备方法，具有器件导通电阻低、击穿电压高、高温稳定性好等优点。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
20
records
(took 0.044 seconds)
