公开(公告)号：CN114023826A

公开(公告)日：2022-02-08

申请号：CN202111251519.3

申请日：2021-10-24

Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司

Inventor： 戴家赟 ,  孔月婵 ,  王飞 ,  吴立枢 ,  郭怀新 ,  陈堂胜

IPC: H01L29/868 ,  H01L21/329 ,  H01L29/417 ,  H01L23/373 ,  H03G11/02

Abstract: 本发明公开了一种无衬底大功率限幅器及其制备方法，该方法包括：在PIN限幅二极管材料表面制备PIN限幅管正面工艺，刻蚀暴露出P+、I和N+的台面结构，制备出金属上电极；在含有PIN二极管台面结构的材料正面旋涂粘附剂；与临时载片正面相对临时键合；减薄，去除剩余衬底；在去除衬底后的PIN二极管材料背面制备金属下电极。将临时载片分离，并清洗划片，得到无衬底的PIN限幅二极管和位于二极管背面的金属电极构成的大功率限幅器。本发明将传统PIN限幅二极管的Si/GaAs衬底去除，改用热导率更高的金属，同时金属材料相对于半导体具有更低的串联电阻，有助于进一步提升PIN限幅管的耐受功率。

公开(公告)号：CN112635322A

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN202011493926.0

申请日：2020-12-16

Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司

Inventor： 吴立枢 ,  戴家赟 ,  孔月婵 ,  陈堂胜

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/683 ,  H01L23/373 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L29/737

Abstract: 本发明公开了一种改善磷化铟异质结双极型晶体管散热的制备方法，包括：磷化铟异质结双极型晶体管正面与临时载片键合；将磷化铟异质结双极型晶体管的磷化铟衬底以及亚集电极层去除；在集电极层背面沉积集电极金属；在集电极金属上旋涂一层BCB固化同时刻蚀掉集电极金属表面BCB再沉积键合金属；利用键合金属将磷化铟异质结双极型晶体管与高热导率衬底键合；最后将临时载片去除。本发明利用金属键合工艺将磷化铟异质结双极型晶体管与高热导率衬底结合在一起，可提高磷化铟异质结双极型晶体管的散热效果。

公开(公告)号：CN109494182A

公开(公告)日：2019-03-19

申请号：CN201811413696.5

申请日：2018-11-26

Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司

Inventor： 戴家赟 ,  吴立枢 ,  王飞 ,  郭怀新 ,  陈堂胜

IPC: H01L21/683

Abstract: 本发明公开了一种用于半导体集成工艺中超薄半导体晶圆的拿持方法，主要步骤有：1)在第一临时载片正面旋涂第一临时键合粘附剂；2)将超薄半导体晶圆与第一临时载片正面相对键合；3)在第二临时载片正面旋涂第二临时键合粘附剂；4)将超薄半导体晶圆背面与第二临时载片正面相对键合；5)将超薄半导体晶圆与第一临时载片分离；6)制备集成互连结构；7)进行键合集成工艺；8)将集成后的晶圆与第二载片分离。本发明通过两种不同软化温度的临时键合粘附剂以及两片临时载片的搭配使用，利用临时键合和解键合工艺，保证超薄半导体晶圆在传输、夹取、互连结构制作以及键合等三维集成工艺过程中均有临时载片支撑，有效降低集成工艺中裂片的风险。

公开(公告)号：CN111092048B

公开(公告)日：2021-06-04

申请号：CN201911209192.6

申请日：2019-11-30

Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司

Inventor： 王飞 ,  戴家赟 ,  孔月婵 ,  吴立枢 ,  陈堂胜

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明公开了一种三维集成芯片的空气桥结构保护方法，其主要步骤有：清洗待键合芯片；在待键合芯片正面制作电镀种子层；在待键合芯片种子层上光刻出保护阵列图形；利用光刻好的图形电镀出空气桥结构保护阵列；去除光刻胶，清洗待键合芯片；去除电镀种子层；再次清洗待键合芯片；进行键合集成工艺。本发明在不影响芯片性能的前提下，通过二次电镀工艺在微波芯片正面制备一层微凸点阵列，形成空气桥的保护结构，使得键合过程中对芯片正面施加的压力不会作用在空气桥结构上，避免其被压断，有效提高三维集成芯片的成品率和可靠性。

公开(公告)号：CN109494182B

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：CN201811413696.5

申请日：2018-11-26

Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司

Inventor： 戴家赟 ,  吴立枢 ,  王飞 ,  郭怀新 ,  陈堂胜

IPC: H01L21/683

Abstract: 本发明公开了一种用于半导体集成工艺中超薄半导体晶圆的拿持方法，主要步骤有：1)在第一临时载片正面旋涂第一临时键合粘附剂；2)将超薄半导体晶圆与第一临时载片正面相对键合；3)在第二临时载片正面旋涂第二临时键合粘附剂；4)将超薄半导体晶圆背面与第二临时载片正面相对键合；5)将超薄半导体晶圆与第一临时载片分离；6)制备集成互连结构；7)进行键合集成工艺；8)将集成后的晶圆与第二载片分离。本发明通过两种不同软化温度的临时键合粘附剂以及两片临时载片的搭配使用，利用临时键合和解键合工艺，保证超薄半导体晶圆在传输、夹取、互连结构制作以及键合等三维集成工艺过程中均有临时载片支撑，有效降低集成工艺中裂片的风险。

公开(公告)号：CN111092048A

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN201911209192.6

申请日：2019-11-30

Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司

Inventor： 王飞 ,  戴家赟 ,  孔月婵 ,  吴立枢 ,  陈堂胜

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明公开了一种三维集成芯片的空气桥结构保护方法，其主要步骤有：清洗待键合芯片；在待键合芯片正面制作电镀种子层；在待键合芯片种子层上光刻出保护阵列图形；利用光刻好的图形电镀出空气桥结构保护阵列；去除光刻胶，清洗待键合芯片；去除电镀种子层；再次清洗待键合芯片；进行键合集成工艺。本发明在不影响芯片性能的前提下，通过二次电镀工艺在微波芯片正面制备一层微凸点阵列，形成空气桥的保护结构，使得键合过程中对芯片正面施加的压力不会作用在空气桥结构上，避免其被压断，有效提高三维集成芯片的成品率和可靠性。

公开(公告)号：CN214588829U

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN202023047224.8

申请日：2020-12-16

Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司

Inventor： 吴立枢 ,  戴家赟 ,  孔月婵 ,  陈堂胜

IPC: H01L23/373 ,  H01L29/732 ,  H01L29/417

Abstract: 本实用新型公开了一种磷化铟异质结双极型晶体管，由下至上设置有集电极和基极，所述基极上方设置有基极金属和发射极，所述发射极上方设置有发射极金属；所述集电极下方设置有集电极金属，集电极金属与高热导率衬底金属键合。本实用新型利用键合金属将磷化铟异质结双极型晶体管与高热导率衬底结合在一起，可提高磷化铟异质结双极型晶体管的散热效果。