公开(公告)号：CN114910773A

公开(公告)日：2022-08-16

申请号：CN202210422378.5

申请日：2022-04-21

Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司

Inventor： 陆海燕 ,  包雷 ,  陆晓霞 ,  陈堂胜

IPC: G01R31/28

Abstract: 本发明涉及一种放大器的变温在片测试系统及测试方法，通过一套测试系统实现散射参数、功率性能、噪声系数的变温测试，测试系统主要涉及控制软件通过程控矢网、电源、探针台等仪表，实现对系统的校准，输入条件的设定，测试数据的采集，图像的绘制等功能。根据该测试方法建立完整的软硬件测试平台，用于放大芯片的在片测试。该系统避免了另外需要信号源、噪声仪等一系列仪表搭建功率测试系统及噪声测试系统的问题；同时避免了传统利用烘箱测试高低温时需要将芯片进行装架，由于测试架引入的测试误差。

公开(公告)号：CN109581259A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201811395768.8

申请日：2018-11-22

Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司

Inventor： 陆海燕

IPC: G01R35/00

Abstract: 本发明涉及一种器件在片负载牵引测试的校准结构，包括开路、短路、负载和直通四部分，所述负载、开路、短路、直通四部分结构与待测器件焊盘结构完全一致。适用于器件在片负载牵引测试的校准结构的测试方法，包括：1）矢量网络分析仪双端口校准；2）阻抗调谐器校准并测量负载的1端口散射参数(S参数)；3）输入参数；4）器件端面校准；5）功率校准、验证。优点：1）保证校准结构与待测芯片电特性一致,避免由于校准结构与待测件材料、制备工艺不一致而导致的校准误差；2）有效剥离焊盘和互联线寄生，提高器件测试精度，提高功放设计成品率。

公开(公告)号：CN213689862U

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202022915681.8

申请日：2020-12-03

Applicant: 南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司

Inventor： 陆海燕 ,  陈堂胜

IPC: G01R31/28 ,  G01R1/04 ,  H05K7/20

Abstract: 本实用新型公开了一种太赫兹芯片制备用真空测试装置，属于太赫兹芯片测试技术领域，包括底座，所述底座上方放置有外壳，所述底座一侧转动连接L型转动杆，所述L型转动杆一端固定连接压板。对外壳进行固定时，先把外壳放到底座上，接着转动L型转动杆在转动槽内部来调节压板的位置，当L型转动杆带动压板压住外壳时，接着转动螺纹杆带动推板抵住外壳来对外壳进行固定，接着通过转动旋转轴带动L型卡杆卡进卡槽内部来固定好螺纹杆，测试装置在工作时，会产生热量，电机带动转动轴转动，转动轴带动转动杆转动，转动杆带动扇叶转动，扇叶转动吹风通过进风窗进入到外壳内部对测试装置进行散热，热量会通过散风窗流到外界。